Schottky barrier diode
专利汇可以提供Schottky barrier diode专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且Anisotropic etching is employed in the fabrication of a Schottky barrier diode to provide a recessed geometry having a guard ring of reduced area, thereby avoiding the objectionable degree of parasitic capacitance found in related planar devices. A low series resistance is also provided since the anisotropic etching step inherently permits a precise control of the distance between the surface barrier and a buried substrate layer of low resistivity.，下面是Schottky barrier diode专利的具体信息内容。
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