专利汇可以提供一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公布了一种基于纳米二 氧 化 钛 的 电路 板用蚀刻液的制备方法,其中所述蚀刻液包括以下重量百分比的组合物:纳米二氧化钛3.5%~6.5%;三氯化 铁 0.5%~1.2%; 硝酸 0.5%~1.6%;有机 盐酸 2.5%~3.3%;非离子 表面活性剂 1.5%~2.3%;稳定剂0.5%~1.5%;消泡剂3.5%~5.6%;其余为蒸馏 水 。本发明通过在原有工艺的 基础 上新加入了纳米二氧化钛,不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻,显著提高铬金属膜的蚀刻速度,具有蚀刻速度可控性,有效抑制抗蚀保护层的劣化,得到表面平坦光滑的铬金属膜配线,具有重要的应用价值。,下面是一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步:将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为2.5%~3.3%有机盐酸中,搅拌混合,搅拌的速度为50~60转/分钟,搅拌时间为5~7分钟,搅拌温度为10~13℃,然后滤出弱酸性阳离子交换树脂,控制或去除有机盐酸中的杂质离子;
第二步:将重量百分比为2.5~4.5%的纳米二氧化钛和三分之一的蒸馏水到入反应釜中,在常温、常压下充分搅拌,搅拌时间为10~12分钟,搅拌速度为60~70转/分钟,搅拌温度为12~14℃;
第三步:然后加入重量百分比为0.5%~1.2%的三氯化铁,充分搅拌6~7分钟;加入重量百分比为0.5~1.6%的硝酸,充分搅拌5~7分钟;加入三分之一的蒸馏水,充分搅拌4~6分钟;加入重量百分比为2.5~3.3%的有机盐酸,充分搅拌5~7分钟;加入重量百分比为
1.5~2.3%的非离子表面活性剂,充分搅拌4~6分钟;加入重量百分比为0.5~1.5%的稳定剂;加入重量百分比为3.5~5.6%的消泡剂,充分搅拌3~7分钟;最后再加剩余蒸馏水,再搅拌8~10分钟,搅拌速度为45~55转/分钟,搅拌温度均为14~18℃;
第四步:最后将制得的混合物经0.12μm的过滤器过滤,以去除混合物中粒径大于0.12μm的有害粒子,制得所需蚀刻液,其表面张力低为20~40×10-3N/m。
2.如权利要求1所述的一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法,其特征在于,所述硝酸的浓度大于97.5%(重量百分比),所述有机盐酸的浓度大于89%(重量百分比)。
3.如权利要求1所述的一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法,其特征在于,所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。
4.如权利要求1所述的一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法,其特征在于,所述弱酸性阳离子交换树脂为弱酸性苯乙烯阳离子交换树脂。
5.如权利要求1所述的一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法,其特征在于,所述弱酸性阳离子交换树脂与有机盐酸的质量比为0.3~0.5。
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