| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 具有压缩应力层的光学元件 | CN202180053882.6 | 2021-10-04 | CN116018531A | 2023-04-25 | 桃野净行; 二野宫晟大 |
| 本发明，提供了一种压制成型性优良，具有所需的压缩应力以及压缩层的深度，且耐热冲击性优良的光学元件。该光学元件，在表面具有压缩应力层，压缩应力层的压缩应力为100～1000MPa，压缩应力层的深度为10～100μm，logη＝8.5(粘性)时的温度小于700℃。 | ||||||
| 2 | 一种轴压圆筒许用压缩应力设计方法 | CN202210475360.1 | 2022-04-29 | CN114896724A | 2022-08-12 | 陈志平; 焦鹏; 缪好; 欧海洋; 朱尧 |
| 本发明涉及压力容器和核工程主承力构件的稳定性设计领域，公开了一种新的轴压圆筒许用压缩应力设计方法。通过引入弹塑性影响参数和圆筒结构特征参数，获得不同屈曲失效模式下轴压圆筒的屈曲临界应力值和考虑初始缺陷影响的屈曲临界应力折减因子。同时，给出了轴压圆筒的设计安全系数，提出了新的轴压圆筒许用压缩应力计算流程。相较于已有方法，本发明提高了计算精度，减少了设计冗余；计算公式更直接，避免了切线模量的迭代计算，设计过程简便、高效，具有一定先进性；同时，具有足够的安全裕度。对于促进工程中轴压圆筒的大型化和轻量化发展具有重要意义。 | ||||||
| 3 | 具有高压缩应力的可离子交换玻璃 | CN201280033023.1 | 2012-06-26 | CN103648996B | 2017-12-22 | M·J·德内卡; A·J·艾利森; J·C·莫罗 |
| 一种具有高压缩应力层的铝硅酸盐玻璃制品。所述玻璃制品包括至少约50摩尔%SiO2和至少约11摩尔%Na2O，且具有处于至少约900MPa压缩应力下的层，以及从该玻璃制品的表面延伸进入该玻璃的层深度为至少约30微米。还提供一种制备这种玻璃制品的方法。所述玻璃优选包含至少50摩尔％SiO2、7摩尔%‑26摩尔%Al2O3；0摩尔%‑9摩尔%B2O3；11摩尔%‑25摩尔%Na2O；0摩尔%‑2.5摩尔%K2O；0摩尔%‑8.5摩尔%MgO；以及0摩尔%‑1.5摩尔%CaO。 | ||||||
| 4 | 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法 | CN201110374168.5 | 2006-05-18 | CN102437053A | 2012-05-02 | M·柏西留; 谢利群; V·佐布库夫; 舍美叶; I·罗弗劳克斯; H·姆塞德 |
| 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。 | ||||||
| 5 | 能够使熔覆层产生压缩应力的合金粉 | CN200610013228.X | 2006-02-28 | CN1810418A | 2006-08-02 | 王文先; 霍立兴; 王东坡; 张中平; 张玉凤; 荆洪阳 |
| 本发明公开了一种能够使熔覆层产生压缩应力的合金粉。其组成及质量百分比含量(％)为：Cr＝6.0～12.0、Ni＝5.0～11.0、Mn＝0.5～1.8、Mo＝0.1～0.9、Nb＝0.1～0.9、Ti＝0.1～0.9、Si＝0.1～0.9、其余为Fe。合金粉粒度直径为50～200微米。其熔化凝固后合金材料的固态相变点温度范围100～300℃，组织为马氏体组织和奥氏体组织，组织含量分别为50～90％和50～10％。本发明用于提高钢铁材料或机械结构与装备的疲劳性能以及抗应力腐蚀能力，提高他们的安全性能和使用寿命。利用这些方法和材料还可以制造材料表面具有压缩应力的复合材料产品，具有巨大的经济效益和社会效益。 | ||||||
