一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法
阅读：716发布：2020-05-12
专利汇可以提供一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 实施例 涉及一种 存储器 装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法。用于感测存储器装置中的多个段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一单元具有高 电阻 状态和低电阻状态，从而产生针对不同电阻状态的不同单元 电流 电平。所述方法包含确定相应段的目标参考电流电平，所述目标参考电流电平中的至少两个彼此不同；用每一段的所述目标参考电流电平产生所述段的参考电流；将每一单元的所述单元电流电平与所述单元所处的所述段的所述参考电流电平进行比较；和基于所述比较，确定所述存储器单元的所述逻辑状态。，下面是一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法专利的具体信息内容。
1.一种用于感测多个存储器段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一段包括至少一个存储器单元，每一单元的所述逻辑状态与和所述单元相关联的参数的值相关，所述方法包括：
确定多个目标参考参数值，每一目标参考参数值用于所述多个存储器段中的相应者，所述多个目标参考参数值中的至少两个是彼此不同的；
产生多个参考参数，每一参考参数与所述存储器段中的相应者相关联并且具有用于所述存储器段的所述目标参考参数值；
将与来自所述存储器段中的每一个的至少一个存储器单元相关联所述参数的所述值与所述存储器段的所述参考参数值进行比较；和
基于所述比较，确定所述多个存储器段中的所述存储器单元的所述逻辑状态。
2.根据权利要求1所述的方法，其中产生多个参考参数包括：
产生第一参考参数；和
修整所述第一参考参数以获得所述多个参考参数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中修整所述第一参考参数包括使用多个修整电路，使用每一修整电路修整所述第一参考参数以获得所述多个参考参数中的相应者。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考参数中的每一个是参考电流，且其中与每一存储器单元相关联的所述参数是穿过所述存储器单元的电流。
5.根据权利要求1所述的方法，其中确定多个目标参考参数值包括对于所述多个段中的每一个：
获得与所述存储器段中的至少一个存储器单元相关联的所述参数的值，其中将所述至少一个存储器单元设置于所述逻辑状态中的每一个中；和
将与处于第一逻辑状态的至少一个存储器单元相关联的所述参数的所述值和与处于第二逻辑状态的至少一个存储器单元相关联的所述参数的所述值之间的值设置为所述目标参考参数值。
6.一种存储器装置，其包括：
第一多个存储器单元；
第二多个存储器单元，
所述第一和第二多个存储器单元中的每一个可在两个状态之间切换并且具有与所述单元相关联的参数，所述参数具有相应地对应于所述两个状态的两个值；参考参数产生器，其被配置成将第一参考参数供应到所述多个第一存储器单元并且将第二参考参数供应到所述第二多个存储器单元，所述第一和第二参考参数具有不同值；和
比较器，其被配置成将与所述多个第一存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第一参考参数进行比较，并且将与所述第二多个存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第二参考参数进行比较。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述多个第一存储器单元形成磁存储器芯片中的第一虚拟段，且所述第二多个存储器单元形成磁存储器芯片中的第二虚拟段。
8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述参考参数产生器包括：
第一参考参数产生器，其被配置成产生第一参考参数；和
修整电路，其适于调整所述第一参考参数以获得所述第一和第二参考参数。
9.一种磁阻随机存取存储器MRAM装置，其包括：
第一多个MRAM单元；
第二多个MRAM单元，
所述MRAM单元中的每一个具有高电阻状态和低电阻状态；
电压供应线，其适于将电压应用于所述MRAM单元中的每一个以致使电流流过所述MRAM单元；
