技术领域
[0001] 本
发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、驱动方法和显示装置。
背景技术
[0002] 近年来，随着显示技术的不断发展，采用指纹识别以实现用户隐私保护的显示装置也越来越多。用户在操作带有指纹识别功能的显示装置时，只需用
手指触摸显示屏，即可实现权限验证，操作简单。
[0003] 然而，目前用于指纹识别的光感检测
电路的灵敏度较低。
发明内容
[0004] 本发明
实施例提供一种显示面板、驱动方法和显示装置，可以提高光感检测电路的灵敏度。
[0005] 一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括：
[0006] 光感检测电路，所述光感检测电路包括光感单元和漏
电流调节单元，所述光感单元包括：
[0007] 第一晶体管，其第一端电连接于第一
节点，其第二端电连接于第二节点，其控制端电连接于复位控制端；
[0008] 第二晶体管，其第一端电连接于第一
电压端，其控制端电连接于所述第二节点；
[0009] 第三晶体管，其第一端电连接于所述第二晶体管的第二端，其第二端电连接于数据读取端，其控制端电连接于读取控制端；
[0010] 光电
二极管，其第一极电连接于第二电压端，其第二极电连接于所述第二节点；
[0011] 第一电容，其两端分别电连接于所述第二节点和所述第二电压端；
[0013] 第四晶体管，其第一端电连接于复位电压端，其第二端电连接于所述第一节点；
[0014] 第五晶体管，其第一端电连接于所述第一节点，其第二端电连接于固定电位端；
[0015] 第二电容，其两端分别电连接于所述第一节点和所述固定电位端。
[0016] 可选地，所述光感检测电路包括：
[0017] 呈阵列分布的多个所述光感单元；
[0018] 与每行所述光感单元对应的复位控制线，所述复位控制线电连接于对应行光感单元的所述复位控制端；
[0019] 与每行所述光感单元对应的读取控制线，所述读取控制线电连接于对应行光感单元的所述读取控制端；
[0020] 与每列所述光感单元对应的数据读取线，所述数据读取线电连接于对应列光感单元的所述数据读取端；
[0021] 每行所述光感单元对应设置有一个所述漏电流调节单元，在每个所述漏电流调节单元中，所述第四晶体管的控制端电连接于对应行光感单元的复位控制端，所述第四晶体管的第二端和所述第五晶体管的第一端电连接于对应行光感单元的第一节点。
[0022] 另一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0023] 本发明实施例中的显示面板、驱动方法和显示装置，在第一读取时段、曝光时段和第二读取时段，在光照下，
光电二极管产生从第二节点流向第二电压端的漏电流，使得第二节点处的电位下降，同时，控制第一节点处的电位下降，由于第一节点和第二节点的电位均下降，使得第一节点两端无电压差或电压差较小，因此，第一晶体管的漏电流较小，使得第二节点的电位变化仅由光电二极管的漏电流决定，或者更加接近仅由光电二极管的漏电流决定时的变化趋势，在第一读取时段，读取数据读取端上的电压值V1，在第二读取时段，读取数据读取端上的电压值V2，V1-V2作为用于反映光照强度的值，在第一读取时段读取到的V1较大，在第二读取时段t4读取到的V2较小，因此V1-V2可以在更大的范围内反映光照强度，从而提高了光感检测电路的灵敏度。
附图说明
[0024] 为了更清楚地说明本发明实施例或
现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025] 图1为
发明人尝试的一种光感检测电路的等效电路图；
[0026] 图2为图1中光感检测电路对应的时序图；
[0027] 图3为本发明实施例中一种显示面板的结构示意图；
[0028] 图4为图3的显示面板中一种光感检测电路的部分区域的等效电路图；
[0029] 图5为图4中光感检测电路对应的时序图，
[0030] 图6为图3的显示面板中一种光感检测电路的另一部分区域的等效电路图；
[0031] 图7为图3的显示面板中另一种光感检测电路的部分区域的等效电路图；
[0032] 图8为图7中光感检测电路对应的时序图；
