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一种逆变器母线端子的局部电工艺

阅读:81发布:2020-05-08

专利汇可以提供一种逆变器母线端子的局部电工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 揭示了一种逆变器 母线 端子 的局部电 镀 工艺,包括步骤为: 硅 胶套制备,前处理,氰 铜 , 电镀 镍,镀 银 ,后处理。本发明提供一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,有效实现对端子的局部防护,确保局部电镀工艺的可行性,同时优化工艺流程,提升镀层的均匀性及抗 腐蚀 性。,下面是一种逆变器母线端子的局部电工艺专利的具体信息内容。

1.一种逆变器母线端子的局部电工艺,其特征在于包括如下步骤:
a、胶套制备:将甲基乙烯基硅橡胶化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐依次加入开炼机中进行混炼,然后将混炼好的硅胶料压入模具中形成硅胶套;
b、前处理:对待加工的母线端子表面进行除油脱脂操作;
c、氰:对前处理后的母线端子进行氰铜操作,采用氰铜溶液:氰化:15-30g/l 、氰化亚铜:40-60g/l,控制温度为50-60℃,时间为2-4min,电流密度为1-2ASD,然后用常温洗;
d、电镀镍:将步骤a制备的硅胶套套装在母线端子的铆压位置,并对其余部位进行镀镍操作,镀液为Ni2+:50-80g/l、酸:30-50g/l、氯化镍:10-20g/l,镀液PH值为4.0-4.8,温度为50-65℃;电流密度为1-2ASD;然后常温水洗;
e、镀:镀镍完成后进行镀银操作,度液为:Ag+:7-15g/l、KCN:90-120g/l,电流密度为
0.5-1ASD,温度为28-32℃,然后常温水洗;
f、后处理:镀银完成后拆除硅胶套,然后进行烘干,得到成品。
2.根据权利要求1所述的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于:所述步骤a中甲基乙烯基硅橡胶,二氧化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐的百分配比为:基乙烯基硅橡胶65 70%,二氧化硅25 33%,高羟基硅油1 3%,硬脂酸金属盐0.1 0.5%。
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3.根据权利要求1所述的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于:所述步骤b的前处理步骤具体为:
b1、采用声波对母线端子进行清洗除油,超声波清洗溶液使用的是表面活性剂乳化液,溶液温度为 80℃,时间 5min;
b2、第一次水洗:利用常温水对除油后的母线端子进行清洗,去除表面的超声波清洗溶液;
b3、电解脱脂:将母线端子加入电解脱脂剂中进行电解脱脂,控制电解脱脂温度为50~
60℃,时间为2 3min,电流密度为1-2ASD,然后进行水洗,进一步祛除表面的灰尘和油脂;
~
b4、第二次水洗:利用常温水对电解脱脂后的母线端子进行清洗,去除表面的电解液;
b5、活化:采用NiCl2对母线端子进行活化处理,活化电流为 35-45A,活化时间为10-
30s,活化后进行水洗。
4.根据权利要求1所述的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,其特征在于:所述步骤f中的烘干温度为100-140℃。