参考电流产生器，其被配置成提供第一参考电流和第二参考电流，所述第一和第二参考电流具有不同量值；和
比较器，其被配置成将流过所述多个第一MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第一参考电流进行比较，并且将流过所述第二多个MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第二参考电流进行比较，并且输出指示所述MRAM单元的所述电阻状态的信号。
10.根据权利要求9所述的MRAM装置，其中所述参考电流产生器包括电流产生器和电流修整电路，所述电流修整电路被配置成调整所述电流产生器产生的所述电流以获得所述第一参考电流和第二参考电流。
一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法
技术领域
背景技术
[0002] 本揭露大体上涉及确定存储于磁存储器装置中的逻辑状态，且更具体来说，涉及设置一参考参数，将对应于存储器装置中的逻辑状态的参数与所述参考参数进行比较以确定逻辑状态。
[0003] 特定类型的存储器装置((例如磁阻随机存取存储器(“MRAM”))取决于例如铁磁性材料的两个或更多个磁性材料层之间的磁化对准状态而具有两个或更多个电阻状态。可将存储器单元的电阻与参考电阻进行比较以确定存储器单元的电阻状态。随着存储器单元的密度增加，对于恰当设置相对于存储器单元的电阻值的参考电阻值的要求变得越来越迫切。
发明内容
[0004] 本发明的一实施例揭露一种用于感测多个存储器段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一段包括至少一个存储器单元，每一单元的所述逻辑状态与和所述单元相关联的参数的值相关，所述方法包括：确定多个目标参考参数值，每一目标参考参数值用于所述多个存储器段中的相应者，所述多个目标参考参数值中的至少两个是彼此不同的；产生多个参考参数，每一参考参数与所述存储器段中的相应者相关联并且具有用于所述存储器段的所述目标参考参数值；将与来自所述存储器段中的每一个的至少一个存储器单元相关联所述参数的所述值与所述存储器段的所述参考参数值进行比较；和基于所述比较，确定所述多个存储器段中的所述存储器单元的所述逻辑状态。
[0005] 本发明的另一实施例揭露一种存储器装置，其包括第一多个存储器单元；第二多个存储器单元，所述第一和第二多个存储器单元中的每一个可在两个状态之间切换并且具有与所述单元相关联的参数，所述参数具有相应地对应于所述两个状态的两个值；参考参数产生器，其被配置成将第一参考参数供应到所述多个第一存储器单元并且将第二参考参数供应到所述第二多个存储器单元，所述第一和第二参考参数具有不同值；和比较器，其被配置成将与所述多个第一存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第一参考参数进行比较，并且将与所述第二多个存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第二参考参数进行比较。
[0006] 本发明的又一实施例揭露一种磁阻随机存取存储器MRAM装置，其包括第一多个MRAM单元；第二多个MRAM单元，所述MRAM单元中的每一个具有高电阻状态和低电阻状态；电压供应线，其适于将电压应用于所述MRAM单元中的每一个以致使电流流过所述MRAM单元；参考电流产生器，其被配置成提供第一参考电流和第二参考电流，所述第一和第二参考电流具有不同量值；和比较器，其被配置成将流过所述多个第一MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第一参考电流进行比较，并且将流过所述第二多个MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第二参考电流进行比较，并且输出指示所述MRAM单元的所述电阻状态的信号。
附图说明
附图说明
[0007] 当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各种构件的尺寸。
[0008] 图1A示出根据一些实施例的存储器阵列和用于存储器阵列的参考修整电路的示意图。
[0009] 图1B示出根据一些实施例的对应于图1A中示出的存储器阵列的两个不同的虚拟段的高电阻状态和低状态的信号以及为所述虚拟段提供的相应参考信号的分布的草图。
[0010] 图2示意性地示出根据一些实施例的为相应阵列提供的多个存储器阵列和参考修整。
[0011] 图3示意性地示出根据一些实施例的各自具有多个虚拟段的多个存储器阵列，以及为相应虚拟段中的每一个提供的参考修整。
