一种含硅废水除硅处理工艺及系统
阅读：1020发布：2020-07-20
专利汇可以提供一种含硅废水除硅处理工艺及系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及 水 处理 技术领域，具体涉及一种含 硅 废水 除硅处理工艺及系统。该含硅废水除硅处理工艺包括如下步骤：(1)将 煤 化含硅 原水 收集至原水收集池中，用 提升 泵 将煤化含硅原水泵至 电解 槽 中进行电解处理，然后将电解处理后的 水体 置于 沉淀池 中，自然静置分层；(2)将步骤(1)分层处理后的下层沉淀物排出，将分层处理后的上层清液回收或待排；所述步骤(1)中，电解处理的 电流 密度 为40-60A/m2， 电压 为2-5V，电解处理时间为30-60min。本发明的含硅废水除硅处理工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理。，下面是一种含硅废水除硅处理工艺及系统专利的具体信息内容。
1.一种含硅废水除硅处理工艺，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将煤化含硅原水收集至原水收集池中，用提升泵将煤化含硅原水泵至电解槽中进行电解处理，然后将电解处理后的水体置于沉淀池中，自然静置分层；
(2)将步骤(1)分层处理后的下层沉淀物排出，将分层处理后的上层清液回收或待排；
所述步骤(1)中，电解处理的电流密度为40-60A/m2，电压为2-5V，电解处理时间为30-
60min。
2.一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：用于实施权利要求1所述的含硅废水除硅处理工艺的处理系统，按照处理使用顺序依次包括原水收集池、提升泵、电解槽、沉淀池和清水池，所述沉淀池的上部开设有清水回收出水口，所述清水回收出水口与清水池连通；所述沉淀池的底部中央设置有污泥出料口，所述沉淀池的中下部自池壁向沉淀池底部的所述污泥出料口倾斜设置，所述污泥出料口出料端连接有污泥池。
3.根据权利要求2所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述电解槽包括槽体和设置于槽体内部的电解装置，所述电解装置包括整流机、若干个电解极板以及用于将所述电解极板与整流机电连接的导线。
4.根据权利要求3所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述电解极板为铝板或铝镁合金板。
5.根据权利要求3所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述电解槽的槽体内侧壁设置有若干个加固立柱。
6.根据权利要求2所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述原水收集池与提升泵之间设置有第一阀门，所述提升泵与电解槽之间设置有第二阀门。
7.根据权利要求2所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述清水回收出水口设置有改性过滤膜，所述改性过滤膜为改性PVDF膜。
8.根据权利要求7所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；
B、将PVDF膜浸入至浓度为8.0-8.8mol/L的亚硫酸钠中，浸润3-4h，取出，用去离子水冲洗，然后浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌12-20min，然后升温至70-80℃搅拌20-
25min，同时在波长为428nm的紫外线下边照射边搅拌，然后取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；
C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润25-40min取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。
9.根据权利要求8所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为13-15:25：8-10；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。
10.根据权利要求8所述的一种含硅废水除硅处理系统，其特征在于：所述步骤C中，TiO2胶体溶液由如下步骤制得：
将2ml钛酸丁酯溶解在25ml的无水乙醇中，室温下，边搅拌边加入30ml的去离子水，滴加完毕后继续搅拌20-25min，然后升温至65℃下搅拌20-25min，成糊状胶质，再利用质量分数为3-8％的稀硝酸溶液调节pH值为1.2-1.5，在65℃下继续搅拌2-4h，最后加入至100ml的去离子水中，搅拌20-30min，则制得TiO2胶体溶液。
一种含硅废水除硅处理工艺及系统
技术领域
背景技术
[0002] 目前的含硅废水除硅处理方法基本采用除硅剂、凝聚剂、石灰、碳酸钠等药剂，一方面工艺流程繁杂，处理效率低，成本高，且采用添加助剂进行橱柜处理的方式增加了处理工艺中的药剂成本；而另一方面容易对除硅处理后的水体造成二次污染，且对操作设备造成一定的腐蚀损伤，降低了设备的使用寿命。
