功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法
专利汇可以提供功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基 二极管 的器件，通过在正常栅极 沟道 间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成 肖特基二极管 。此外，本发明还公开了该器件的制造方法，包括如下步骤：(1)在 硅 衬底上进行栅极沟道和肖特基沟道 刻蚀 ，形成栅极沟道之间嵌入肖特基沟道；(2)有光阻阻挡肖特基沟道区域的body注入与源注入；(3)层间 电介质 淀积， 接触 孔曝光、刻蚀，接触孔注入形成 欧姆接触 ；(4)肖特基接触沟槽曝光、刻蚀；(5)金属沉积，在肖特基接触沟槽底部、金属与 外延 层接触形成肖特基二极管；(6)后续工艺包括常规的金属曝光、刻蚀、 合金 工艺。本发明在不增加芯片面积的前提下提高了器件的交频特性。，下面是功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法专利的具体信息内容。
1.一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，其特征在于：通过在正常栅极沟道间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成肖特基二极管。
2.根据权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，其特征在于：
所述肖特基二极管是在肖特基接触沟槽底部、金属与外延层接触而形成的。
3.一种根据权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)在硅衬底上进行栅极沟道和肖特基沟道刻蚀，形成栅极沟道之间嵌入肖特基沟道；
(2)有光阻阻挡肖特基沟道区域的body注入与源注入；
(3)层间电介质淀积，接触孔曝光、刻蚀，接触孔注入形成欧姆接触；
(4)肖特基接触沟槽曝光、刻蚀；
(5)金属沉积，在肖特基接触沟槽底部、金属与外延层接触形成肖特基二极管；
(6)后续工艺包括常规的金属曝光、刻蚀、合金工艺。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)具体为：在栅极沟道刻蚀时，通过修改版图，同时进行肖特基沟道刻蚀，形成每隔若干组栅极沟道嵌入一组肖特基沟道；所述栅极沟道和肖特基沟道的深度为1.0-2.0微米。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述body注入与源注入之后分别进行Body与源区推进。
6.根据权利要求3或5所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述body注入的能量
3
为60-180KeV，剂量为0.5-2.0E13/cm ；所述body推进的温度为1000-1150摄氏度，时间为
3
30-100分钟；所述源注入的能量为40-80KeV，剂量为2-8E15/em ；所述源区推进的温度为
900-950摄氏度，时间为30-100分钟。
7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，步骤(3)中，所述接触孔曝光、刻蚀时，光阻需保护肖特基沟道上方区域，所述接触孔注入应确保接触孔底部形成欧姆接触。
8.根据权利要求3或7所述的制造方法，其特征在于，步骤(3)中，所述接触孔的深度
3
为4000-6000埃；所述接触孔注入的注入能量为30-60KeV，注入剂量为1-5E15/cm。
9.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，步骤(4)中，增加一层肖特基光刻层刻蚀掉肖特基沟道上方的层间电介质形成肖特基接触沟槽。
功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
Cell区内完全一致，规则排 Cell区内每隔若干组栅
栅极沟道图形 极沟道嵌入一组肖特基
列
沟道
在肖特基沟道上方有阻
Body注入，源注入 整个cell区无阻挡
挡
在正常接触孔工艺完成
肖特基接触孔曝光 无 后增加肖特基接触沟槽
曝光工艺
肖特基二极管形成 无 部、金属与外延层接触
形成肖特基二极管
入(能量40-80KeV，剂量2-8E15/cm)，源区4推进(温度900-950摄氏度，时间30-100分钟)，注入时在肖特基沟道区域需光阻6阻挡，见图4；
3
9)，其注入能量为30-60KeV，注入剂量为1-5E15/cm ；正常接触孔刻蚀时，光阻需保护肖特基沟道上方区域，接触孔注入应确保接触孔8底部形成欧姆接触，见图5；
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