[0012] 图4示意性地示出根据一些实施例的各自具有多个虚拟段的多个存储器阵列以及为相应虚拟段中的每一个提供的参考修整，其中所述虚拟段中的一些共享相同修整偏移。
[0013] 图5概述根据一些实施例的用于存储器装置的参考修整的方法。
[0014] 图6A示出根据一些实施例的可用于分段式参考修整的个别参考电流修整电路。
[0015] 图6B示出根据一些实施例的可用于分段式参考修整的另一个别参考电流修整电路。
具体实施方式
[0016] 以下揭露内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例来简化本揭露。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一构件形成于第二构件上方或上可包含第一构件和第二构件直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外构件可形成于第一构件与第二构件之间以使得第一构件和第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0017] 此外，为易于描述，可在本文中使用例如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图中所说明的一个元件或构件相对于另一元件或构件的关系。除了图中所描绘的定向之外，所述空间相对术语还意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的与空间相关的描述词可类似地进行相应解释。
[0018] 本揭露关于用于为确定例如存储器阵列的磁存储器装置的例如电阻等参数的所存储状态提供感测参考的装置和方法。举例来说，这类阵列可为存储器芯片中的存储器单元。举例来说，每一单元可为磁阻随机存取存储器(“MRAM”)单元，或任何其它具有两个或更多个存储状态的包含存储器单元的装置，其中的每一个与不同的可测量参数相关联。
[0019] MRAM是使用磁存储元件存储数据的非易失性随机存取存储器。MRAM将数据存储于具有通过薄绝缘膜分隔开的两个磁性材料叠置层的存储器单元处。层状结构形成MRAM单元的磁性隧道结(“MTJ”或“MTJ元件”)。两个层包含在固定磁场对准方向上永久地磁化的磁性层(此层被称为“钉扎层”)和可变地磁化的磁性层(此层被称为“自由层”)。自由层可址相对于永久性磁化层的两个定向中的一个中磁化。所述两个定向表征为穿过MTJ叠置层的明显不同的串联电阻。可变层的磁场定向可以与永久磁体层(并联)的磁场定向相同或与永久磁体层的磁场定向相反(反并联)的方式对准。并联对准状态具有相对较低电阻且反并联对准状态具有较高电阻。
[0020] MRAM单元的两个状态可从其表示存储于存储器中的位的不同二进制逻辑值的相对较高或较低电阻(RH和RL)感测。举例来说，RL(或高单元电流)可指定为逻辑“1”(“数据-1”)；RH(或低单元电流)可指定为逻辑“0”(“数据-0”)。在某些实施例中，参考电压可应用于MRAM单元，且所得单元电流可用以确定所述单元是处于低电阻状态还是高电阻状态。在某些实施例中，感测放大器可用以将单元电流与参考电流进行比较。
[0021] 参考图1A和1B，根据实施例，例如MRAM芯片的存储器装置100包含例如MRAM单元的存储器单元阵列102。所述单元可虚拟划分成两个或更多个群组。在图1A中展示的实例中，阵列102划分成两个群组：上部群组110和下部群组120。此处，措辞“上部”和“下部”仅出于说明性目的指代图中的群组位置；实际装置中的虚拟群组可具有任何形状并且以与彼此的任何空间关系进行布置。每一单元的单元电流可与参考电流进行比较以确定所述单元的读取(感测)逻辑状态。
[0022] 图1B示出例如上部段110中的存储器单元的特定存储器单元的单元电流分布130的说明性简图。所述分布在此处绘制为直方图，具有沿着水平轴线的单元电流(以任意单位)(或对应于单元电阻的任何其它参数)和落在每一增量电流范围内的所测量电流的数目(或百分比)。因此，在此实例中，数据-0的单元电流处于分布130的较低电流凸起部132内；数据-1的单元电流处于分布130的较高电流凸起部134内。参考电流140(“Ref_Upper”)理想地为两个凸起部132、134之间的设定中点，使得低于参考电流140的单元电流被视为数据-
0，且高于参考电流140的单元电流被视为数据-1。
0，且高于参考电流140的单元电流被视为数据-1。
