专利汇可以提供一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种柔性透明的 薄膜 型 电阻 开关 及制备方法,该柔性透明的薄膜型电阻开关为ITO‑ITO 纳米线 ‑Ag三明治结构,包括柔性透明衬底、设置于柔性透明衬底上的ITO薄膜,ITO薄膜上设有一层ITO纳米线网络,ITO纳米线网络上设有Ag 电极 ,Ag电极为上电极,ITO薄膜上未设置ITO纳米线网络的区域为下电极引线区域。本发明制作的电阻开关在可见光波段透过率达到70%以上,在正向弯曲或反向弯曲情况下都能保持良好的电阻开关特性。本发明制备的一种柔性透明薄膜型电阻开关可作为开关元件和电 存储器 件在信息处理领域中进行应用,同时由于结构和工艺简单,成本极低,在透明 电子 器件领域中有较强的实用价值。,下面是一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法专利的具体信息内容。
1.一种柔性透明的薄膜型电阻开关的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备一层厚度均匀的固化PDMS薄膜,将PDMS主剂与PDMS硬化剂按体积比10:1比例混合均匀,放置于抽真空腔室中,利用抽真空的方式去除混合液中的气泡;用酒精清洗玻璃基底并用氮气吹干,在玻璃基片上滴入配置完成的PDMS混合液,利用匀胶机制备均匀的PDMS薄膜,厚度在100-800µm之间,然后在90℃下烘烤40分钟;得到厚度均匀的固化PDMS薄膜;
(2)将固化后的PDMS薄膜反贴于一片洁净的硬性基底上,实现PDMS薄膜的转移;
(3)在PDMS薄膜上制备一层ITO薄膜作为下电极;
(4)将作为电极引线的区域进行遮挡,然后利用自组装的方式,在ITO薄膜上平铺一层聚苯乙烯小球,并自然晾干;
(5)利用电子束蒸镀的方式,在ITO薄膜上制备ITO纳米线网络薄膜;
(6)将制备完成的样品放入快速退火炉中300℃氮气氛围下退火3-5分钟;
(7)在ITO纳米线网络薄膜上涂覆条状Ag导电胶,作为Ag电极;
(8)将整个器件从玻璃基底上取下,得到柔性透明的薄膜型电阻开关。
2.根据权利要求1所述的一种柔性透明的薄膜型电阻开关的制备方法,其特征在于,步骤(3)中利用磁控溅射的方式,在低于100℃条件下制备一层300nm厚的ITO薄膜作为下电极。
3.根据权利要求1所述的一种柔性透明的薄膜型电阻开关的制备方法,其特征在于,步骤(4)中聚苯乙烯小球的直径为670nm;步骤(5)中利用电子束蒸镀的方式,按0.1nm/s的速率在280℃下,沉积20分钟,制备得到ITO纳米线网络薄膜。
4.权利要求1至3中任一项所述的制备方法所制备的柔性透明的薄膜型电阻开关,其特征在于,该柔性透明的薄膜型电阻开关为ITO-ITO纳米线-Ag三明治结构,包括柔性透明衬底、设置于柔性透明衬底上的ITO薄膜,ITO薄膜上设有一层ITO纳米线网络,ITO纳米线网络上设有Ag电极,Ag电极为上电极,ITO薄膜上未设置ITO纳米线网络的区域为下电极引线区域,整个柔性透明的薄膜型电阻开关在可见光波段的透过率为70%以上;柔性透明衬底为PDMS薄膜。
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