选择性自参考读取
专利汇可以提供选择性自参考读取专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及选择性地执行从 存储器 的具有增加的准确度的读取，例如自参考读取。在一个方面中，从存储器阵列的例如磁阻式 随机存取存储器 MRAM单元的存储器单元读取数据。响应于检测到与从所述存储器单元的读取相关联的条件，可执行从所述存储器单元中的至少一者的自参考读取。举例来说，所述条件可指示从所述存储器单元读取的数据不可经由错误校正码ECC的解码校正。与总是执行自参考读取相比，选择性地执行自参考读取可减少与从所述存储器的读取相关联的电 力 消耗及/或等待时间。，下面是选择性自参考读取专利的具体信息内容。
1.一种从存储器阵列读取数据的方法，所述方法包括：
从所述存储器阵列的存储器单元读取数据，其中所述读取数据发生在第一等待时间，响应于确定从所述存储器单元读取的所述数据中的错误不可经由错误校正码校正，执行从相同存储器单元的自参考读取，其中所述自参考读取包括将从存储器单元读取的值与从所述相同存储器单元读取的另一值进行比较，其中所述自参考读取具有不同于所述第一等待时间的第二等待时间，及
将读取自所述读取数据和所述自参考读取的数据发送至具有固定等待时间的存储器控制器，其中所述固定等待时间具有大于或等于所述第二等待时间的持续时间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述执行所述自参考读取中，在将从所述存储器单元读取的有效数据提供到与所述读取相关联的处理器时的所述第一等待时间小于在将从所述相同存储器单元读取的有效数据提供到所述处理器时的所述第二等待时间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述执行所述自参考读取中，在将从所述存储器单元读取的有效数据提供到与所述读取相关联的处理器时的所述第一等待时间与在将从所述相同存储器单元读取的有效数据提供到所述处理器时的所述第二等待时间大约相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元。
5.根据权利要求1所述的方法，其中一次读取一个以上码字，其中执行所述自参考读取进一步包括仅对识别为已读取有不可校正错误的码字的数字执行自参考读取。
6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述自参考读取进一步包括：当将从所述存储器单元读取的所述值与从所述相同存储器单元读取的所述另一值进行比较指示所述所比较值对应于所述存储器单元的不同状态时，重新编程所述存储器单元。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括经由错误校正码的解码校正从所述存储器单元读取的所述数据中的可校正错误。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括响应于确定来自所述读取的所述数据中的所有错误均可经由错误校正码校正而将所述数据提供到处理器。
9.一种从存储器阵列读取数据的方法，所述方法包括：
通过将与所述存储器阵列的存储器单元相关联的值与参考值进行比较而从所述存储器阵列的所述存储器单元读取数据，其中所述读取数据发生在第一等待时间，响应于检测到与所述读取相关联的条件，执行从所述存储器单元中的至少一者的自参考读取，其中所述自参考读取包括将从存储器单元读取的值与从相同存储器单元读取的另一值进行比较，其中所述自参考读取具有不同于所述第一等待时间的第二等待时间，及将读取自所述读取数据和所述自参考读取的数据发送至具有固定等待时间的存储器控制器，其中所述固定等待时间具有大于或等于所述第二等待时间的持续时间。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述条件指示从所述存储器单元读取的所述数据中的错误不可经由错误校正码校正。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述条件指示从所述存储器单元读取的所述数据中的至少一个疑似错误。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述条件指示从所述存储器单元读取的所述数据中的错误数目具有至少阈值错误数目，且其中所述阈值错误数目大于1。
13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括由处理器以可变等待时间从所述存储器阵列存取数据，其中通过所述读取存取的数据具有比通过所述执行所述自参考读取存取的数据低的等待时间。
14.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器单元中的每一者包括经配置以在第一状态中具有与在第二状态中不同的电阻的存储器元件。
15.根据权利要求14所述的方法，其中执行所述自参考读取包括：
在执行所述自参考读取之后，将选定存储器单元编程到所述第一状态；及当将从所述选定存储器单元读取的所述值与从所述选定存储器单元读取的所述另一值进行比较指示所述所比较值中的一者对应于所述第一状态且所述所比较值中的另一者对应于所述第二状态时，将所述选定存储器单元重新编程到所述第二状态。
16.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器单元包括磁性隧穿结自旋扭矩转移磁阻式随机存取存储器MTJ STT-MRAM单元。
17.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：当未检测到所述条件时，经由错误校正码校正从所述存储器单元读取的所述数据中的一或多个错误。
