技术领域
[0001] 本实用新型属于有源
相控阵及雷达通信系统领域，尤其涉及一种天线互联单元。
背景技术
[0002] 由于考虑到工程的实现性，大部分有源相控阵天线均采用均匀排布的方式来获得相应的性能指标。当系统要求相控阵天线具有很高的
角度
分辨率和更高的
跟踪精度时，扩大相控阵天线的阵列孔径是一个最有效的手段，但是受栅瓣条件约束，采用均匀间隔布阵的间距受限，这就需要相当多的有源通道数，从而造成相控阵天线造价高。
[0003] 目前，国内的相控阵天线普遍采用砖
块式的结构，这样的结构会带来纵向尺寸过大的问题，无法满足小型化、集成度高的有源相控阵天线的需求。因此，更薄、更轻便的瓦片式相控阵天线便应运而生。
[0004] 但是，在毫米波相控阵天线设计中，T/R组件与天线阵列之间的互联方式通常采用SMP接头进行互联，即模块输出口SMP-KK接头-天线输入口SMP的方式，毫米波段的SMP接头和KK接头成本较高且体积过大，用于瓦片式相控阵天线的设计中，无法达到小型化，轻量化的要求。实用新型内容
[0005] 本实用新型的目的在于克服
现有技术中所存在的上述不足，提供一种本实用新型的瓦片式相控阵模块天线互联装置的技术方案为：
[0006] 一种天线互联单元，其特征在于，包括天线连接子块和T/R组件连接子块，所述天线连接子块包括第一避让孔和第一
焊接孔，所述T/R组件连接子块包括第二避让孔和第二焊接孔；其中，
[0007] 所述天线连接子块与所述T/R组件连接子块紧密结合，所述第一避让孔与所述第二焊接孔对齐，所述第二避让孔与所述第一焊接孔对齐，并且所述第一焊接孔与所述第二焊接孔呈电性连接。
[0008] 根据一种具体的实施方式，所述天线连接子块和所述T/R组件连接子块之间设置有导电层，所述导电层为ACF导电
薄膜。
[0009] 根据一种具体的实施方式，在所述天线连接子块中，沿所述第一焊接孔至所述第一避让孔的方向上，所述第一焊接孔延伸形成第一微带金属连接段；
[0010] 在所述T/R组件连接子块中，沿所述第二焊接孔至所述第二避让孔的方向上，所述第二焊接孔延伸形成第二微带金属连接段；
[0011] 所述第一微带金属连接段和所述第二微带金属连接段分别与所述导电层导电
接触，从而使所述第一焊接孔与所述第二焊接孔呈电性连接。
[0012] 根据一种具体的实施方式，所述第一微带金属连接段的长度大于所述第一焊接孔与所述第一避让孔之间距离的二分之一；
[0013] 所述第二微带金属连接段的长度大于所述第二焊接孔与所述第二避让孔之间距离的二分之一。
[0014] 根据一种具体的实施方式，所述第一微带金属连接段的中间部分具有第一阻抗匹配部，并且所述第一阻抗匹配部的宽度与所述第一微带金属连接段其余部分的宽度不相等；
[0015] 所述第二微带金属连接段的中间部分具有第二阻抗匹配部，并且所述第二阻抗匹配部的宽度与所述第二微带金属连接段其余部分的宽度不相等。
[0016] 根据一种具体的实施方式，沿所述天线连接子块和所述T/R组件连接子块的边缘分别设置有
金属化过孔
围栏，用于隔离天线互联单元之间的串扰。
[0017] 与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
[0018] 基于瓦片式有源相控阵中运用SMP接头将T/R组件与天线连接起来的方式无法实际达到低成本、小型化和轻量化的要求，本实用新型通过设置天线连接子块、T/R组件连接子块以及在天线连接子块和T/R组件连接子块之间设置一层导电层的结构，从而使天线连接子块上的第一焊接孔与T/R组件连接子块上的第二焊接孔实现电连接，从而有效地解决了T/R组件与天线的现有连接方式，成本高和体积大的技术问题。同时本实用新型生产组装方便快捷，具有很好的实用性。
附图说明
[0019] 图1是本实用新型天线连接子块和T/R组件连接子块的示意图；
[0020] 图2是本实用新型天线连接子块阵列和T/R组件连接子块组阵示意图；
[0021] 图3是本实用新型的天线互联单元阵列的ACF导电薄膜示意图；
[0022] 附图标记列表
[0023] 1：天线连接子块 2：T/R组件连接子块 3：金属化过孔围栏 11：第一避让孔[0024] 12：第一焊接孔 13：第一微带金属连接段 14：第一阻抗匹配部 21：第二避让孔
[0025] 22：第二焊接孔 23：第二微带金属连接段 24：第二阻抗匹配部具体实施方式
[0026] 下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的