| 6 | 铁磁材料的压缩应力检测方法 | CN202311744670.X | 2023-12-18 | CN117949117A | 2024-04-30 | 张富臣; 刘小平; 牛向平 |
| 一种铁磁材料的压缩应力检测方法，包括以下步骤：S1、以预定频率和电压的交流磁场H对待测工件进行交流磁化，并获得检测线圈检测过程中的实时电压值U(t)；S2、根据U(t)，及安培环路定律获得磁感应强度B(t)，其中，NB为检测线圈匝数，SB为磁通路的横截面积；S3、根据B(t)，获得磁特征参数Bmax，Bmax为B(t)的最大值；S4、根据Bmax，以及事先标定的待测工件所属材质的Bmax与所受压缩应力σ之间的定量关联关系，即Bmax与σ之间成线性关系，Bmax＝Kσ+C，获得待测工件所受压缩应力σ。 | ||||||
| 7 | 能够实现高压缩应力的玻璃组合物 | CN201980051886.3 | 2019-07-30 | CN112533881A | 2021-03-19 | T·M·格罗斯 |
| 碱性铝硅酸盐玻璃，其可以经过离子交换实现超高的峰值压缩应力。所述玻璃可经过离子交换来实现至少约1000MPa以及高至约1500MPa的峰值压缩应力。高的峰值压缩应力为具有浅的瑕疵尺寸分布的玻璃提供了高的强度。这些玻璃具有高的杨氏模量，这对应于高的断裂韧度和改进的失效强度，并且适于在使用时经历显著弯曲应力的高强度盖板玻璃应用，例如，用作挠性显示器的盖板玻璃。 | ||||||
| 8 | 用于向陶瓷材料施加压缩应力的膜 | CN201880046378.1 | 2018-06-22 | CN111094205A | 2020-05-01 | R·K·辛格; D·辛格 |
| 本发明涉及用于向衬底提供压缩应力的方法，其包含在沉积温度(Td)下在陶瓷衬底上沉积膜以形成制品，在Td下，所述膜的热膨胀系数CTE相对于所述陶瓷衬底的CTE的差值为至少1.0×10-6/K并且折射率差值>0.10。通过将所述温度从Td降低或升高以达到与Td相差至少100℃的经过改变的温度(Tc)来在组成、相和微结构中的至少一个方面转换所述膜的厚度的至少一部分。膜转换条件产生这样的经过转换的膜部分：在所述Tc下，所述经过转换的膜的折射率与所述陶瓷衬底的折射率之间的差值≤|0.10|。然后将所述制品的所述温度降低到室温。 | ||||||
| 9 | 用于在球中产生残余压缩应力的设备 | CN201610968160.4 | 2016-10-31 | CN106868277B | 2019-11-01 | 内森·希普韦尔; 罗纳德·拉多维奇; 约翰·罗斯; 布莱恩·A·麦考伊 |
| 本发明涉及一种用于向第一组多个球的至少表面部分施予残余压缩应力的设备，该设备包括：第一主体，第一主体具有第一表面，第一表面包括光滑接触部分，光滑接触部分基本平坦或外凸，且表面硬度大于或等于球的初始表面硬度。该设备还包括第二主体，第二主体具有第二表面，第一表面在第二表面上方；和至少一个驱动装置，至少一个驱动装置与第一主体或与第二主体驱动连接，至少一个驱动装置被构造成使第一主体和第二主体中的一者在基本固定的距离处相对于另一主体运动，至少一个驱动装置还被构造成用力使第一主体向第二主体移动或者用力使第二主体朝向第一主体移动。 | ||||||
| 10 | 便携式压缩应力应变特性测试仪 | CN201711270133.0 | 2017-12-05 | CN107782624A | 2018-03-09 | 方芳芳; 陈亚阳 |
| 便携式压缩应力应变特性测试仪，涉及纺织检测机械。设有主机身、压力传感器、前加强筋、后加强筋、机头功能箱、位移LED显示器、力值LED显示器、悬臂、试样台、上压盘、下压盘、旋转手柄和提手；所述主机身为倒L形主机身，L形主机身上部分和悬臂的左端咬合在一起，L形主机身下部分由试样台的左端承托；所述主机身上表面安装有位移LED显示器和力值LED显示器，主机身前表面左下方安装有电源插孔。改变使用传统设备测试压缩应力应变特性过程中存在的上述各种弊端，用一种便携式压缩应力应变特性测试仪代替现有设备测试三维经编间隔织物的压缩应力应变特性。 | ||||||
