专利汇可以提供半導體記憶裝置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且為了以低電壓使SRAM電路動作,而降低構成之電晶體的臨限電壓,則會因電晶體之漏電流增加,而產生如下問題:在一面記憶資料一面未動作狀態之耗電增大。本發明係藉由控制SRAM記憶胞MC內之驅動MOS電晶體之源極線ss1的電位,來減低記憶胞內之MOS電晶體之漏電流。,下面是半導體記憶裝置专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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