一种化学机械抛光液
专利汇可以提供一种化学机械抛光液专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种用于3D封装的TSV 硅 抛光 的化学机械 抛光液 ，该抛光液包括 研磨 颗粒，一种或多种 有机酸 速率提升剂，一种或多种含氮化合物和 水 。本发明的抛光液是可以在 碱 性条件下超高速地抛光硅衬底的新型的 化学机械抛光 液，显著提高3D封装中的TSV硅抛光的产率。，下面是一种化学机械抛光液专利的具体信息内容。
1.一种化学机械抛光液在提高硅的去除速率中的应用，该化学机械抛光液包含：研磨颗粒、一种或多种有机酸速率提升剂、一种或多种含氮化合物和水，其中所述含氮化合物为选自1，2，4三氮唑、5-氨基四氮唑、3-氨基四氮唑和聚亚酰胺中的一种或多种，且其中所述有机酸速率提升剂为选自氨基酸，柠檬酸，柠檬酸氢胺，柠檬酸氢二胺，乙二胺四乙酸中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述研磨颗粒的浓度为0.5～10wt％，有机酸速率提升剂的浓度为0.5～10wt％，含氮化合物的浓度为0.05～10wt％，水为余量。
3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述研磨颗粒为氧化硅、氧化铝、氧化铈和/或聚合物颗粒。
4.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述研磨颗粒的尺寸为20～200nm。
5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述研磨颗粒的尺寸为30～100nm。
6.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述抛光液pH值为8.0～12.0。
7.如权利要求6所述的应用，其特征在于，所述抛光液pH值为9.5-11.5。
8.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述抛光液还包括pH调节剂。
9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述pH调节剂选自四甲基氢氧化胺、四乙基氢氧化胺、四丙基氢氧化胺、氨水、氢氧化钾、乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种。
10.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述抛光液还包括选自表面活性剂、稳定剂、抑制剂和杀菌剂中的一种或多种。
一种化学机械抛光液
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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