18.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：经由错误校正码校正来自所述读取的所述数据中的错误，且当在所述所校正数据中未检测到错误时，将所述所校正数据提供到处理器。
19.根据权利要求9所述的方法，其中由包括具有电阻式电路元件的存储器单元的参考单元产生所述参考值。
20.一种存储器设备，其包括：
存储器阵列，其包括存储器单元，所述存储器阵列经配置以存储包括数据及对应错误校正码的码字；
错误校正编码器/解码器，其经配置以产生错误校正码以识别码字中的错误，且校正码字中的错误；及
感测电路，其具有第一模式及第二模式，其中仅当码字中的错误经确定为不可校正时激活所述第二模式，所述感测电路包括：
参考电路，其经配置以针对所述第一模式产生参考信号；
自参考电路，其经配置以接收从与第一读取操作相关联的所述存储器阵列的选定存储器单元读取的值，且针对所述第二模式基于所述所接收值而产生自参考信号；及感测输出电路，其经配置以：
执行从与所述第一读取操作相关联的所述存储器阵列的所述选定存储器单元读取的所述值与所述参考信号的第一比较，其中所述第一比较发生在第一等待时间；
执行从与第二读取操作相关联的所述存储器阵列的所述选定存储器单元读取的值与自参考值的第二比较，所述第二读取操作在所述第一读取操作之后发生，其中所述第二比较具有不同于所述第一等待时间的第二等待时间，且其中所述感测输出电路经配置以基于选择信号而执行所述第一比较或所述第二比较；及
基于所述选择信号及所述第一比较或所述第二比较中的至少一者而输出数据数字，其中所述数据以固定等待时间输出，所述数据数字表示存储于所述选定存储器单元中的数据。
21.根据权利要求20所述的存储器设备，其中所述感测输出电路包括经配置以确定所述数据数字的读出放大器。
22.根据权利要求21所述的存储器设备，其中所述感测输出电路进一步包括经配置以基于所述选择信号而将所述参考信号或所述自参考信号提供到所述读出放大器的多路复用器。
23.根据权利要求20所述的存储器设备，其中所述存储器单元包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元。
24.根据权利要求20所述的存储器设备，其中所述错误校正编码器/解码器进一步经配置以校正由所述感测电路读取的所述数据数字中的一或多个错误。
25.根据权利要求24所述的存储器设备，其中所述错误校正编码器/解码器及所述存储器阵列包含于单个裸片上。
26.根据权利要求20所述的存储器设备，其中所述存储器设备进一步经配置以产生指示所述数据数字是否有效的数据就绪信号。
27.一种从存储器阵列读取数据的方法，所述方法包括：
执行标准参考读取操作，所述标准参考读取操作包括通过将与所述存储器阵列的选定存储器单元相关联的值与至少一个参考值进行比较而从所述存储器阵列的所述选定存储器单元读取数据，其中所述选定存储器单元中的每一者包括经配置以在第一状态中具有与在第二状态中不同的电阻的存储器元件，其中所述标准参考读取操作发生在第一等待时间；及
响应于检测到与所述执行所述标准参考读取操作相关联的条件，执行具有与所述标准参考读取操作相比增加的准确度的读取操作以从所述选定存储器单元中的一或多者读取数据，其中具有增加的准确度的所述读取操作具有不同于所述第一等待时间的第二等待时间；及
将读取自所述标准参考读取操作和具有增加的准确度的所述读取操作的数据发送至具有固定等待时间的存储器控制器，其中所述固定等待时间具有大于或等于所述第二等待时间的持续时间。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述具有增加的准确度的读取操作包括从所述选定存储器单元中的相同存储器单元的两个或两个以上读取。
29.根据权利要求27所述的方法，其中所述具有增加的准确度的读取操作涉及与所述标准参考读取操作相比的较高电力消耗。
30.根据权利要求27所述的方法，其中所述具有增加的准确度的读取操作包括自参考读取，其中所述自参考读取包括将从存储器单元读取的值与从相同存储器单元读取的另一值进行比较。
31.根据权利要求27所述的方法，其中所述条件指示在所述标准参考读取操作中从所述存储器单元读取的所述数据中的错误不可经由错误校正码校正。
32.根据权利要求27所述的方法，其中所述存储器阵列包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元。
选择性自参考读取
技术领域
背景技术
具体实施方式
此可减少及/或消除由单元间MTJ电阻的差及/或与存储器阵列中的不同单元相关联的信号路径的电阻的差导致的读取错误，这是因为在比较存储器单元电阻值时使用相同单元及信号路径。实例性自参考读取可涉及(1)执行从存储器单元的标准参考读取，(2)将存储器单元编程到参考状态，(3)读取在参考状态下经编程的存储器单元，且(4)借助差分读出放大器比较来自存储器单元的两个单独读取的值。在此实例中，如果从存储器单元读取的两个值是大约相同的，那么确定存储器单元处于参考状态中。另一方面，在此实例中，如果从存储器单元读取的两个值是充分不同的，那么存储器单元处于非参考状态中且存储器单元随后重写到非参考状态。
存取晶体管224还可具有电耦合到源极线的源极及电耦合到字线的栅极。STT MTJ存储器元件222可模型化为可变电阻器。经由自旋转移改变STT MTJ存储器元件222的状态可在通过STT MTJ存储器元件222的磁性层的电流变为自旋极化且将自旋扭矩赋予在STT MTJ存储器元件222的自由层上时发生。当足够自旋扭矩施加到自由层时，自由层的磁化定向可在两个相反方向之间切换。取决于电流的方向，STT MTJ存储器元件222可在低电阻状态与高电阻状态之间切换。
270的任何组合可连同存储器阵列216中的每一数字线一起提供。
感测电路还经配置以基于选择信号及第一比较或第二比较中的至少一者而输出数据数字。
所述数据数字表示存储于选定存储器单元中的数据。
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