实施例，凡基于本实用新型内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。
[0027] 结合图1所示的本实用新型天线连接子块和T/R组件连接子块的示意图；本实用新型的天线互联单元包括天线连接子块1和T/R组件连接子块2。其中，天线连接子块1包括第一避让孔11和第一焊接孔12，T/R组件连接子块2包括第二避让孔21和第二焊接孔22。
[0028] 天线连接子块1与T/R组件连接子块2紧密结合，第一避让孔11与第二焊接孔22对齐，第二避让孔21与第一焊接孔12对齐，并且第一焊接孔12与第二焊接孔22呈电性连接。
[0029] 具体的，天线连接子块1和T/R组件连接子块2之间设置有导电层，本实用新型中的导电层为ACF导电薄膜，ACF导电薄膜的特性是经过它的
电流只会纵向传输，而不会横向传输。
[0030] 在天线连接子块1中，沿第一焊接孔12至第一避让孔11的方向上，第一焊接孔12延伸形成第一微带金属连接段13。
[0031] 在T/R组件连接子块2中，沿第二焊接孔22至第二避让孔21的方向上，第二焊接孔22延伸形成第二微带金属连接段23。
[0032] 第一微带金属连接段13和第二微带金属连接段23分别与所述导电层导电接触，从而使第一焊接孔12与第二焊接孔22呈电性连接。将天线与第一焊接孔电连接，再将T/R组件与第二焊接孔电连接，即实现天线与T/R组件的电连接。
[0033] 具体的，第一微带金属连接段13的长度大于第一焊接孔12与第一避让孔11之间距离的二分之一。第二微带金属连接段23的长度大于第二焊接孔22与第二避让孔23之间距离的二分之一。
[0034] 并且，第一微带金属连接段13的中间部分具有第一阻抗匹配部14，第一阻抗匹配部14的宽度与第一微带金属连接段13其余部分的宽度不相等。
[0035] 第二微带金属连接段23的中间部分具有第二阻抗匹配部24，第二阻抗匹配部24的宽度与第二微带金属连接段23其余部分的宽度不相等。
[0036] 图1中的所示出的第一阻抗匹配部14和第二阻抗匹配部24，它们的宽度分别大于第一微带金属连接段13和第二微带金属连接段23其余部分的宽度。实际上，由于天线的不同，某些天线只有在阻抗匹配部的宽度小于微带金属连接段时，才能形成阻抗匹配。
[0037] 本实用新型中，通过设置微带金属连接段有利于增加电性连接的面积，提供天线与T/R组件的连接
稳定性，同时还设置阻抗匹配部，以获得更好的阻抗匹配。
[0038] 而且，本实用新型中，沿着天线连接子块和T/R组件连接子块的边缘分别设置有金属化过孔围栏3，用于隔离天线互联单元之间的串扰，从而进一步提高本实用新型的实用性。
[0039] 结合图2所示的本实用新型天线连接子块阵列和T/R组件连接子块组阵示意图；其中，具有相同数量的天线连接子块1和T/R组件连接子块2分别设置在形状相同的两个板状结构上，并构成天线连接子块阵列和T/R组件连接子块组阵。
[0040] 具体的，天线连接子块阵列上的天线连接子块1的排布状态与T/R组件连接子块阵列上T/R组件连接子块2的排布状态一致，即天线连接子块阵列和T/R组件连接子块阵列完全重合并紧密接触在一起时，天线连接子块阵列上的每一个天线连接子块1均对应与T/R组件连接子块阵列上的一个T/R组件连接子块2结合。
[0041] 同时，在天线连接子块阵列和T/R组件连接子块阵列上，天线连接子块1之间还设置有金属化过孔围栏，T/R组件连接子块2之间还设置有金属化过孔围栏3。
[0042] 结合图3所示的本实用新型的天线互联单元阵列的ACF导电薄膜示意图；其中，ACF导电薄膜与图2中所示的板状结构的形状相同，将ACF导电薄膜设置在天线连接子块阵列和T/R组件连接子块阵列之间，使对应结合的天线连接子块和T/R组件连接子块能够实现电性连接。
[0043] 本实用新型通过设置天线连接子块、T/R组件连接子块以及在天线连接子块和T/R组件连接子块之间设置一层导电层的结构，从而使天线连接子块上的第一焊接孔与T/R组件连接子块上的第二焊接孔实现电连接，从而使成本更低、体积更小型化和重量更轻量化。同时本实用新型生产组装方便快捷，具有很好的实用性。
[0044] 需要注意的是，上述具体实施例是示例性的，本领域技术人员可以在本实用新型公开内容的启发下想出各种解决方案，而这些解决方案也都属于本实用新型的公开范围并落入本实用新型的保护范围之内。本领域技术人员应该明白，本实用新型
说明书及其附图均为说明性而并非构成对
权利要求的限制。本实用新型的保护范围由权利要求及其等同物限定。