[0023] 理想地，在阵列102的所有段110、120中的存储器单元将具有相同特性，包含单元电流分布。即，下部段的单元电流分布150与上部段的分布130相同。然而，归因于各种原因，包含制造存储器装置100的制造工艺的可变性，阵列102的某些部分(或段)可具有彼此偏离的电流分布。作为说明性实例，包含图1B中的实例中的数据-0凸起部152和数据-1凸起部154的下部段120的分布150与上部段110的分布130偏离有限量(例如，平均值ΔIR的差)。在此实例中，将单个参考电流用于整个阵列102将导致读取存储器单元的电阻状态的误差。举例来说，对于图1B中示出的实例，将上部段110的参考电流140用于整个阵列102将导致下部段120的一些数据-0被读取为数据-1。即，所述数据部分落在下部段120的数据-0凸起部152下方但对应于比Ref_Upper更大的单元电流，且将被错读为数据-1。
[0024] 根据一些实施例，例如通过调整用于磁存储器单元的每一群组(例如阵列中的每一虚拟段、每一阵列(例如，每一存储器芯片)或多个阵列中的每一虚拟阵列)的参考电流，提供参考修整(调整)。作为实例，如图1B中所示，通过例如参考电流源170(“REF”)的参考参数产生器提供参考电流。通过上部段修整电路180(“TRIM-U”)修整参考电流以获得上部段修整参考Ref_Upper 140；通过下部段修整电路190(“TRIM-L”)修整参考电流以获得下部段修整参考140(“Ref_Lower”)。在此实例中的Ref_Lower高于Ref_Upper达偏移量ΔIR，且因此位于下部段120的单元电流分布150的数据-0凸起部152与数据-1凸起部154之间。因此，可通过针对相应段将单元参数(例如，单元电流)与参考参数(例如，参考电流)进行比较，以较大确定度确定每一段的电阻状态。
[0025] 可通过任何适合电路并且用任何适合方法供应参考参数，例如参考电流。举例来说，可在Chih等人的与本申请案共同转让的第9,165,629 B2号美国专利号美国专利中找到此类电路和方法。第9,165,629B2号美国专利以引用的方式并入本文中。举例来说，参考图6A，MRAM单元610耦合于位线BL与供应线SL之间并且可处于两个状态(对应于高电阻RH或低电阻RL)中的一个中，使得单元610存储一个位的数据。为感测单元610的状态，如图6A中所示应用第一参考电压VREF。在反馈配置中提供在一个输入端子处接收VREF的放大器620，如所示，所述反馈配置具有耦合到另一输入端子的BL。放大器620驱动耦合到BL的NMOS晶体管M1并且使单元电流ICELL穿过单元610。将ICELL与参考电流IREF进行比较，基于耦合到参考位线RBL的一对参考存储器单元630a、630b产生所述参考电流IREF。所述参考对中的一个单元(例如，参考单元630a)设置为RH，且另一单元(例如，参考单元630b)设置为RL。使用提供于反馈配置中的放大器620b将第二参考电压VREF2应用于参考对中的每一单元以驱动如图6A中所示的NMOS晶体管M2。因此，参考电流IRH和IRL相应地流过具有高电阻和低电阻的参考单元
630a、630b，并且将其总和(即，IREF)与ICELL进行比较。可为镜型比较器的感测放大器640接收输入642、644并且产生指示MRAM单元610的状态的感测结果650。
630a、630b，并且将其总和(即，IREF)与ICELL进行比较。可为镜型比较器的感测放大器640接收输入642、644并且产生指示MRAM单元610的状态的感测结果650。
[0026] 归因于工艺变化，参考单元630a、630b的电阻可当那些单元相应地设置为高电阻状态和低电阻状态时发生变化。因此，IREF可偏离目标电平。在测试阶段(用于测试MRAM系统)期间修整(即，调整)VREF2以补偿此类IREF波动。参考电流IREF遵循欧姆定律：IREF＝VREF2/RPAIR，其中RPAIR是参考对630a、630b的电阻。因此，如果RPAIR低于预期，那么作为补偿可将VREF2修整(调整)的更低。因此，形成可靠参考电流，从而增加感测放大器的输出(感测结果650)的可靠性。
[0027] 在图6B中示出用于参考电流修整的替代性电路。在此实例电路中，相应晶体管M9、M10、M11、M12、M13的宽度确定在每一晶体管的源极端子与漏极端子之间传导的电流的量值并且因此确定穿过每一单元630a、630b、610的电流。晶体管M16、M17和19用于选择各个位线中的一个；晶体管M14、M15和M18用于将位线电压箝位。在此实例中，代替调整参考电压，如图6A中实例中所示，可通过额外电流源中的开关，例如通过开关装置(例如，开关晶体管)S1和S2的晶体管M9和M13(和任何额外晶体管)，将流过参考对630a、630b的参考电流IREF＝IRL+IRH与流过MRAM单元610的单元电流ICELL之间的比率修整(调整)为感测放大器640的期望值。
