一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液及其应用
专利汇可以提供一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液及其应用专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种 相变 材料 复合 磨料 的化学机械 抛光 液 ，并用于相变 存储器 件中的Crx-Sb2Te3 相变材料 抛光工艺。由于Crx-Sb2Te3是一种三元金属 合金 ， 薄膜 硬度较低，使用单一磨料容易造成划痕。本发明中的新型复合磨料抛光液能够很好解决薄膜表面划伤问题。该CMP的复合磨料抛光液包括如下组分： 氧 化剂， 表面活性剂 ， 二氧化 硅 及氧化铈磨料，PH调节剂和去离子 水 。其特征在于两种磨料取长补短，产生协同效应对CST薄膜起到的不同作用能够使薄膜去除速率更可控、表面 质量 更好，满足制备相变存储器CMP的需要。，下面是一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液及其应用专利的具体信息内容。
1.一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液，其特征在于：复合磨料抛光液包括如下部分：以抛光液总重量为基准,氧化硅及氧化铈抛光颗粒0.2-50wt％,氧化剂0.001-5wt％,表面活性剂0.01-4wt％，有机添加剂0.01-4wt％，PH调节剂和去离子水。
2.根据权利要求1所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液,其特征在于：所述氧化剂选自过氧化氢、氯化铁或高锰酸钾；所述表面活性剂为阴离子型表面活性剂,选自聚丙烯酸钠、聚氧乙烯醚磷酸酯或十六烷基三甲基溴化铵；所述添加剂为乙酸、或和蚁酸、或和柠檬酸、或和氨基乙酸、或和丁二酸；所述PH调节剂为硝酸、或和氢氧化钾、或和四甲基氢氧化铵。
3.根据权利要求1所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液，其特征在于：所述复合磨料为二氧化硅和二氧化铈抛光颗粒,其粒径范围为40-150nm，其含量比例为1:1。
4.根据权利要求1或2所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液，其特征在于：所述PH调节范围为2-9。
5.根据权利要求1所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液,其特征在于：所述复合磨料颗粒总含量为2-8wt％。
6.根据权利要求1或2所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液,其特征在于：所述氧化剂含量为0.001-4wt％。
7.根据权利要求1或2所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液，其特征在于：所述表面活性剂含量为0.05-2wt％。
8.根据权利要求1或2所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液,其特征在于：所述添加剂含量为0.01-1wt％。
9.一种相变存储器，由权利要求1-8任一项所述的相变材料复合磨料的化学机械抛光液制备得到，其特征在于制备过程如下：
a)在硅衬底上利用磁控溅射沉积一层厚度为1-200nm的底电极钨层，
b)对底电极钨进行化学机械抛光，实现高平坦化，
c)通过光刻对底电极钨进行刻蚀，形成直径10-1000nm的垂直通孔，
d)对刻蚀后的通孔沉积一层厚度为1-200nm的SiO2层，
e)对除去光刻胶后的器件沉积1-200nm的CrxSb2Te3薄膜，其中0
一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液及其应用
技术领域
发明内容
具体实施方式
抛光液1 70.8 0.58
抛光液2 90.5 0.69
抛光液3 108.7 0.72
抛光液4 148.3 0.52
抛光液5 120.5 0.23
抛光液6 118.2 0.61
抛光液7 180.6 1.23
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