发明内容
[0003] 为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种含硅废水除硅处理工艺，该处理工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理。
[0004] 本发明的另一目的在于提供一种含硅废水除硅处理系统，该除硅处理系统结构新颖，操作简单，提高了原水处理的资源再利用率，并避免环境的二次污染，除硅处理率高达99％以上，实用性高。
[0005] 本发明的目的通过下述技术方案实现：一种含硅废水除硅处理工艺，包括如下步骤：
[0007] (2)将步骤(1)分层处理后的下层沉淀物排出，将分层处理后的上层清液回收或待排；
[0009] 本发明的含硅废水除硅处理工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理。
[0010] 其中，在电解处理过程中，利用溶解性的铝镁合金金属为阳极电解极板，在电能的作用下，阳极被缓慢溶出，产生Al、Mg等离子，聚合继而产生多种羟基络合物、多核羟基络合物及氢氧化物，而上述粒子水解聚合后的产物带正电荷，比游离的水合铝离子更能吸附于污染物杂质的负电荷表面，使废水中的胶态杂质、悬浮杂质凝聚沉淀而实现分离，通过网捕作用将硅去除，同时带电的污染物颗粒在电场中泳动，其部分电荷被电极中和而促使其脱稳聚沉，进而除去水中的硅，通过电中和作用将硅去除。在电解的过程中产生乳白色的絮体随着电解时间的延长出现的絮体增多，pH值上升，沉淀速度加快，进而实现废水中硅的有效去除。
[0011] 本发明的另一目的通过下述技术方案实现：一种含硅废水除硅处理系统，用于实施上述的含硅废水除硅处理工艺的处理系统，按照处理使用顺序依次包括原水收集池、提升泵、电解槽、沉淀池和清水池，所述沉淀池的上部开设有清水回收出水口，所述清水回收出水口与清水池连通；所述沉淀池的底部中央设置有污泥出料口，所述沉淀池的中下部自池壁向沉淀池底部的所述污泥出料口倾斜设置，所述污泥出料口出料端连接有污泥池。
[0012] 本发明的含硅废水除硅处理系统，使用过程中，将煤化含硅原水利用提升泵泵至电解槽中进行电解处理，电解处理后的水体则流至沉淀池中，自然状态下静置，使得在沉淀池的底部形成沉淀物，将静置沉淀处理后的上层清液抽滤至清水池中，回收再利用，提高了原水处理的资源再利用率；此外，打开沉淀池底部的污泥出料口，下层的沉淀物则通过该污泥出料口排出，进行压滤等后处理，再将压滤后的泥饼委外处理，实现污泥废物的有效处理，避免对环境的污染。
[0013] 优选的，所述电解槽包括槽体和设置于槽体内部的电解装置，所述电解装置包括整流机、若干个电解极板以及用于将所述电解极板与整流机电连接的导线。本发明通过整流机控制电解极板的电压和电流，进而控制整个电解处理过程，操作方便，易于控制，提高了电解处理效率和效果。
[0014] 优选的，所述电解极板为铝板或铝镁合金板，表面具有致密的氧化铝层，能防止煤化含硅原水对电解极板的腐蚀性，延长了电解极板的使用寿命。
[0015] 优选的，所述电解槽的槽体内侧壁设置有若干个加固立柱，提高槽体的牢固性。
[0016] 优选的，所述清水回收出水口设置有改性过滤膜，所述改性过滤膜为改性PVDF膜，能提高水通量，并对沉淀、絮状物等杂质进行有效过滤，提高处理后的清水池中水体水质，除硅率高。
[0017] 优选的，所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
[0018] A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；利用去离子水将烯丙醇聚氧乙烯醚溶解、分散，然后利用聚乙二醇提高体系的分散性，使得后续PVDF膜浸入至其中时，烯丙醇聚氧乙烯醚能均匀分散于PVDF膜的表面进行接枝，为烯丙醇聚氧乙烯醚的活性基团接枝于PVDF膜表面提供充分的接触面积，不因物料团聚而降低烯丙醇聚氧乙烯醚与F膜的接触面积，提高接枝率；
[0019] B、将PVDF膜浸入至浓度为8.0-8.8mol/L的亚硫酸钠中，浸润3-4h，取出，用去离子水冲洗，然后浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌12-20min，然后升温至70-80℃搅拌20-25min，同时在波长为428nm的紫外线下边照射边搅拌，然后取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；利用亚硫酸钠对PVDF膜先进行磺化反应处理，使得亚硫酸基团引入至PVDF膜表面，使得膜的表面由非极性转化为极性，提高PVDF膜的亲水性，其后再进入至上述的预分散液中，烯丙醇聚氧乙烯醚的活性基团接枝于PVDF膜的表面，改善PVDF膜的亲水性，提高PVDF膜的水通量，同时提高对絮状物、沉淀等杂质的截留效果，避免杂质通过PVDF膜，过滤效果佳；
[0020] C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润25-40min取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。最后将PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，提高PVDF膜的亲水性、防堵性和耐污染性，避免截留的絮状物、沉淀等杂质堵塞在PVDF膜的表面，提高PVDF膜的使用寿命。