[0033] 图9为图3的显示面板中一种光感检测电路的另一部分区域的等效电路图；
[0034] 图10为本发明实施例中一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0035] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036] 在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附
权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0037] 发明人经过研究发现，如图1和图2所示，图1为发明人尝试的一种光感检测电路的等效电路图，图2为图1中光感检测电路对应的时序图，光感检测电路的一个光感单元包括三个晶体管、一个光电二极管D’和一个电容C’，其工作过程包括复位时段t1’，复位控制端rst’提供的高电平控制第一晶体管T1’导通，复位电压
信号线VRST’上的复位电压通过第一晶体管T1’传输至Q’节点，使Q’节点的电位复位；第一读取时段t2’、曝光时段t3’和第二读取时段t4’，第一晶体管T1’截止，光电二极管D’由于受到光照而产生漏电流，电容C’放电，Q’节点的电位逐渐降低，第二晶体管T2’工作在线性区，其漏电流大小和Q’节点的电位成正比，在其中的第一读取时段t2’和t4’，控制第三晶体管T3’导通，第一电压端VDD’的电压通过第二晶体管T2’和第三晶体管T3’流向数据读取线VDATA’，第二晶体管T2’的导通程度决定了数据读取线VDATA’上的电位，第二晶体管T2’的导通程度由Q’节点的电压决定，即Q’节点的电位决定了数据读取线VDATA’上的电位，第一读取时段t2’读取到的数据读取线VDATA’上的电压值为V1’，第二读取时段t4’读取到的数据读取线VDATA’上的电压值为V2’，V1’-V2’由光电二极管D’的漏电流大小决定，光电二极管D’的漏电流大小由其所受到的光照强度决定，因此不同光照强度下的V2’不同，在指纹检测时，不同的指纹区域，反射至光电二极管D’的光照强度不同，因此，通过检测指纹识别区域中各
位置处处光感单元对应的V1’-V2’，即可实现指纹识别。然而，由于复位电压信号线VRST’上具有固定的复位电压，导致在第一读取时段t2’，在Q’节点电位下降的过程中，由于第一晶体管T1’两端产生电压差，导致第一晶体管T1’在截止时产生漏电流，从P’节点流向Q’节点，且随着Q’节点和P’节点之间的电压差变大而逐渐变大，第一晶体管T1’的漏电最终与光电二极管D’的漏电达到平衡，使得本应下降的Q’节点电位不再变化，此时本应下降的读取数据线VDATA’电压也不再下降，Q’节点电位和读取数据线VDATA’的电位相关，从图2可以看出，在相邻两次复位之间的时间，即在t2’、t3’和t4’中，其中数据读取线VDATA’实际的电位在前半段的下降速度大于在后半段的下降速度。第一晶体管T1’在理想的截止状态下不产生漏电流，在理想状态下，数据读取线VDATA’的电位在第一读取时段t2’、曝光时段t3’和第二读取时段t4’呈线性下降，而在第一晶体管T1’产生漏电流的实际状态下，数据读取线VDATA’的电位在第一读取时段t2’呈非线性下降，后半段下降速度较慢且最终可能会不再变化，这就会导致所读取到的V1’-V2’比理论值小很多，不同光照强度下，V1’-V2’的差异较小，因此光感检测电路的灵敏度较低。
[0038] 如图3、图4和图5所示，图3为本发明实施例中一种显示面板的结构示意图，图4为图3的显示面板中一种光感检测电路的部分区域的等效电路图，图5为图4中光感检测电路对应的时序图，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括指纹识别区域01，在指纹识别区域，设置有光感检测电路，用于指纹识别，当用户的手指放置于指纹识别区域时，会反射光线至光感检测电路，手指上指纹的沟壑所反射光线的光照强度不同，光感检测电路通过检测指纹识别区域各位置处的光照强度，即可以实现指纹识别。