专利汇可以提供具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及属于 半导体 器件的制造技术领域,具体是一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET。具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括:半导体 基板 ,所述半导体基板包括N型衬底和生长在N型衬底上的 外延 层,所述外延层包括下外延层和生长在所述下外延层上的上外延层,所述下外延层中设有P型浮岛区;所述上外延层中开设有沟槽,所述沟槽从第一主面向第二主面方向延伸;所述沟槽的上部为栅极区,沟槽的下部为屏蔽栅区,所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有 氧 化层;所述栅极区中设有栅极层和栅极氧化层;所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层和屏蔽栅氧化层;能够在获得高耐压时,由于采用低阻的下外延,所以又可以极大的降低导通 电阻 。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET专利的具体信息内容。
1.一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET,其特征在于,所述具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括:
半导体基板,所述半导体基板包括N型衬底(1)和生长在N型衬底(1)上的外延层,所述外延层包括下外延层(2)和生长在所述下外延层(2)上的上外延层(3),所述上外延层(3)的上表面为所述半导体基板的第一主面,N型衬底(1)的下表面为所述半导体基板的第二主面,所述下外延层(2)中设有P型浮岛区(4);
所述上外延层(3)中开设有沟槽(5),所述沟槽(5)从第一主面向第二主面方向延伸;
所述沟槽(5)的上部为栅极区,沟槽(5)的下部为屏蔽栅区,所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有氧化层;所述栅极区中设有栅极层(511)和栅极氧化层(512);所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层(521)和屏蔽栅氧化层(522);
所述沟槽(5)两侧的上外延层(3)中设有P型体区(6),所述P型体区(6)上设有N型源极区(7),所述半导体基板的第一主面上设有绝缘介质层(8),所述绝缘介质层(8)中开设有接触孔(9),所述接触孔(9)的下端依次穿过N型源极区(7)和P型体区(6),所述接触孔(9)中填充有金属,所述绝缘介质层(8)上设有金属层(10),所述接触孔(9)中填充的金属将金属层(10)、N型源极区(7)和P型体区(6)连通。
2.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET,其特征在于,所述沟槽(5)的槽底伸入所述下外延层(2)中1 2μm。
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3.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET,其特征在于,所述P型浮岛区(4)有多个,则多个P型浮岛区(4)在所述下外延层(2)中从下至上依次间隔设置。
4.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET,其特征在于,所述屏蔽栅氧化层(522)的厚度为:3000A 10000A。
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5.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET,其特征在于,所述栅极氧化层(512)的厚度为:500A 1000A。
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