[0021] 优选的，所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为13-15:25：8-10；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。通过严格控制烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇三者的混合比例，能提高体系的分散性，与后续在PVDF膜表面的分散均匀性，悬浮稳定，易于接枝；而采用特定相对分子量的聚乙二醇，与烯丙醇聚氧乙烯醚的相容配伍性好，并能有效改善体系的分散性，而申请人经过试验得出，若采用相对分子量较大的聚乙二醇，则降低了聚乙二醇与烯丙醇聚氧乙烯醚的相容性，降低了改性体系的分散性，使得接枝改性不充分，PVDF膜的亲水性下降。
[0022] 本发明通过采用上述方法对PVDF膜进行亲水性改性，采用磺化和接枝改性相结合的方法，利用烯丙醇聚氧乙烯醚的水溶性高分子嵌段接枝于PVDF膜的表面，显著改善亲水性，提高水通量和对沉淀、絮状物等杂质的截留效果，同时利用TiO2吸附于PVDF膜的表面，提高PVDF膜的耐污性，避免混盐堵塞，进而提高PVDF膜的过滤效果。
[0023] 优选的，所述步骤C中，TiO2胶体溶液由如下步骤制得：
[0024] 将2ml钛酸丁酯溶解在25ml的无水乙醇中，室温下，边搅拌边加入30ml的去离子水，滴加完毕后继续搅拌20-25min，然后升温至65℃下搅拌20-25min，成糊状胶质，再利用质量分数为3-8％的稀硝酸溶液调节pH值为1.2-1.5，在65℃下继续搅拌2-4h，最后加入至100ml的去离子水中，搅拌20-30min，则制得TiO2胶体溶液。
[0025] 本发明通过上述的步骤制备TiO2胶体溶液，质量稳定，PVDF膜浸润于其中，TiO2分散均匀，能稳定地附着于PVDF膜的表面。
[0026] 本发明的有益效果在于：本发明的含硅废水除硅处理工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理，可应用于煤化、单晶硅、光伏等行业含硅废水的处理。
[0028] 图1是本发明的结构框图；
[0029] 图2是本发明所述电解槽的结构示意图；
[0030] 附图标记为：1—原水收集池、2—提升泵、21—第一阀门、22—第二阀门、3—电解槽、31—槽体、32—整流机、33—电解极板、34—导线、35—加固立柱、4—沉淀池、41—清水回收出水口、411—改性过滤膜、42—污泥出料口、5—清水池、6—污泥池。
具体实施方式
[0031] 为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-2对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
[0032] 实施例1
[0033] 一种含硅废水除硅处理工艺，包括如下步骤：
[0034] (1)将煤化含硅原水收集至原水收集池1中，用提升泵2将煤化含硅原水泵至电解槽3中进行电解处理，然后将电解处理后的水体置于沉淀池4中，自然静置分层；
[0035] (2)将步骤(1)分层处理后的下层沉淀物排出，将分层处理后的上层清液回收或待排；
[0036] 所述步骤(1)中，电解处理的电流密度为40A/m2，电压为2V，电解处理时间为60min。
[0037] 见附图1-2，一种含硅废水除硅处理系统，用于实施上述的含硅废水除硅处理工艺的处理系统，按照处理使用顺序依次包括原水收集池1、提升泵2、电解槽3、沉淀池4和清水池5，所述沉淀池4的上部开设有清水回收出水口41，所述清水回收出水口41与清水池5连通；所述沉淀池4的底部中央设置有污泥出料口42，所述沉淀池4的中下部自池壁向沉淀池4底部的所述污泥出料口42倾斜设置，所述污泥出料口42出料端连接有污泥池6。
[0038] 所述电解槽3包括槽体31和设置于槽体31内部的电解装置，所述电解装置包括整流机32、若干个电解极板33以及用于将所述电解极板33与整流机32电连接的导线34。
[0039] 所述电解极板33为铝板或铝镁合金板。
[0040] 所述电解槽3的槽体31内侧壁设置有若干个加固立柱35。
[0041] 所述原水收集池1与提升泵2之间设置有第一阀门21，所述提升泵2与电解槽3之间设置有第二阀门22。
[0042] 实施例2
[0043] 本实施例与上述实施例1的区别在于：
[0044] 所述步骤(1)中，电解处理的电流密度为45A/m2，电压为3V，电解处理时间为50min。
[0045] 实施例3
[0046] 本实施例与上述实施例1的区别在于：
[0047] 所述步骤(1)中，电解处理的电流密度为50A/m2，电压为4V，电解处理时间为40min。
[0048] 实施例4
[0049] 本实施例与上述实施例1的区别在于：
[0050] 所述步骤(1)中，电解处理的电流密度为60A/m2，电压为5V，电解处理时间为30min。
[0051] 实施例5