显示面板包括光感检测电路，光感检测电路包括光感单元1和漏电流调节单元2，光感单元1包括：第一晶体管T1，其第一端电连接于第一节点P，其第二端电连接于第二节点Q，其控制端电连接于复位控制端rst；第二晶体管T2，其第一端电连接于第一电压端VDD，其控制端电连接于第二节点Q；第三晶体管T3，其第一端电连接于第二晶体管T2的第二端，其第二端电连接于数据读取端Vdata，其控制端电连接于读取控制端read，需要说明的是，图3中，第一晶体管T1和第三晶体管T3均为双栅晶体管，以减小漏电流，可以理解地，在其他可实施方式中，第一晶体管T1和第三晶体管T3可以为单栅晶体管；光电二极管D，其第一极电连接于第二电压端VCOM，其第二极电连接于第二节点Q；第一电容C1，其两端分别电连接于第二节点Q和第二电压端VCOM；漏电流调节单元2包括：第四晶体管T4，其第一端电连接于复位电压端VRST，其第二端电连接于第一节点P；第五晶体管T5，其第一端电连接于第一节点P，其第二端电连接于固定电位端VC；第二电容C2，其两端分别电连接于第一节点P和固定电位端VC。需要说明的是，在本发明实施例中，光电二极管D的第一极为
阳极，光电二极管D的第二极为
阴极，或者光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二级为阳极均可以，以下仅通过光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极为例对本发明实施例进行详细介绍。需要说明的是，在本发明实施例中，各晶体管均为N型晶体管，但是，本发明实施例对于晶体管的类型不做限定，例如，各晶体管可以为P型晶体管，本发明实施例中的导通电平是指用于控制晶体管导通的电位，截止电平为用于控制晶体管截止的电位，例如，N型晶体管对应的导通电平为高电平、截止电平为低电平，P型晶体管对应的导通电平为低电平、截止电平为高电平，在本发明实施例中，仅以N型晶体管的类型为例进行介绍。
[0039] 具体地，漏电流调节单元2用于对第一节点P的电位进行调节，具体调节过程和原理如下，一个光感单元1工作于多个周期，每个周期依次包括：
[0040] 复位时段t1：第四晶体管T4导通，以使复位电压端VRST的电位传输至第一节点P，复位控制端rst提供导通电平，控制第一晶体管T1导通，使第一节点P的电位传输至第二节点Q，复位电压端VRST为第一节点P和第二节点Q充电，使第一节点P和第二节点Q的电位复位至复位电压端VRST提供的复位电压，此时，第二节点Q的电位高于第二电压端VCOM的电位，若光电二极管D没有受到光照，则光电二极管D处于反偏截止状态，另外，第一节点P的电位高于固定电位端VC的电位；
[0041] 第一读取时段t2：第四晶体管T4截止，复位控制端rst提供截止电平，控制第一晶体管T1截止，读取控制端read提供导通电平，控制第三晶体管T3导通，第二晶体管T2在第二节点Q的控制下产生漏电流并通过第三晶体管T3传输至数据读取端Vdata，读取数据读取端Vdata上的电压值V1，此时，在光照下，光电二极管D产生从第二节点Q流向第二电压端VCOM的漏电流，使得第二节点Q处的电位下降，同时，由于第五晶体管T5的控制端电连接于漏电流调节线adj，通过第五晶体管T5的控制端电位控制可以使第五晶体管T5工作于线性区，在其控制端电压控制下，第五晶体管T5产生漏电流使第一节点P处的电位下降，由于第一节点P和第二节点Q的电位均下降，使得第一晶体管T1两端无电压差或电压差较小，因此，第一晶体管T1的漏电流较小，使得第二节点Q的电位变化仅由光电二极管D的漏电流决定，或者更加接近仅由光电二极管D的漏电流决定时的变化趋势，并且，理论上，第一晶体管T1不产生漏电流的情况下，在光电二极管D受到光照时，第二节点Q的电位变化趋势为线性下降，而在设置第四晶体管T4、第五晶体管T5和第二电容C2后，可以使第一节点P的电位呈线性下降或近似线性下降，保持与第二节点Q相似或相同的下降趋势，使得第一晶体管T1两端的电压差较小，从而降低了第一晶体管T1的漏电流。
[0042] 曝光时段t3：复位控制端rst提供截止电平，控制第一晶体管T1截止，读取控制端read提供截止电平，控制第三晶体管T3截止，漏电流调节线adj的电位保持不变，也就是说，在曝光时段t3，对于第一节点P的控制和第一读取时段t1相同，使第一节点P电位呈下降的趋势变化，例如呈线性下降或近似线性下降。
