等离子体处理室中的气体进给嵌件及其实现方法
专利汇可以提供等离子体处理室中的气体进给嵌件及其实现方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种被构造为置于穿过 电极 的组件的通道中的气体进给嵌件包括第一嵌件端部，在第一嵌件端部中具有与所述气体进给嵌件的线性轴平行对齐的第一钻孔。所述气体进给嵌件进一步包括在所述第一嵌件端部对面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有与所述气体进给嵌件的线性轴平行对齐的第二钻孔，所述气体进给嵌件还包括与第一钻孔和第二钻孔气流连通的钻孔到钻孔连通通道。所述钻孔到钻孔连通通道形成在所述气体进给嵌件的外表面中以便在气体从第一嵌件端部流动穿过钻孔到钻孔连通通道到第二嵌件端部时阻碍视线。，下面是等离子体处理室中的气体进给嵌件及其实现方法专利的具体信息内容。
1.一种被构造为置于穿过电极的组件的通道中的气体进给嵌件，其包括第一嵌件端部，其中具有与所述气体进给嵌件的线性轴平行对齐的第一钻孔；
在所述第一嵌件端部对面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有与所述气体进给嵌件的所述线性轴平行对齐的第二钻孔；以及
与所述第一钻孔和所述第二钻孔气流连通的钻孔到钻孔连通通道，所述钻孔到钻孔连通通道被形成在所述气体进给嵌件的外表面中以便在气体从所述第一嵌件端部流动穿过所述钻孔到钻孔连通通道到所述第二嵌件端部时阻碍视线。
2.如权利要求1所述的气体进给嵌件，其中所述气体连通通道其中所述钻孔到钻孔连通通道是在所述气体进给嵌件的外表面中创建的螺旋通道。
3.如权利要求1所述的气体进给嵌件，其中所述电极表现为多层电极且其中所述气体进给嵌件是具有至少两个不同部分的圆筒形嵌件，所述至少两个不同部分有至少两种不同外径。
4.如权利要求1所述的气体进给嵌件，其进一步包括与所述第一钻孔和所述钻孔到钻孔连通通道联接的至少一个横向通道。
5.如权利要求4所述的气体进给嵌件，其中所述至少一个横向通道被设置为与所述第一钻孔正交。
6.如权利要求4所述的气体进给嵌件，其中所述至少一个横向通道被设置为与所述第一钻孔成角度，而不是平行于所述第一钻孔。
7.如权利要求4所述的气体进给嵌件，其中所述至少一个横向通道还联接到所述第二钻孔。
8.如权利要求1所述的气体进给嵌件，其中所述第一钻孔的横截面尺寸没有大到足以在RF功率被提供到所述电极的组件的至少一部分时在所述第一钻孔中维持等离子体。
9.如权利要求1所述的气体进给嵌件，其进一步包括构建到所述气体进给嵌件的外表面中的至少一个肩部以在所述气体进给嵌件被组装到所述电极的组件的所述通道中时帮助在Z方向上对齐所述气体进给嵌件。
10.如权利要求1所述的气体进给嵌件，其中所述气体进给嵌件由两个在组装之前在物理上分开的分段形成，所述第一钻孔设置在第一分段中，所述第二钻孔至少部分设置在第二分段中。
11.一种用于制造具有至少一个等离子体处理室的等离子体处理系统的方法，所述等离子体处理室包括电极的组件，所述方法包括：
提供气体进给嵌件，所述气体进给嵌件具有至少
第一嵌件端部，其中具有与所述气体进给嵌件的线性轴平行对齐的第一钻孔；
在所述第一嵌件端部对面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有与所述气体进给嵌件的所述线性轴平行对齐的第二钻孔；以及
与所述第一钻孔和所述第二钻孔气流连通的钻孔到钻孔连通通道，所述钻孔到钻孔连通通道被形成在所述气体进给嵌件的外表面中以便在气体从所述第一嵌件端部流动穿过所述钻孔到钻孔连通通道到所述第二嵌件端部时阻碍视线；
将所述气体进给嵌件置于所述电极的组件中的孔中；以及
将所述电极组装在所述等离子体处理室中。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述气体连通通道其中所述钻孔到钻孔连通通道是在所述气体进给嵌件的外表面中创建的螺旋通道。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述电极表现为多层电极且其中所述气体进给嵌件是具有至少两个不同部分的圆筒形嵌件，所述至少两个不同部分有至少两种不同外径。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述气体进给嵌件进一步包括与所述第一钻孔和所述钻孔到钻孔连通通道联接的至少一个横向通道。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个横向通道被设置为与所述第一钻孔正交。
16.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个横向通道还联接到所述第二钻孔。
17.如权利要求11所述的方法，其中所述第一钻孔的横截面尺寸没有大到足以在RF功率被提供到所述电极的组件的至少一部分时在所述第一钻孔中维持等离子体。
18.如权利要求11所述的方法，其中所述气体进给嵌件由两个在组装之前在物理上分开的分段形成，所述第一钻孔设置在第一分段中，所述第二钻孔至少部分设置在第二分段中。
19.一种包括至少一个等离子体处理室的等离子体处理系统，所述等离子体处理室包括：
电极；以及
被构造为置于穿过所述电极的组件的通道中的气体进给嵌件，其包括
第一嵌件端部，其中具有与所述气体进给嵌件的线性轴平行对齐的第一钻孔；
在所述第一嵌件端部对面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有与所述气体进给嵌件的所述线性轴平行对齐的第二钻孔；以及
与所述第一钻孔和所述第二钻孔气流连通的钻孔到钻孔连通通道，所述钻孔到钻孔连通通道被形成在所述气体进给嵌件的外表面中以便在气体从所述钻孔流动穿过所述钻孔到钻孔连通通道到所述钻孔时阻碍视线。
20.如权利要求19所述的等离子体处理系统，其中所述气体连通通道其中所述钻孔到钻孔连通通道是在所述气体进给嵌件的外表面中创建的螺旋通道。
21.如权利要求19所述的等离子体处理系统，其中所述电极表现为多层电极且其中所述气体进给嵌件是具有至少两个不同部分的圆筒形嵌件，所述至少两个不同部分有至少两种不同外径。
等离子体处理室中的气体进给嵌件及其实现方法
背景技术
具体实施方式
这是因为部分170的较大的直径180要求电极的容纳气体进给嵌件100的部分170的孔部分大于电极的容纳气体进给嵌件100的部分172的孔部分。因此，邻近部分170的电极材料实质上会凹进去，远离气体进给嵌件的轴，使得这种邻近部分170的电极材料更受保护以避免等离子体的影响，该等离子体可存在于第二嵌件端部104下方或者沿着嵌件的外表面向上渗(seep)。虽然图1只示出了一个这种“凹进去”的特征来保护邻近该特征的电极材料，但如果需要，可以提供具有不同外径尺寸的多个气体进给嵌件部分来保护电极的不同部分。
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