[0052] 本实施例与上述实施例2的区别在于：
[0053] 所述清水回收出水口41设置有改性过滤膜411，所述改性过滤膜411为改性PVDF膜。
[0054] 所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
[0055] A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；
[0056] B、将PVDF膜浸入至浓度为8.0mol/L的亚硫酸钠中，浸润3h，取出，用去离子水冲洗，然后浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌12min，然后升温至70℃搅拌20min，同时在波长为428nm的紫外线下边照射边搅拌，然后取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；
[0057] C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润25min后取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。
[0058] 所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为13:25：10；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。
[0059] 所述步骤C中，TiO2胶体溶液由如下步骤制得：
[0060] 将2ml钛酸丁酯溶解在25ml的无水乙醇中，室温下，边搅拌边加入30ml的去离子水，滴加完毕后继续搅拌20min，然后升温至65℃下搅拌20min，成糊状胶质，再利用质量分数为3％的稀硝酸溶液调节pH值为1.2，在65℃下继续搅拌2h，最后加入至100ml的去离子水中，搅拌30min，则制得TiO2胶体溶液。
[0061] 实施例6
[0062] 本实施例与上述实施例5的区别在于：
[0063] 所述清水回收出水口41设置有改性过滤膜411，所述改性过滤膜411为改性PVDF膜。
[0064] 所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
[0065] A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；
[0066] B、将PVDF膜浸入至浓度为8.4mol/L的亚硫酸钠中，浸润3.5h，取出，用去离子水冲洗，然后浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌16min，然后升温至75℃搅拌23min，同时在波长为428nm的紫外线下边照射边搅拌，然后取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；
[0067] C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润32min后取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。
[0068] 所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为14:25：9；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。
[0069] 所述步骤C中，TiO2胶体溶液由如下步骤制得：
[0070] 将2ml钛酸丁酯溶解在25ml的无水乙醇中，室温下，边搅拌边加入30ml的去离子水，滴加完毕后继续搅拌23min，然后升温至65℃下搅拌23min，成糊状胶质，再利用质量分数为5％的稀硝酸溶液调节pH值为1.3，在65℃下继续搅拌3h，最后加入至100ml的去离子水中，搅拌25min，则制得TiO2胶体溶液。
[0071] 实施例7
[0072] 本实施例与上述实施例5的区别在于：
[0073] 所述清水回收出水口41设置有改性过滤膜411，所述改性过滤膜411为改性PVDF膜。
[0074] 所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
[0075] A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；
[0076] B、将PVDF膜浸入至浓度为8.8mol/L的亚硫酸钠中，浸润4h，取出，用去离子水冲洗，然后浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌20min，然后升温至80℃搅拌20min，同时在波长为428nm的紫外线下边照射边搅拌，然后取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；
[0077] C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润40min后取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。