[0043] 第二读取时段t4：复位控制端rst提供截止电平，控制第一晶体管T1截止，读取控制端read提供导通电平，控制第三晶体管T3导通，漏电流调节线adj的电位保持不变，也就是说，在第二读取时段t4，对于第一节点P的控制和第一读取时段t1相同，使第一节点P电位呈下降的趋势变化，例如呈线性下降或近似线性下降，第二晶体管T2在第二节点Q的控制下产生漏电流并通过第三晶体管T3传输至数据读取端Vdata，读取数据读取端Vdata上的电压值V2，V1-V2作为用于反映光照强度的值，本发明实施例中，在第一读取时段t2读取到的V1较大，在第二读取时段t4读取到的V2较小，因此V1-V2可以在更大的范围内反映光照强度，从而提高了光感检测电路的灵敏度。
[0044] 具体地，为了使第一节点P的电位变化趋势和第二节点Q的电位变化趋势尽量一致，可以在显示面板使用之前，对漏电流调节线adj的电位进行调试，使漏电流调节线adj提供的电位尽可能使得第一节点P的电位和第二节点Q的电位保持一致，漏电流调节线adj提供的电位不同，会导致第五晶体管T5的漏电流不同，在t2、t3和t4时段，指纹识别过程中光电二极管D所接受到的光照强度不变，即光电二极管D的漏电效果不变，理论上，由于光电二极管D的漏电，使第二节点Q的电位线性降低，例如，在一种可行的实施方式中，为了使第一节点P和第二节点Q的电位变化情况相同，可以设置第一电容C1和第二电容C2具有相同的参数，同时，设置第二电压端VCOM和固定电位端VC的电位相同，由于在复位阶段t1，第一节点P和第二节点Q的电位相同，因此在t2、t3和t4时段，如果通过设置漏电流调节线adj具有合适的电位，就可以使第五晶体管T5和光电二极管D具有相同的漏电效果，那么就可以使第一节点P和第二节点Q的电位始终保持一致，也就是说，使第二节点Q的电位变化过程中，使得第一节点P的电位在任意时刻都与第二节点Q的电位趋于一致，这样，可以尽可能降低第一晶体管T1的漏电流。当调试至使第一节点P和第二节点Q的电位始终保持一致或较为接近时，将此时漏电流调节线adj的电位作为显示面板正常使用时所提供的电位。类似的原理，还可以通过模拟仿真等方式对第五晶体管T5和第二电容C2的参数进行调整，使第五晶体管T5产生漏电流时的环境和光电二极管D产生漏电流时的环境相接近，以使第一节点P和第二节点Q的电位变化更加接近。如果第一节点P和第二节点Q的电位始终保持一致，那么第五晶体管T5就不会产生漏电流，也就是说第二节点Q的电位变化仅仅由光电二极管D的漏电决定，既可以提高光感检测电路的灵敏度。
[0045] 需要说明的是，上述仅以光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极为例进行了介绍，当光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二极为阳极时，第二电压端VCOM的电位高于复位电压端VRST的电位，固定电位端VC的电位高于复位电压端VRST的电位，在复位时段t1，从第一读取时段t2至第二读取时段t4，第二节点Q的电位逐渐升高，第一节点P的电位逐渐升高，电路中其他位置的工作过程和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。
[0046] 可选地，如图3、图4、图5和图6所示，图6为图3的显示面板中一种光感检测电路的另一部分区域的等效电路图，光感检测电路包括：呈阵列分布的多个光感单元1；与每行光感单元1对应的复位控制线RST，复位控制线RST电连接于对应行光感单元1的复位控制端rst；与每行光感单元1对应的读取控制线READ，读取控制线READ电连接于对应行光感单元1的读取控制端read；与每列光感单元1对应的数据读取线VDATA，数据读取线VDATA电连接于对应列光感单元1的数据读取端Vdata；每行光感单元1对应设置有一个漏电流调节单元2，在每个漏电流调节单元2中，第四晶体管T4的控制端电连接于对应行光感单元1的复位控制端rst，第四晶体管T4的第二端和第五晶体管T5的第一端电连接于对应行光感单元1的第一节点P。
[0047] 具体地，呈阵列部分的多个光感单元1中，每行光感单元1共用复位控制线RST和读取控制线READ，每列光感单元1共用数据读取线VDATA，可以通过