| 11 | 用于半导体的拉伸及压缩应力材料 | CN200580038908.0 | 2005-11-10 | CN101088150B | 2013-02-13 | 米哈拉·巴尔塞努; 郑起范; 黄丽华李; 夏立群; 王荣平; 蒂瑞克·R·威蒂; 莱维斯·斯蒂恩; 马丁·J·西蒙斯; 希琴·姆塞德; 迈克尔·C·克蔓 |
| 在基板上形成应力薄膜。所述基板置放在处理区中，且等离子体由所述处理区中所提供的处理气体形成，所述处理气体具有含硅气体与含氮气体。亦可再加入稀释气体，例如，氮。沉积后的应力材料可暴露于紫外线照射或电子束，以增大所沉积材料的应力值。作为附加或替换，氮气等离子体处理可用于增大沉积期间材料的应力值。还描述了用于沉积应力材料的脉冲等离子体方法。 | ||||||
| 12 | 能够使熔覆层产生压缩应力的合金粉 | CN200610013228.X | 2006-02-28 | CN100396405C | 2008-06-25 | 王文先; 霍立兴; 王东坡; 张中平; 张玉凤; 荆洪阳 |
| 本发明公开了一种能够使熔覆层产生压缩应力的合金粉。其组成及质量百分比含量(%)为：Cr＝6.0～12.0、Ni＝5.0～11.0、Mn＝0.5～1.8、Mo＝0.1～0.9、Nb＝0.1～0.9、Ti＝0.1～0.9、Si＝0.1～0.9、其余为Fe。合金粉粒度直径为50～200微米。其熔化凝固后合金材料的固态相变点温度范围100～300℃，组织为马氏体组织和奥氏体组织，组织含量分别为50～90%和50～10%。本发明用于提高钢铁材料或机械结构与装备的疲劳性能以及抗应力腐蚀能力，提高他们的安全性能和使用寿命。利用这些方法和材料还可以制造材料表面具有压缩应力的复合材料产品，具有巨大的经济效益和社会效益。 | ||||||
| 13 | 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法 | CN200680014625.7 | 2006-05-18 | CN101167165A | 2008-04-23 | M·柏西留; 谢利群; V·佐布库夫; 舍美叶; I·罗弗劳克斯; H·姆塞德 |
| 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。 | ||||||
| 14 | 用于减小压缩应力的原子植入 | CN202010603227.0 | 2020-06-29 | CN112185809A | 2021-01-05 | 王宜平; 徐才志; 郑鹏园; 芮莹; R·A·本森; Y·J·胡; J·戈斯瓦米 |
| 描述了与用于减小压缩应力的原子植入有关的系统、设备和方法。一种示例性方法可以包含：对半导体的工作表面进行图案化，所述工作表面具有在电介质材料上方形成的硬掩模材料；以及在所述硬掩膜材料上方形成相对于所述硬掩模材料的折射率RI具有较低RI的材料。所述方法可以进一步包含将原子通过所述较低RI材料植入所述硬掩模材料中以减小所述硬掩模材料中的所述压缩应力。 | ||||||
| 15 | 向球施予残余压缩应力的方法 | CN201610967378.8 | 2016-10-31 | CN106987698B | 2019-11-01 | 内森·希普韦尔; 罗纳德·拉多维奇; 约翰·罗斯; 布莱恩·A·麦考伊 |
| 本发明涉及一种向第一组多个球施予残余压缩应力的方法，包括：a)将球放置在具有第一表面的第一主体与具有第二表面的第二主体之间，第一表面包括光滑接触部分，光滑接触部分是基本平坦或外凸，且表面硬度大于或等于球的初始表面硬度，b)通过用力使第一主体向第二主体挤压、或者用力使第二主体向第一主体挤压、或者用力使第一主体和第二主体向彼此挤压来沿着球的第一直径施予压缩应力，以及c)在将所述力维持在最小水平或最小水平以上，使第一表面与第二表面之间产生相对运动，以沿着球的与第一直径不同的其它直径施予压缩应力。 | ||||||
