用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液
专利汇可以提供用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及用于去除含有背部 晶圆 金属化 层的 光刻 胶 剥离液，包括有机醇胺、极性 有机 溶剂 、 腐蚀 抑制剂 、有机强还原剂、 表面活性剂 ，本发明所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液不含有 水 、氟化物、 氧 化剂、 研磨 颗粒。同时，本发明中所含有的有机强还原剂可与氧气或金属氧化物发生 氧化还原反应 ，阻止氧气对金属的腐蚀，该强还原剂还可以与金属腐蚀缓蚀剂产生协同效应，增强金属基底的保护。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和 半导体 晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，同时不腐蚀晶圆基底材料，特别是不腐蚀晶圆背部金属化层（Ti/Ni/Ag层或Ti/Ni/Au层），操作窗口较大，使用寿命较长。，下面是用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液专利的具体信息内容。
1.用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，其特征在于各组份满足以下质量百分比：有机醇胺
1-75%、极性有机溶剂20-95%、腐蚀抑制剂0.01-15%、有机强还原剂0.01-10%、表面活性剂
0.01-10%。
2.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述各组份质量百分比优选如下：有机醇胺优选5-70%、极性有机溶剂优选30-90%、腐蚀抑制剂优选0.1-10%、有机强还原剂优选0.1-8%、表面活性剂优选0.1-8%。
3.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述有机醇胺较佳的为单乙醇胺、N- 甲基乙醇胺、N，N- 二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、2-氨基乙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺、二甘醇胺中的一种或多种，所述优选单乙醇胺和二甘醇胺中的一种或其混合物。
4.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述极性有机溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺、醇醚中的一种或多种；该亚砜较佳的为二甲基亚砜、甲乙基亚砜中的一种或多种；该砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；该咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；该吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；该酰胺较佳的为二甲基甲酰胺、二乙基甲酰胺、二甲基乙酰胺中的一种或多种；该醇醚较佳的为二乙二醇单丁醚、三乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚，同时，所述极性有机溶剂还包括四氢糠醇、1,4-丁内酯等中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述腐蚀抑制剂为含有氮、氧、硫等原子的有机腐蚀抑制剂，其中较佳的为多元醇类、酚类、唑类、有机羧酸类中的一种或几种，所述多元醇较佳的为乙二醇、1,2-丙二醇、丙三醇、二乙二醇、二丙二醇、赤藓糖醇、木糖醇、山梨糖醇中的一种或几种；所述酚类较佳的为邻苯二酚、4-甲基邻苯二酚、4-叔丁基邻苯二酚、4-羧基邻苯二酚、邻苯三酚、没食子酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、没食子酸正丙酯中的一种或几种；所述唑类较佳的为1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-氨基四唑、苯并咪唑、2-巯基-1-甲基咪唑、巯基-苯并噻唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1-羟基苯并三唑、1-苯基-5-巯基四氮唑中的一种或几种；所述有机羧酸类较佳的为柠檬酸、马来酸、DL-苹果酸和邻苯二甲酸中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述有机强还原剂为羟胺、N,N-二乙基羟胺、盐酸羟胺、硫酸羟胺、水合肼、羟基肼、二羟乙基肼、乙酸肼、草酰肼、肼基甲酸甲酯、苯磺酰肼、甲醛肟、乙醛肟、炔丙醛肟、丙酮肟、甲乙酮肟、葡萄糖肟中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述表面活性剂为氟碳类非离子表面活性剂或双子非离子表面活性剂。
8.用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液的应用，其特征在于先将特定质量百分比组分依次加入容器中，在室温下搅拌溶解，然后将含有光刻胶残留物的晶圆片浸入容器中的混合溶液中，在30℃至100℃下浸泡合适的时间后，取出漂洗，再用高纯氮气吹干。
9.根据权利要求8所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述漂洗步骤包括IPA或NMP润洗，然后去离子水清洗。
用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液
技术领域
背景技术
发明内容
90%、腐蚀抑制剂优选0.1-10%、有机强还原剂优选0.1-8%、表面活性剂优选0.1-8%。所述有机醇胺较佳的为单乙醇胺、N- 甲基乙醇胺、N，N- 二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、2-氨基乙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺、二甘醇胺中的一种或多种，所述优选单乙醇胺和二甘醇胺中的一种或其混合物。所述极性有机溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺、醇醚中的一种或多种；该亚砜较佳的为二甲基亚砜、甲乙基亚砜中的一种或多种；该砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；该咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-
2-咪唑烷酮中的一种或多种；该吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；该酰胺较佳的为二甲基甲酰胺、二乙基甲酰胺、二甲基乙酰胺中的一种或多种；该醇醚较佳的为二乙二醇单丁醚、三乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚，同时，所述极性有机溶剂还包括四氢糠醇、1,4-丁内酯等中的一种或多种。所述腐蚀抑制剂为含有氮、氧、硫等原子的有机腐蚀抑制剂，其中较佳的为多元醇类、酚类、唑类、有机羧酸类中的一种或几种，所述多元醇较佳的为乙二醇、1,2-丙二醇、丙三醇、二乙二醇、二丙二醇、赤藓糖醇、木糖醇、山梨糖醇中的一种或几种；所述酚类较佳的为邻苯二酚、4-甲基邻苯二酚、4-叔丁基邻苯二酚、4-羧基邻苯二酚、邻苯三酚、没食子酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、没食子酸正丙酯中的一种或几种；所述唑类较佳的为1,2,4-三唑、
3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-氨基四唑、苯并咪唑、2-巯基-1-甲基咪唑、巯基-苯并噻唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1-羟基苯并三唑、1-苯基-5-巯基四氮唑中的一种或几种；所述有机羧酸类较佳的为柠檬酸、马来酸、DL-苹果酸和邻苯二甲酸中的一种或几种。所述有机强还原剂为羟胺、N,N-二乙基羟胺、盐酸羟胺、硫酸羟胺、水合肼、羟基肼、二羟乙基肼、乙酸肼、草酰肼、肼基甲酸甲酯、苯磺酰肼、甲醛肟、乙醛肟、炔丙醛肟、丙酮肟、甲乙酮肟、葡萄糖肟中的一种或几种。表面活性剂为氟碳类非离子表面活性剂或双子非离子表面活性剂。
具体实施方式
从表2 可以看出，本发明的光刻胶剥离液对具有背部金属化层（Ti/Ni/Ag层）的LED芯片或半导体晶圆上的光刻胶残余物具有较好的清洗效果，同时不腐蚀晶圆基底和背部金属化层，操作温度范围广，操作窗口大。从对比例1，2，3和实施例7测试结果可以看出，不含有腐蚀抑制剂和还原剂，或者只含有腐蚀抑制剂或还原剂中一种，都会对基底以及背部金属化层，也就是Ti/Ni/Ag层造成变色和腐蚀。腐蚀抑制剂和还原剂成分在配方具有非常明显的协同效应，在清洗过程中，能非常有效的长时间保护基底和背部金属化层不受腐蚀。
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