[0078] 所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为15:25：8；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。
[0079] 所述步骤C中，TiO2胶体溶液由如下步骤制得：
[0080] 将2ml钛酸丁酯溶解在25ml的无水乙醇中，室温下，边搅拌边加入30ml的去离子水，滴加完毕后继续搅拌25min，然后升温至65℃下搅拌25min，成糊状胶质，再利用质量分数为8％的稀硝酸溶液调节pH值为1.5，在65℃下继续搅拌4h，最后加入至100ml的去离子水中，搅拌20min，则制得TiO2胶体溶液。
[0081] 对比例1
[0082] 本对比例与上述实施例6的区别在于：
[0083] 所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
[0084] A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；
[0085] B、将PVDF膜浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌16min，然后升温至75℃搅拌23min，取出，用去离子水冲洗；然后再浸入至浓度为8.4mol/L的亚硫酸钠中，浸润3.5h，取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；
[0086] C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润32min后取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。
[0087] 所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为14:25：9；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。
[0088] 对比例2
[0089] 本对比例与上述实施例6的区别在于：
[0090] 所述改性PVDF膜由如下步骤制得：
[0091] A、将烯丙醇聚氧乙烯醚与去离子水混合，分散均匀后加入聚乙二醇，制得预分散液；
[0092] B、将PVDF膜浸入至TiO2胶体溶液中，浸润32min后取出，用去离子水冲洗，制得初改性的PVDF膜；
[0093] C、将步骤B初改性的PVDF膜浸入至浓度为8.4mol/L的亚硫酸钠中，浸润3.5h，取出，用去离子水冲洗，然后浸入至步骤A制得的预分散液中，室温搅拌16min，然后升温至75℃搅拌23min，取出，用去离子水冲洗，制得改性PVDF膜。
[0094] 所述步骤A中，烯丙醇聚氧乙烯醚、去离子水与聚乙二醇的混合重量比为14:25：9；所述聚乙二醇的相对分子量为1500。
[0095] 按照《GB/T 12149-2007工业循环冷却水和锅炉用水中硅的测定》，测量本发明实施例1-7及对比例1-2处理前后的水体硅含量，分别测量含硅废水中的硅含量，以及处理后的清水池5中水体的硅含量，计算处理前后的除硅率，测试结果如下所示：
[0096]
[0097]
[0098] 由上述测试数据可知，通过采用本发明的除硅处理工艺及除硅处理系统对含硅废水进行处理，并严格控制电解过程的电流密度和电压，除硅率高，对含硅废水的除硅效果明显，且过程中无需添加化学助剂，避免了化学助剂对水体造成的二次污染。
[0099] 而结合实施例5-7，通过采用本发明改性处理后的PVDF膜，能显著改善亲水性，提高PVDF膜的水通量和对沉淀、絮状物等杂质的截留效果，并能提高PVDF膜的耐污性，避免混盐堵塞，进而提高PVDF膜的过滤效果。同时，按照《GB/T34242-2017纳滤膜测试方法》的标准对实施例5-7以及对比例1-2的改性PVDF膜进行水通量的测试，并按照标准ASTME1343:1990《截留分子量法评价超滤膜的实验方法》测试改性PVDF膜的截留率，测试结果如下所示：
[0100]
[0101] 由上述测试数据可知，通过采用本发明的PVDF膜改性方法，能水通量高，而对比例1步骤B先进行磺化反应，再进行接枝改性处理，使得磺化后PVDF膜表现富含的羟基而阻碍了接枝反应的进行，进而使制得的改性PVDF膜水通量明显下降，截留率下降；而对比例2先利用TiO2胶体进行改性，再进行接枝改性和磺化处理，使得TiO2胶体容易导致通孔的堵塞，制得的改性PVDF膜水通量同样明显下降，截留率下降，而先对PVDF膜进行接枝改性和磺化处理后，TiO2胶体易于与改性后表面的亲水基团键合，不容易堵塞通孔，进而不影响PVDF膜本身的水通量和截留率。说明本发明通过采用磺化和接枝改性相结合的方法，利用烯丙醇聚氧乙烯醚的水溶性高分子嵌段接枝于PVDF膜的表面，显著改善亲水性，提高水通量和对沉淀、絮状物等杂质的截留效果，同时利用TiO2吸附于PVDF膜的表面，提高PVDF膜的耐污性，避免混盐堵塞，进而提高PVDF膜的过滤效果。
[0102] 上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
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