| 16 | 向球施予残余压缩应力的方法 | CN201610967378.8 | 2016-10-31 | CN106987698A | 2017-07-28 | 内森·希普韦尔; 罗纳德·拉多维奇; 约翰·罗斯; 布莱恩·A·麦考伊 |
| 本发明涉及一种向第一组多个球施予残余压缩应力的方法，包括：a)将球放置在具有第一表面的第一主体与具有第二表面的第二主体之间，第一表面包括光滑接触部分，光滑接触部分是基本平坦或外凸，且表面硬度大于或等于球的初始表面硬度，b)通过用力使第一主体向第二主体挤压、或者用力使第二主体向第一主体挤压、或者用力使第一主体和第二主体向彼此挤压来沿着球的第一直径施予压缩应力，以及c)在将所述力维持在最小水平或最小水平以上，使第一表面与第二表面之间产生相对运动，以沿着球的与第一直径不同的其它直径施予压缩应力。 | ||||||
| 17 | 用于在球中产生残余压缩应力的设备 | CN201610968160.4 | 2016-10-31 | CN106868277A | 2017-06-20 | 内森·希普韦尔; 罗纳德·拉多维奇; 约翰·罗斯; 布莱恩·A·麦考伊 |
| 本发明涉及一种用于向第一组多个球的至少表面部分施予残余压缩应力的设备，该设备包括：第一主体，第一主体具有第一表面，第一表面包括光滑接触部分，光滑接触部分基本平坦或外凸，且表面硬度大于或等于球的初始表面硬度。该设备还包括第二主体，第二主体具有第二表面，第一表面在第二表面上方；和至少一个驱动装置，至少一个驱动装置与第一主体或与第二主体驱动连接，至少一个驱动装置被构造成使第一主体和第二主体中的一者在基本固定的距离处相对于另一主体运动，至少一个驱动装置还被构造成用力使第一主体向第二主体移动或者用力使第二主体朝向第一主体移动。 | ||||||
| 18 | 具有高压缩应力的可离子交换玻璃 | CN201280033023.1 | 2012-06-26 | CN103648996A | 2014-03-19 | M·J·德内卡; A·J·艾利森; J·C·莫罗 |
| 一种具有高压缩应力层的铝硅酸盐玻璃制品。所述玻璃制品包括至少约50摩尔%SiO2和至少约11摩尔%Na2O，且具有处于至少约900MPa压缩应力下的层，以及从该玻璃制品的表面延伸进入该玻璃的层深度为至少约30微米。还提供一种制备这种玻璃制品的方法。所述玻璃优选包含至少50摩尔％SiO2、7摩尔%-26摩尔%Al2O3；0摩尔%-9摩尔%B2O3；11摩尔%-25摩尔%Na2O；0摩尔%-2.5摩尔%K2O；0摩尔%-8.5摩尔%MgO；以及0摩尔%-1.5摩尔%CaO。 | ||||||
| 19 | 在焊接接头中引入压缩应力的方法 | CN201210059051.2 | 2012-02-28 | CN102672372A | 2012-09-19 | J·徐 |
| 本发明涉及在焊接接头中引入压缩应力的方法。提供了一种在具有至少一个焊趾的焊接接头中引入压缩应力的方法。该方法包括用电阻丝覆盖焊接接头的焊趾的步骤。该方法还包括用电阻丝加热焊趾的步骤，其中，将焊趾加热到选定温度。该方法包括将焊趾保持在选定温度下达选定时间量的步骤。该方法包括从焊趾上移除电阻丝的步骤。该方法包括用冷却介质使焊趾骤冷的步骤。在骤冷期间，压缩应力被引入焊趾。 | ||||||
| 20 | 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法 | CN200680014625.7 | 2006-05-18 | CN101167165B | 2011-12-21 | M·柏西留; 谢利群; V·佐布库夫; 舍美叶; I·罗弗劳克斯; H·姆塞德 |
| 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。 | ||||||
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