逐行扫描的方式进行数据读取，例如，当第一行光感单元1处于第一读取时段t2时，通过各条数据读取线VDATA读取第一行中每个光感单元1对应的V1，第二行光感单元1处于复位时段t1，其他行光感单元1处于曝光时段t3；当第一行光感单元1从第一读取时段t2进入曝光时段t3时，第二行光感单元1进入第一读取时段t2，第三行光感单元1进入复位时段t1，通过各条数据读取线VDATA读取第二行中每个光感单元1对应的V1；以此类推，即可通过扫描的方式实现读取每个光感单元1对应的V1和V2，从而实现指纹识别。
[0048] 可选地，显示面板包括指纹识别区域01，指纹识别区域01划分为多个光感区域，多个光感单元1分别位于不同的光感区域，每个光感区域包括若干光感单元1；光感检测电路包括与每个光感区域对应的漏电流调节线adj，漏电流调节线adj电连接于对应的若干光感单元1的第五晶体管T5的控制端，即在同一个光感区域中，各光感单元1中第五晶体管T5的控制端均由同样的电位控制，其中，漏电流调节线adj向不同的两个光感区域提供的电位不同。
[0049] 具体地，对于不同的光感区域，光感检测电路的等效电路结构可以相同，区别仅在于，不同光感区域用于分别对应不同的感光量，不同光感区域的划分可以与应用场景有关，例如，设定第一光感区域为用于大拇指的指纹识别区域，设定第二光感区域为用于食指的指纹识别区域，大拇指的
覆盖面积大，因此感光量较大，而食指的覆盖面积小，感光量较小，因此，可以根据不同的感光量，设置漏电流调节线adj向第一光感区域和第二光感区域分别提供不同的电位，第五晶体管T5的控制端电位决定了第五晶体管T5的漏电流大小，从而会影响第二节点Q的电位变化，因此，通过漏电流调节线adj对漏电流的调节作用，可以使第一光感区域和第二光感区域的光感单元1具有不同的灵敏度，以适应不同光感区域的感光量。
[0050] 可选地，固定电位端VC电连接于第二电压端VCOM或不同于复位电压端VRST的电位。
[0051] 具体地，固定电位端VC电连接于第二电压端VCOM，可以减少额外的电位提供，固定电位端VC除了电连接于第二电压端VCOM，还可以电连接于任意不同于复位电压端VRST的电位，以使复位电压端VRST在提供复位电压至第一节点P之后，可以在第五晶体管T5的两端形成电压差，以使第五晶体管T5产生漏电流，使第一节点P的电位在第一读取时段t2会发生变化，以降低第一晶体管T1的漏电流，需要说明的是，若光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极，则需要使复位电压端VRST的电位高于固定电位端VC的电位，以使得在第一读取时段t2，第一节点P的电位会下降；若光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二级为阳极，则需要使复位电压端VRST的电位低于固定电位端VC的电位，以使得在t2、t3和t4时段，第一节点P的电位会上升。
[0052] 另一方面，如图3、图7和图8所示，图7为图3的显示面板中另一种光感检测电路的部分区域的等效电路图，图8为图7中光感检测电路对应的时序图，本发明实施例还提供一种驱动方法，用于光感检测电路，光感检测电路包括光感单元1，光感单元1包括：第一晶体管T1，其第一端电连接于第一节点P，其第二端电连接于第二节点Q，其控制端电连接于复位控制端rst；第二晶体管T2，其第一端电连接于第一电压端VDD，其控制端电连接于第二节点Q；第三晶体管T3，其第一端电连接于第二晶体管T2的第二端，其第二端电连接于数据读取端Vdata，其控制端电连接于读取控制端read；光电二极管D，其第一极电连接于第二电压端VCOM，其第二极电连接于第二节点Q；第一电容C1，其两端分别电连接于第二节点Q和第二电压端VCOM；驱动方法包括用于驱动一个光感单元1的多个周期，每个周期依次包括：复位时段t1，复位控制端rst提供导通电平，控制第一晶体管导通T1，使第一节点P的电位传输至第二节点Q；第一读取时段t2，复位控制端rst提供截止电平，控制第一晶体管T1截止，读取控制端read提供导通电平，控制第三晶体管T3导通，第二晶体管T2在第二节点Q的控制下产生漏电流并通过第三晶体管T3传输至数据读取端Vdata；曝光时段t3，复位控制端rst提供截止电平，控制第一晶体管T1截止，读取控制端read提供截止电平，控制第三晶体管T3截止；第二读取时段t4，复位控制端rst提供截止电平，控制第一晶体管T1截止，读取控制端read提供导通电平，控制第三晶体管T3导通，第二晶体管T2在第二节点Q的控制下产生漏电流并通过第三晶体管T3传输至数据读取端Vdata；在每个周期中，从第一读取时段t2至第二读取时段t4，若光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极，则第一节点P的电位逐渐降低，若光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二极为阳极，则第一节点P的电位逐渐升高。