[0028] 在图1A中，每一虚拟段的参考参数示出为由共同参考电流产生器170和相应修整电路TRIM-U 170或TRIM-L 190提供。替代地，可使用各自具有其自身的修整电路的单独参考电流产生器分别修整上部段和下部段110、120的参考电流。在其它实施例中，变量修整电路可连接到所有段并且在每一段被读取时将经修整参考电流提供到所述段。举例来说，图1B中示出的实例中的修整电路TRIM-U 180和TRIM-L 190可为物理上单个变量修整电路，其连接到两个段110、120，并且被配置成当读取上部段110时输出Ref_Upper并且当读取下部段120时输出Ref_Lower。
[0029] 用于参考修整，即，应用适合于相应存储器单元或存储器单元群组的参考参数(例如参考电流)的分段式(或个别化)方法可用于存储器单元的任何物理或虚拟分组。举例来说，参考图2，根据特定其它实施例，可以不同方式修整用于存储器装置200中的物理上相异的存储器阵列210-A、210-B、210-C、210-D的参考电流。在此实例中，通过用于相应存储器阵列210-A、210-B、210-C、210-D的修整电路TRIM-A 280-A、TRIM-B280-B、TRIM-C 280-C和TRIM-D 280-D修整由参考电流产生器270(“REF”)产生的参考参数(例如，电流)。在替代实例中，单个修整电路280可用以可变地修整参考参数并且将经适当修整的参考参数在读取每一存储器阵列时应用于所述阵列。
[0030] 作为另一实例，参考图3，存储器装置300的存储器阵列302、304、306、308可各自具有虚拟段(在此实例中，阵列302中的310-A和310-E、阵列304中的310-B和310-F、阵列306中的310-C和310-G，以及阵列308中的310-D和310-H)，其在彼此偏移的数据-0与数据-1之间具有相应中点。可通过对应修整电路380-A、380-B、380-C、380-D、380-E、380-F、380-G、380-H分别修整参考电流产生器370所产生的参考参数以具有设置为每一段的中点的参考参数。在替代实例中，可使用单个修整电路380可变地修整参考参数并且在读取阵列的每一段时将经适当修整的参考参数应用于所述段。
[0031] 在某些实施例中，可存在其中对于多个存储器阵列，在每一阵列的两个虚拟段的数据-0与数据-1之间的中点之间的相对偏移在阵列当中基本上相同的情况。在此类情况下，可在所有阵列的两个段之间应用固定偏移修整。参考图4，在实例实施例中，存储器装置400的存储器阵列402、404、406、408可各自具有虚拟段(在此实例中，阵列402中的410-A和
410-E、阵列404中的410-B和410-F、阵列306中的410-C和410-G，以及阵列408中的410-D和
410-H)。每一阵列的两个虚拟段(例如，上部段与下部段之间)的数据-0和数据-1之间的中点之间的偏移对于所有阵列为相同的，并且可在阵列当中存在总体偏移。即，可在段410-A、
410-B、410-C和410-D当中存在偏移。在此实例中，修整电路480-A、480-B、480-C、480-D或变量修整电路480可用以修整参考电流产生器470产生的参考参数并且将经修整参考参数应用于相应下部段410-A、410-B、410-C和410-D。另外，固定偏移修整电路490连接于修整电路
480-A、480-B、480-C、480-D或变量修整电路480与相应上部段410-E、410-F、410-G、410-H之间。
410-E、阵列404中的410-B和410-F、阵列306中的410-C和410-G，以及阵列408中的410-D和
410-H)。每一阵列的两个虚拟段(例如，上部段与下部段之间)的数据-0和数据-1之间的中点之间的偏移对于所有阵列为相同的，并且可在阵列当中存在总体偏移。即，可在段410-A、
410-B、410-C和410-D当中存在偏移。在此实例中，修整电路480-A、480-B、480-C、480-D或变量修整电路480可用以修整参考电流产生器470产生的参考参数并且将经修整参考参数应用于相应下部段410-A、410-B、410-C和410-D。另外，固定偏移修整电路490连接于修整电路
480-A、480-B、480-C、480-D或变量修整电路480与相应上部段410-E、410-F、410-G、410-H之间。
