Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Dünnoxidschichten auf durch Tiegelziehen hergestellten Siliziumsubstraten, wie sie insbesondere zur Fertigung von integrierten Halbleiterschaltungen in der VLSI (= very large scale integration)-Technik verwendet werden, durch einen Oxidations- und Temperprozeß mit mehreren Temperaturzyklen im Bereich zwischen 800 und 900°C.

Beim Übergang von durch Zonenschmelzen auf durch Tiegel­ziehen hergestelltem Silizium-Grundmaterial kommt es bei Anwendung einer Standard-Oxidation bei 900°C in trockener Oxidationsatmosphäre mit und ohne Beimischung von Chlor­wasserstoffgas zu einer wesentlichen Verschlechterung der Durchbruchseigenschaften der so hergestellten dünnen Oxide (7 bis 50 nm). Insbesondere steigt der Anteil von Frühdurchbrüchen und defektbedingten Durchbrüchen bei mittleren Feldstärken. Auch die Ausbeute eines Streßtests, der die Langzeitbelastung unter Betriebsbedingungen simu­liert, ist bei dünnen, unter Standard-Bedingungen erzeug­ten Oxidschichten auf tiegelgezogenem Grundmaterial we­sentlich geringer als auf zonengezogenem Silizium.

Bei der Entwicklung höchstintegrierter Speicher und ande­rer VLSI-Bausteine sind aber sehr dünne Oxidschichten mit sehr guten Durchbruchseigenschaften die Voraussetzung für die Funktion des Bauelements.

Da aus Rationalitätsgründen größere Kristallscheibendurch­ messer in der Fertigung verwendet werden müssen und diese durch Zonenschmelzen nicht herstellbar sind, muß auf tie­gelgezogenes Silizium als Ausgangsmaterial für integrier­te Halbleiterschaltungen übergegangen werden.

Aufgabe der Erfindung ist es, unter Verwendung von durch Tiegelziehen hergestellten Siliziumkristallscheiben als Substrate Dünnoxidschichten herzustellen, die bezüglich ihrer Durchbruchseigenschaften den Anforderungen in der VLSI-Technologie genügen.

Aus einem Bericht von Chiou und Shive aus den Proc. 3rd Int. Symp. on VLSI Science and Technology, Electrochem. Soc. Proc. Vol. 85-5, Seiten 429 bis 435, insbesondere Seiten 432/433, ist bekannt, zur Verbesserung der Qualität von Dünnoxidschichten einen Vorprozeß auf nicht mit Struk­turen versehenen Siliziumkristallscheiben durchzuführen, der mehrere Hochtemperaturzyklen (denuded-zone-process) enthält. Dieser Prozeß, der sehr lange dauert (24 Stun­den) und nicht sehr stabil ist, bringt in bezug auf Aus­beuteverbesserung nicht den gewünschten Erfolg.

In der Halbleiterpraxis sind auch zur Qualitätsverbesse­rung von Dünnoxiden verschiedene Reinigungs- und Schicht­abtragsverfahren bekannt, die aber wegen des hohen Schicht­abtrags und der hohen Temperaturbelastung nicht innerhalb eines VLSI-Gesamtprozesses ausführbar sind und - als Vor­prozeß vor Beginn eines Gesamtprozesses ausgeführt - nicht zu einer wesentlich verbesserten Oxidqualität führen.

Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe durch ein Verfah­ren der eingangs genannten Art dadurch, daß der Oxida­tions- und Temperprozeß in zwei Stufen durchgeführt wird:

• a) einer Oxidationsphase bei 800°C in feuchter Atmosphäre und
• b) einer Temperphase bei 900°C in Inertgasatmosphäre.

Solchermaßen hergestellte Dünnoxide, die mit einer Poly­silizium-Elektrode (d = 300 nm, Phosphor dotiert) verse­hen werden, zeigen auf tiegelgezogenem Silizium gegen­über dem bekannten Oxidationsprozeß bei 900°C in trocke­ner Atmosphäre wesentlich verbesserte Durchbruchseigen­schaften beim Strombelastungstest.

Durch Anwendung des erfindungsgemäßen zweistufigen Oxi­dationsprozesses zur Herstellung von Dünnoxidschichten konnten auf tiegelgezogenem Material gleich gute Ergeb­nisse in bezug auf Durchbruchseigenschaften erzielt wer­den wie bei der bekannten Trockenoxidation auf zonenge­zogenem Material. Die Vergleichstest wurden auf identi­schen Kondensatorflächen durchgeführt. Der Standard-Oxi­dationsprozeß an zonengezogenem Material wurde bei 900°C in einer Sauerstoff-Argon-Atmosphäre mit O₂ : Ar = 1 : 4 und 4 % HCl durchgeführt. Die Schichtdicke des Trocken­oxids betrug 12,4 nm. Das erfindungsgemäße Verfahren wurde mit einer Feuchtoxidation in Sauerstoff/Wasserstoff-­Atmosphäre bei 800°C und anschließender 900°C-Temperung in Stickstoff durchgeführt; die Schichtdicke des Feucht­oxids betrug 8,7 nm.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen; Einzelheiten werden anhand der Figur noch näher erläutert.

Die Figur zeigt das Temperaturprofil zwischen 800 und 900°C bei der Durchführung der erfindungsgemäßen Feucht­oxidation mit anschließender Temperung in sieben Prozeß­schritten. Dabei erfolgen die Prozeßschritte I - VII, die in der Horizontalen aufgetragen sind, mit folgenden Para­metern:

• I Spülen des Oxidationsrohres in einem O₂/HCl_gas -Ge­ misch (10 sltr/min O₂ (= standard Liter pro Minute) und 400 scm³/min HCl) 10 Minuten lang bei 800°C.
• II Einfahren der Substrate in die Oxidationszone in Stickstoff-Atmosphäre (10 sltr/min) 20 Minuten bei 800°C.
• III Feuchtoxidation in O₂/H₂-Gemisch (9 sltr/min O₂ und 2 sltr/min H₂) bei 800°C mit einer Zeitdauer von 15 Minuten für eine Oxidschichtdicke von 8,7 nm.
• IV Temperaturerhöhung (ramp up) auf 900°C in Stick­stoff- oder Argon-Atmosphäre (10 sltr/min) in 10 Minuten.
• V Temperung bei 900°C in Stickstoff- oder Argon-­Atmosphäre (10 sltr/min) 15 Minuten lang.
• VI Absenken der Temperatur (ramp down) auf 800°C in Stickstoff- oder Argon-Atmosphäre (10 sltr/min) während einer Zeitdauer von 30 Minuten und
• VII Ausfahren der Substrate aus der Temperzone in Stickstoff-Atmosphäre (10 sltr/min) bei 800°C in 20 Minuten.