[0053] 具体地，第一节点P可以直接电连接于驱动芯片，由驱动芯片直接控制第一节点P的电位，当然，也可以通过其他方式控制第一节点P的电位，例如通过图4和图5所示的结构和时序来实现第一节点P的电位控制，以光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极，从第一读取时段t2至第二读取时段t4，第一节点P的电位逐渐降低的方式为例，与图4和图5所示意的光感检测电路的工作过程和原理类似，区别在于，在图7和图8所示意的光感检测电路以及其工作过程中，可以由驱动芯片直接控制第一节点P的电位，因此可以直接提供其所需要的电位变化，例如，提供和第二节点Q的相同或相近的电位变化，在复位时段t1，提供复位电压至第一节点P，第一晶体管T1导通，使第一节点P的电位传输至第二节点Q；在第一读取时段t2，在光照下，光电二极管D产生从第二节点Q流向第二电压端VCOM的漏电流，使得第二节点Q处的电位下降，同时，向第一节点P提供和第二节点Q相同的电位变化趋势，使第一节点P的电位始终接近第二节点Q，以降低第一晶体管T1的漏电流，使第二节点Q的电位变化变化仅受光电二极管D的影响，呈线性下降，在该阶段读取数据读取端Vdata的电压值V1；类似地，在曝光时段t3和第二读取时段t4，均向第一节点P提供和第二节点Q相同或相近的电位变化趋势，在第二读取时段t4读取数据读取端Vdata上的电压值V2，V1-V2作为用于反映光照强度的值。对于第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3的具体控制方式和工作原理与上述实施例相同，在此不再赘述。在本发明实施例中，在第一读取时段t2读取到的V1较大，在第二读取时段t4读取到的V2较小，因此V1-V2可以在更大的范围内反映光照强度，从而提高了光感检测电路的灵敏度。
[0054] 可选地，在每个周期中，从第一读取时段t2至第二读取时段t4，若光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极，则第一节点P的电位呈线性逐渐降低，若光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二极为阳极，则第一节点P的电位呈线性逐渐升高。理想状态下第一晶体管T1在截止时没有漏电流，此时在第一读取时段t2、曝光时段t3和第二读取时段t4，第二节点Q的电位呈线性变化，因此，为了保证第一晶体管T1处于没有漏电流的理想截止状态，控制第一节点P的电位呈线性变化，从而使第二节点Q的电位变化呈线性变化，以提高光感检测电路的灵敏度。需要说明的是，本发明实施例中的“线性变化”会收到各晶体管的漏电流影响，因此具有一定误差，但是仍在本
申请的保护范围内。
[0055] 可选地，在每个周期中，从第一读取时段t2至第二读取时段t4，第一节点P的电位线性变化的趋势和第二节点Q的电位线性变化趋势一致。使第二节点Q的电位变化过程中，使得第一节点P的电位在任意时刻都与第二节点Q的电位趋于一致，这样，可以尽可能降低第一晶体管T1的漏电流。
[0056] 可选地，如图3、图7、图8和图9所示，图9为图3的显示面板中一种光感检测电路的另一部分区域的等效电路图，光感检测电路包括：呈阵列分布的多个光感单元1；与每行光感单元1对应的复位控制线RST，复位控制线RST电连接于对应行光感单元1的复位控制端rst；与每行光感单元1对应的读取控制线READ，读取控制线READ电连接于对应行光感单元1的读取控制端read；与每列光感单元1对应的数据读取线VDATA，数据读取线VDATA电连接于对应列光感单元1的数据读取端Vdata；与每行光感单元1对应的复位调节线Padj，复位调节线Padj电连接于对应行光感单元1的第一节点P；多条复位控制线RST依次提供导通电平，以使多个光感单元1逐行进入复位时段t1；复位调节线Padj在对应的一行光感单元1进入第一读取时段t2、曝光时段t3和第二读取时段t4时，若光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极，则提供逐渐降低的电位，若光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二极为阳极，则提供逐渐升高的电位。