专利汇可以提供表面放电型荫罩式等离子体显示板专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型针对现有的荫罩式 等离子体 显示板采用对向型放电产生的问题及表面放电型 等离子体显示 板障壁制作成本高且成品率低的问题,公开了一种表面放电型荫罩式等离子体显示板,它主要包括前、后 基板 及夹在前、后基板中用于 支撑 前、后基板的包含网格孔阵列的导电荫罩,一对位于前基板的扫描 电极 和 维持电极 、位于后基板的 寻址电极 与导电荫罩的网格孔共同构成了放电单元,并采用表面放电的工作方式, 荧光 粉不仅涂覆在荫罩网孔的内壁上,还涂覆在后基板位于放电单元的 位置 上,使放电单元的荫罩网孔内壁与相应的后基板涂粉的部分构成了面积远大于荫罩型对向型放电单元的荧光粉面积,发光 亮度 及 发光效率 提高。具有低的着火 电压 、更高的亮度和发光效率,从而降低了功耗。,下面是表面放电型荫罩式等离子体显示板专利的具体信息内容。
1、一种表面放电型荫罩式等离子体显示板,包括前基板(1)、后基板(2)、 荫罩(3),其中荫罩(3)封装在前后基板(1,2)之间,所述的前基板(1) 主要由前衬底玻璃基板(4)、第一电极对(5,6)、介质层(7)、保护膜(8) 组成,其中第一电极对(5,6)平行排列于前衬底玻璃基板(4)上,介质 层(7)覆盖在第一电极对(5,6)上,保护膜(8)则覆盖在介质层(7) 上;所述的后基板(2)主要由后衬底玻璃基板(9)、第二电极(10)、介 质层(11)组成,其中第二电极(10)位于后衬底玻璃基板(9)上,介质 层(11)覆盖在第二电极(10)上,第二电极(10)与前基板(1)上的第 一电极对(5,)成空间垂直正交,其特征是所述的荫罩(3)为一厚度d为 0.1~1.0mm的包含漏斗形网格孔(12)阵列的导电板,所述的漏斗形网格 孔(12)与前基板1相对的上开口(13)面积是其与后基板(2)相对的下 开口(14)面积的10~20倍,每一漏斗形网格孔(12)上开口宽度(15) 为下开口宽度(16)的2~4倍;第一电极对(5,6) 呈平行排列,分别 与荫罩(3)上的漏斗形网格孔(12)的上开口(13)的两端相对应,第二 电极(10)与荫罩(3)上的漏斗形网格孔(12)的下开口(14)相对应, 每一网格孔(12)的下开口宽度(16)为第二电极(10)宽度(17)的1~ 2倍,上开口长度(19)为下开口长度(18)的1.5~2倍,第一电极对(5, 6)的电极宽度(20)相同,上开口长度(19)是第一电极对(5,6)的电 极宽度(20)的5~20倍,上开口长度(20)是第一电极对(5,6)之间 的平行间距(21)的1.25~5倍,所述的荫罩(3)、第一电极对(5,6) 和第二电极(10)组成介质阻挡型交流表面放电型的基本单元,在该介质 阻挡型交流表面放电型的基本单元中设有可见光发光区域。
2、根据权利要求1所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征是荫 罩(3)上的漏斗形网格孔(12)的上开口(13)为长条形、四边形、圆形、 梯形、六边形或八边形中的一种,下开口(14)为长条形,且上下开口中 心在垂直于荫罩表面的同一直线上。
3、根据权利要求1所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征是介 质阻挡型交流表面放电型的基本单元中的发光区域为漏斗形网格孔(12) 的内壁及对应其下开口(14)的后基板(2)上的介质层(11)表面的部分, 在该区域上涂覆有荧光粉。
4、根据权利要求1或3所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征 是在介质阻挡型交流表面放电型的基本单元的可见光发光区域涂覆的荧光 粉(24)为单色荧光粉。
5、根据权利要求1或3所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征 是在介质阻挡型交流表面放电型的基本单元的可见光发光区域涂覆的荧光 粉(24)为三基色荧光粉。
6、根据权利要求1所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征是每 一漏斗形网格孔(12)的上开口(13)与下开口(14)的中心在垂直于荫 罩表面的方向上在同一直线上,上开口宽度(15)是上下开口的中心距(17) 的1~4倍,放电单元的结构和大小即由上开口(13)决定。
7、根据权利要求1所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征是第 一电极对(5,6)由Al或Ag电极组成,其上不设透明导电薄膜电极。
8、根据权利要求1所述的表面放电型荫罩式等离子体显示板,其特征是所 述的阴罩(3)所用材料为铁、含铁合金、其他金属合金或表面镀有导电材 料膜的非金属材料。
本实用新型涉及一种等离子体显示板,尤其涉及一种荫罩式等离子体 显示板,具体地说是一种表面放电型荫罩式等离子体显示板。
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