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具有凹陷閘極之動態隨機存取記憶體的漏電流測試方法 LEAKAGE TEST METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING A RECESS GATE

阅读:797发布:2023-12-27

专利汇可以提供具有凹陷閘極之動態隨機存取記憶體的漏電流測試方法 LEAKAGE TEST METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING A RECESS GATE专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本發明提出一種具有凹陷閘極之動態隨機存取記憶體的漏電流測試方法,包括下列步驟。首先,將同一個記憶胞中的第一儲存單元及第二儲存單元程式化為不同的儲存狀態。接著,擾動通過各記憶胞的其中一條字元線。然後,判斷動態隨機存取記憶體是否合格。其中,當擾動通過各記憶胞的其中一條字元線而造成通過各記憶胞的另一條字元線讀取錯誤時,則判斷為「故障」,並歸類為「空乏區增加」的漏電流類型。當擾動通過各記憶胞的其中一條字元線而不會造成通過各記憶胞的另一條字元線讀取錯誤時,則判斷為「合格」。,下面是具有凹陷閘極之動態隨機存取記憶體的漏電流測試方法 LEAKAGE TEST METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING A RECESS GATE专利的具体信息内容。

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