图9所示的电路结构和原理与图6所示的电路结构和原理类似，区别在于，在图9所示的电路结构中，通过复位调节线Padj来实现对第一节点P的电位控制，而非如图6中所示的通过漏电流调节单元2来实现对第一节点P的电位控制，但是，对于第一节点P的电位变化以及光感单元1的具体控制方式均与图6的相关内容相同，在此不再赘述。
[0057] 可选地，如图3、图4和图5所示，光感检测电路还包括漏电流调节单元2，漏电流调节单元2包括：第四晶体管T4，其第一端电连接于复位电压端VRST，其第二端电连接于第一节点P；第五晶体管T5，其第一端电连接于第一节点P，其第二端电连接于固定电位端VC；第二电容C2，其两端分别电连接于第一节点P和固定电位端VC。在复位时段t1，第四晶体管T4导通，以使复位电压端VRST的电位传输至第一节点P；在第一读取时段t2、曝光时段t3和第二读取时段t4，第四晶体管T4截止，若光电二极管D的第一极为阳极，光电二极管D的第二极为阴极，则第五晶体管T5产生漏电流使第一节点P的电位逐渐降低，若光电二极管D的第一极为阴极，光电二极管D的第二极为阳极，则第五晶体管T5产生漏电流使第一节点P的电位逐渐升高。由于图4和图5所示结构的具体原理和工作过程在上述实施例中均有介绍，因此在此不再赘述。
[0058] 可选地，如图3、图4、图5和图6所示，图6为图3的显示面板中一种光感检测电路的另一部分区域的等效电路图，光感检测电路包括：呈阵列分布的多个光感单元1；与每行光感单元1对应的复位控制线RST，复位控制线RST电连接于对应行光感单元1的复位控制端rst；与每行光感单元1对应的读取控制线READ，读取控制线READ电连接于对应行光感单元1的读取控制端read；与每列光感单元1对应的数据读取线VDATA，数据读取线VDATA电连接于对应列光感单元1的数据读取端Vdata；每行光感单元1对应设置有一个漏电流调节单元2，在每个漏电流调节单元2中，第四晶体管T4的控制端电连接于对应行光感单元1的复位控制端rst，第四晶体管T4的第二端和第五晶体管T5的第一端电连接于对应行光感单元1的第一节点P。多条复位控制线RST依次提供导通电平，以使多个光感单元1逐行进入复位时段t1。
[0059] 可选地，显示面板包括指纹识别区域01，指纹识别区域01划分为多个光感区域，多个光感单元1分别位于不同的光感区域，每个光感区域包括若干光感单元1；光感检测电路包括与每个光感区域对应的漏电流调节线adj，漏电流调节线adj电连接于对应的若干光感单元1的第五晶体管T5的控制端，其中，漏电流调节线adj向不同的两个光感区域提供的电位不同。
[0060] 可选地，固定电位端VC电连接于第二电压端VCOM或不同于复位电压端VRST的电位。
[0061] 另一方面，如图10所示，图10为本发明实施例中一种显示装置的结构示意图，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板100。
[0062] 显示面板100的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。本发明实施例中的显示装置可以是例如触摸显示屏、手机、平板计算机、
笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的
电子设备。
[0063] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何
修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
[0064] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