[0032] 上文所描述的实例布置可用以提供针对每一段个别化的参考参数，不管虚拟段是阵列的部分还是阵列自身，以用于感测所述段中的存储器单元的逻辑状态。在实例实施例中，如在图5中概述，用于感测存储器单元的逻辑状态的方法500包含确定510目标参考参数，例如相应存储器段的参考电流。举例来说，可多次测量每一段的数据-0和数据-1状态的MRAM单元电阻，例如呈已知偏压电压下方的单元电流形式以确认类似于图1B中示出的电阻或电流分布130、150的电阻或电流分布。可选择数据-0值和数据-1值之间的中点(例如，峰值数据-0值与峰值数据-1值之间或平均数据-0值与平均数据-1值之间的中点)作为目标参考参数。
[0033] 接下来，可产生520例如参考电流的参考参数。举例来说，参考参数的值可选择为在修整电路的修整能力内，即，处于如下电平下：修整电路能够将参考参数从所述电平调整为峰值数据-0值与峰值数据-1值之间的电平中点。举例来说，其可为最大目标参考参数或略微高于目标参考参数的值(在通过减小参考参数执行修整的情况下)。
[0034] 接着修整(调整)530参考参数以获得相应段的经修整参考参数，所述经修整参考参数中的至少两个彼此不同。举例来说，经修整参考参数可为相应段的目标参考参数。可以任何合适方式执行修整。举例来说，可通过个别修整电路进行修整，每一段一个修整电路；或可通过单个变量修整电路进行修整，所述单个变量修整电路将经修整参考参数供应到多个段，其中当读取特定段中的存储器单元时为所述段供应目标参考参数。
[0035] 最后，通过将段中的存储器单元的单元参数(例如穿过MRAM单元的电流)与相应经修整(例如，目标)参考参数(例如相应段的参考电流)进行比较540来实现所述感测。
[0036] 因此，存储器的每一段具有特定于段的参考参数(例如，电阻或电流)以与所述段中的单元参数进行比较。因此，在其中存储器单元的区(虚拟段或阵列)具有相对于存储器的其它区的任何系统性移位或偏移的情境下，可将参考参数大体定位于数据-0和数据-1的中心。
[0037] 因此，本文中揭露的实施例在感测例如MRAM的存储器装置中的存储器单元的逻辑状态时提供改进的可靠性。这类改进在磁存储器装置中的单元密度增加时尤其有利，从而产生较小数据-0/数据-1间距和归因于工艺变化的段当中的相对更显著偏移。
[0038] 一个实施例是一种用于感测多个存储器段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一段各自具有至少一个存储器单元，且每一单元的所述逻辑状态与和所述单元相关联的参数的值相关。所述方法包含确定多个目标参考参数值，每一目标参考参数值用于所述存储器段中的相应者。所述目标参考参数值中的至少两个是彼此不同的。所述方法还包含产生参考参数，每一参考参数与所述存储器段中的相应者相关联并且具有用于所述存储器段的所述目标参考参数值。所述方法另外包含将与来自所述存储器段中的每一个的至少一个存储器单元相关联所述参数的所述值与所述存储器段的所述参考参数值进行比较，并基于所述比较，确定所述多个存储器段中的所述存储器单元的所述逻辑状态。
[0039] 另一实施例是一种存储器装置，其包含第一组存储器单元；第二组存储器单元，其中第一和第二存储器单元群组中的每一个可在两个状态之间切换并且具有与所述单元相关联的参数，所述参数具有相应地对应于所述两个状态的两个值。所述存储器装置还包含参考参数产生器，其被配置成将第一参考参数供应到所述第一组存储器单元并且将第二参考参数供应到所述第二组存储器单元，其中所述第一和第二参考参数具有不同值。所述存储器装置另外包含比较器，其被配置成将与所述第一组存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第一参考参数进行比较，并且将与所述第二组存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第二参考参数进行比较。
[0040] 另一实施例是一种磁阻随机存取存储器(MRAM)装置，其包含第一组MRAM单元和第二组MRAM单元，所述MRAM单元中的每一个具有高电阻状态和低电阻状态。所述MRAM装置还包含电压供应线，其适于将电压应用于所述MRAM单元中的每一个以致使电流流过所述MRAM单元。所述MRAM装置另外包含参考电流产生器，其被配置成提供第一参考电流和第二参考电流，所述第一和第二参考电流具有不同量值。所述MRAM装置另外包含比较器，其被配置成将流过所述所述第一组MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第一参考电流进行比较，并且将流过所述第二组MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第二参考电流进行比较，并且输出指示所述MRAM单元的所述电阻状态的信号。
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