说明书全文

一种逆变器母线端子的局部电工艺

技术领域

[0001] 本发明涉及胶领域,尤其涉及一种逆变器母线端子的局部电镀工艺。

背景技术

[0002] 在汽车零部件的电镀工艺中,一些端子(电源逆变器母线端子)需要进行电镀处理,由于其结构带有接触端子,这个端子在使用时需要进行铆压操作,如果就那些整体电镀就会使得端子表面存在一个镀层,从而导致端子部分增厚,在铆压时导致镀层开裂的情况,从而使得整体报废,为此在实际生产过程中,需要对端子部分不进行电镀处理,这就需要一种局部电镀工艺。
[0003] 目前最常见的做法就是全部电镀,然后再进行退镀处理,这无疑增加了电镀工序,而且也难以确保退镀的彻底性,也有一些厂家会采用遮蔽胶带以及喷涂的方式进行局部镀,然而对于电源逆变器端子,其需要遮蔽的位置为阶梯式,这就导致常规的遮蔽方式会存在电镀液渗漏的险,无法确保局部电镀的可行性,此外现有的电镀工艺不完善,导致镀层外观的均一性和光泽性低,镀层的孔隙率大,容易出现点腐蚀从而引发大规模的端子腐蚀。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于克服现有技术缺陷,提供一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,有效实现对端子的局部防护,确保局部电镀工艺的可行性,同时优化工艺流程,提升镀层的均匀性及抗腐蚀性。
[0005] 为实现上述目的,本发明提出如下技术方案:一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,包括如下步骤:
a、硅胶套制备:将甲基乙烯基硅橡胶化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐依次加入开炼机中进行混炼,然后将混炼好的硅胶料压入模具中形成硅胶套;
b、前处理:对待加工的母线端子表面进行除油脱脂操作;
c、氰:对前处理后的母线端子进行氰铜操作,采用氰铜溶液:氰化:15-30g/l 、氰化亚铜:40-60g/l,控制温度为50-60℃,时间为2-4min,电流密度为1-2ASD,然后用常温洗;
d、电镀镍:将步骤a制备的硅胶套套装在母线端子的铆压位置,并对其余部位进行镀镍操作,镀液为Ni2+:50-80g/l、酸:30-50g/l、氯化镍:10-20g/l,镀液PH值为4.0-4.8,温度为50-65℃;电流密度为1-2ASD;然后常温水洗;
e、镀:镀镍完成后进行镀银操作,度液为:Ag+:7-15g/l、KCN:90-120g/l,电流密度为
0.5-1ASD,温度为28-32℃,然后常温水洗;
f、后处理:镀银完成后拆除硅胶套,然后进行烘干,得到成品。
[0006] 优选的,所述步骤a中甲基乙烯基硅橡胶,二氧化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐的百分配比为:基乙烯基硅橡胶65 70%,二氧化硅25 33%,高羟基硅油1 3%,硬脂酸金属盐~ ~ ~0.1 0.5%。
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[0007] 优选的,所述步骤b的前处理步骤具体为;b1、采用声波对母线端子进行清洗除油,超声波清洗溶液使用的是表面活性剂乳化液,溶液温度为 80℃,时间 5min;
b2、第一次水洗:利用常温水对除油后的母线端子进行清洗,去除表面的超声波清洗溶液;
b3、电解脱脂:将母线端子加入电解脱脂剂中进行电解脱脂,控制电解脱脂温度为50~
60℃,时间为2 3min,电流密度为1-2ASD,然后进行水洗,进一步祛除表面的灰尘和油脂;
~
b4、第二次水洗:利用常温水对电解脱脂后的母线端子进行清洗,去除表面的电解液;
b5、活化:采用NiCl2对母线端子进行活化处理,活化电流为 35-45A,活化时间为10-
30s,活化后进行水洗。
[0008] 优选的,所述步骤f中的烘干温度为250 300℃。~
[0009] 与现有技术相比,本发明揭示的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,通过制备硅胶套确保局部保护性能,同时对工艺流程进行优化,提升镀层的均匀性及抗腐蚀性。

具体实施方式

[0010] 下面将结合具体内容对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。
[0011] 本发明所揭示的一种逆变器母线端子的局部电镀工艺,具体包括如下步骤:a、硅胶套制备:将甲基乙烯基硅橡胶,二氧化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐按照一定百分比依次加入开炼机中,启动开炼机,调整开炼机辊筒速比为1 .2~1 .3,快辊在后,辊筒内通入30~40℃的冷却水,进行混炼,混炼初期辊距为1~2mm,混炼中期辊距为2~4mm,混炼后期辊距为4~5mm,混炼时间为20~40min;然后将混炼好的硅胶料压入模具中形成硅胶套;
b、前处理:对待加工的母线端子表面进行除油脱脂操作具体为:
b1、采用超声波对母线端子进行清洗除油,超声波清洗溶液使用的是表面活性剂乳化液,溶液温度为 80℃,时间 5min;
b2、第一次水洗:利用常温水对除油后的母线端子进行清洗,去除表面的超声波清洗溶液;
b3、电解脱脂:将母线端子加入电解脱脂剂中进行电解脱脂,控制电解脱脂温度为50~
60℃,时间为2 3min,电流密度为1-2ASD,然后进行水洗,进一步祛除表面的灰尘和油脂;
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b4、第二次水洗:利用常温水对电解脱脂后的母线端子进行清洗,去除表面的电解液;
b5、活化:采用NiCl2对母线端子进行活化处理,活化电流为 35-45A,活化后进行水洗。
[0012] c、氰铜:对前处理后的母线端子进行氰铜操作,采用氰铜溶液:氰化钾:15-30g/l 、氰化亚铜:40-60g/l,控制温度为50-60℃,时间为2-4min,电流密度为1-2ASD,然后用常温水洗;d、电镀镍:将步骤a制备的硅胶套套装在母线端子的铆压位置,并对其余部位进行镀镍操作,镀液为Ni2+:50-80g/l、硼酸:30-50g/l、氯化镍:10-20g/l,镀液PH值为4.0-4.8,温度为50-65℃;电流密度为1-2ASD;然后常温水洗;
e、镀银:镀镍完成后进行镀银操作,度液为:Ag+:7-15g/l、KCN:90-120g/l,电流密度为
0.5-1ASD,温度为28-32℃,然后常温水洗;
f、后处理:镀银完成后拆除硅胶套,然后进行烘干操作,控制烘干温度为250 300℃,得~
到成品。
[0013] 所述步骤a中甲基乙烯基硅橡胶,二氧化硅,高羟基硅油及硬脂酸金属盐的百分配比为:基乙烯基硅橡胶65 70%,二氧化硅25 33%,高羟基硅油1 3%,硬脂酸金属盐0.1 0.5%。~ ~ ~ ~
[0014] 本发明的技术内容及技术特征已揭示如上,然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰,因此,本发明保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本发明的替换及修饰,并为本专利申请权利要求所涵盖。
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