专利汇可以提供三轴磁传感器的封装方法及其封装结构专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种三轴磁 传感器 的封装方法及其封装结构,其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴 磁传感器 芯片,将ASIC圆片上涂覆一层 光刻 材料,通过选择性曝光,形成两边高于中央的结构;将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布,同时对中央裸露的布线进行 覆盖 保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到 晶圆 的方式倒装到ASIC圆片的表面;在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术,可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构,同时也实现了成本的最低化。,下面是三轴磁传感器的封装方法及其封装结构专利的具体信息内容。
1.一种三轴磁传感器的封装方法,其特征在于:其包括有以下步骤:
提供ASIC圆片,其上设置有焊盘;
提供三轴磁传感器芯片,对三轴磁传感器芯片进行凸点工艺处理;
将ASIC圆片上的焊盘进行再分布,将ASIC圆片上用于与三轴磁传感器芯片相连的焊盘再分布到圆片的中央位置;
将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料,通过选择性曝光,形成两边高于中央的结构;
将ASIC圆片位于两边的焊盘进行再分布,同时对中央裸露的布线进行覆盖保护;
将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面;
在ASIC圆片两边的焊盘上进行植球。
2.如权利要求1所述三轴磁传感器的封装方法,其特征在于:所述ASIC圆片的焊盘分布在ASIC圆片的两边或者四边靠边缘的位置。
3.如权利要求1所述三轴磁传感器的封装方法,其特征在于:所述三轴磁传感器芯片是基于AMR技术,能探测X、Y及Z三个方向地磁分量的单芯片传感器。
4.如权利要求1所述三轴磁传感器的封装方法,其特征在于:所述对三轴磁传感器芯片进行凸点工艺处理的步骤中,对三轴磁传感器芯片进行柱式凸点工艺处理。
5.如权利要求1所述三轴磁传感器的封装方法,其特征在于:所述对三轴磁传感器芯片进行凸点工艺处理的步骤之后,将ASIC圆片上的焊盘进行再分布的步骤之前,还包括对三轴磁传感器芯片的减薄处理。
6.如权利要求1所述三轴磁传感器的封装方法,其特征在于:所述将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面的步骤中,还包括使用底部填充材料进行填充保护。
7.一种采用权利要求1所述三轴磁传感器的封装方法得到的封装结构,其特征在于:
其包括有ASIC圆片以及倒装设置于其表面上的三轴磁传感器芯片;所述三轴磁传感器设置于ASIC圆片的中部,ASIC圆片的两端表面设置有由光刻材料构成的突出部,其上设置有输出/输入焊盘,焊盘上设置有焊球。
8.如权利要求7所述的三轴磁传感器的封装结构,其特征在于:所述ASIC圆片与三轴磁传感器芯片之间填充有底部填充材料。
9.如权利要求7所述的三轴磁传感器的封装结构,其特征在于:所述三轴磁传感器芯片是基于AMR技术,能探测X、Y及Z三个方向地磁分量的单芯片传感器。
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