专利汇可以提供一种逆变器母线端子的局部电镀工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 揭示了一种逆变器 母线 端子 的局部电 镀 工艺,包括步骤为: 硅 胶套制备,前处理,氰 铜 , 电镀 镍,镀 银 ,后处理。本发明提供一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,有效实现对端子的局部防护,确保局部电镀工艺的可行性,同时优化工艺流程,提升镀层的均匀性及抗 腐蚀 性。,下面是一种逆变器母线端子的局部电镀工艺专利的具体信息内容。
1.一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于包括如下步骤:
a、硅胶套制备:将甲基乙烯基硅橡胶,二氧化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐依次加入开炼机中进行混炼,然后将混炼好的硅胶料压入模具中形成硅胶套;
b、前处理:对待加工的母线端子表面进行除油脱脂操作;
c、氰铜:对前处理后的母线端子进行氰铜操作,采用氰铜溶液:氰化钾:15-30g/l 、氰化亚铜:40-60g/l,控制温度为50-60℃,时间为2-4min,电流密度为1-2ASD,然后用常温水洗;
d、电镀镍:将步骤a制备的硅胶套套装在母线端子的铆压位置,并对其余部位进行镀镍操作,镀液为Ni2+:50-80g/l、硼酸:30-50g/l、氯化镍:10-20g/l,镀液PH值为4.0-4.8,温度为50-65℃;电流密度为1-2ASD;然后常温水洗;
e、镀银:镀镍完成后进行镀银操作,度液为:Ag+:7-15g/l、KCN:90-120g/l,电流密度为
0.5-1ASD,温度为28-32℃,然后常温水洗;
f、后处理:镀银完成后拆除硅胶套,然后进行烘干,得到成品。
2.根据权利要求1所述的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于:所述步骤a中甲基乙烯基硅橡胶,二氧化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐的百分配比为:基乙烯基硅橡胶65 70%,二氧化硅25 33%,高羟基硅油1 3%,硬脂酸金属盐0.1 0.5%。
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3.根据权利要求1所述的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于:所述步骤b的前处理步骤具体为:
b1、采用超声波对母线端子进行清洗除油,超声波清洗溶液使用的是表面活性剂乳化液,溶液温度为 80℃,时间 5min;
b2、第一次水洗:利用常温水对除油后的母线端子进行清洗,去除表面的超声波清洗溶液;
b3、电解脱脂:将母线端子加入电解脱脂剂中进行电解脱脂,控制电解脱脂温度为50~
60℃,时间为2 3min,电流密度为1-2ASD,然后进行水洗,进一步祛除表面的灰尘和油脂;
~
b4、第二次水洗:利用常温水对电解脱脂后的母线端子进行清洗,去除表面的电解液;
b5、活化:采用NiCl2对母线端子进行活化处理,活化电流为 35-45A,活化时间为10-
30s,活化后进行水洗。
4.根据权利要求1所述的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于:所述步骤f中的烘干温度为100-140℃。
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