序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 发明人 |
---|---|---|---|---|---|---|
81 | 基于三级插值的粘弹性压敏材料压缩应力监测方法 | CN201310097299.2 | 2013-03-13 | CN103196597A | 2013-07-10 | 王璐珩 |
本发明涉及一种基于三级插值的粘弹性压敏材料压缩应力监测方法,属于测量技术领域。该方法首先获取压敏材料相对电阻变化率-载荷速度标定数据和各节点载荷速度下的相对电阻--应力标定数据;再由测得的电阻得到压敏材料相对电阻和相对电阻变化率,进而利用相对电阻变化率-载荷速度标定数据,通过第一级插值得到实测载荷速度,并确定与实测载荷速度相邻的两个相邻节点载荷速度;然后,由相对电阻-应力标定数据,分别利用第二级插值得到所测电阻在两个相邻节点载荷速度下的应力值;最后,利用第三级插值得到所测电阻在实测载荷速度下所对应的应力值。该方法充分考虑了载荷速度对电阻-应力特性的影响,减小了压缩应力监测的偏差。 | ||||||
82 | 一种产生残余压缩应力的实芯焊丝及其在不锈钢焊接中的应用 | CN201210022008.9 | 2012-02-01 | CN102554507A | 2012-07-11 | 徐连勇; 赵森; 荆洪阳; 韩永典 |
本发明公开了一种产生残余压缩应力的实芯焊丝及其在不锈钢焊接中的应用,所述焊丝组分及重量百分比为:C=0.02~0.06,Mn=0.8~2.5,Cr=9~14,Ni=4.0~10.0,Mo=0.1~1.0,Si=0.1~0.7,Ti=0.1~0.6,Nb=0.1~0.6,其余为铁。本发明能够改善不锈钢母材焊接接头应力分布的技术问题,在焊缝及其附近区域产生残余压缩应力,从而改善焊接接头的疲劳性能。 | ||||||
83 | 纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法 | CN200910098613.2 | 2009-05-21 | CN101565822B | 2011-08-24 | 杨杭生 |
本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法,把立方氮化硼薄膜放入加热室中,加热室先抽真空到至少10-3Torr,然后保持真空度不变,或充入保护气体再抽真空到至少10Torr,接着将加热室升温到1000-1300℃之间,保温1-5小时,冷却至室温即可。该方法可用于在各种衬底上沉积的立方氮化硼薄膜的残留压缩应力的释放,并且不改变立方氮化硼薄膜的组成、结构和表面形貌。极大提高立方氮化硼薄膜在各种衬底上的结合力。使立方氮化硼薄膜适用于制备加工铁基合金的刀具和磨具等,也可以适用在光学元件的保护膜,高温电子器件等领域。 | ||||||
84 | 能够使不锈钢焊接接头焊趾处产生压缩应力的药芯焊丝 | CN201110026374.7 | 2011-01-25 | CN102091884A | 2011-06-15 | 徐连勇; 赵森; 荆洪阳; 韩永典 |
本发明公开了一种能够使不锈钢焊接接头焊趾处产生压缩应力的药芯焊丝,由药芯和钢带构成,药芯按照重量百分比包括金属镍粉50%~65%,金属锰粉2%~5%,金属钼粉4%~6%,稀土硅粉1%~3%,余量为铁粉,还可添加金属钛粉4%~7%,金属铌粉2%~5%;钢带采用SPCC冷轧低碳钢钢材。本发明选用低相变点药芯焊丝熔修技术改善焊接接头焊趾处的疲劳性能,通过在焊趾处产生压缩应力,提高焊缝的疲劳性能,延长疲劳寿命,与传统的TIG熔修对操作人员的高水平技术要求和局部机械加工法的巨大工作量相比,对操作人员的技术水平要求降低,同时避免焊后加工的附加工序,提高生产效率。 | ||||||
85 | 纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法 | CN200910098613.2 | 2009-05-21 | CN101565822A | 2009-10-28 | 杨杭生 |
本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法,把立方氮化硼薄膜放入加热室中,加热室先抽真空到至少10-3Torr,然后保持真空度不变,或充入保护气体再抽真空到至少10Torr,接着将加热室升温到1000-1300℃之间,保温1-5小时,冷却至室温即可。该方法可用于在各种衬底上沉积的立方氮化硼薄膜的残留压缩应力的释放,并且不改变立方氮化硼薄膜的组成、结构和表面形貌。极大提高立方氮化硼薄膜在各种衬底上的结合力。使立方氮化硼薄膜适用于制备加工铁基合金的刀具和磨具等,也可以适用在光学元件的保护膜,高温电子器件等领域。 | ||||||
86 | 具有压缩应力的强度分布的有涂膜的表面涂敷切削工具 | CN200580001814.6 | 2005-07-01 | CN1905973A | 2007-01-31 | 森口秀树; 福井治世; 今村晋也; 山口浩司; 饭原顺次 |
根据本发明的表面涂敷切削工具(1)包括基础材料(2)和在基础材料(2)上形成的涂膜(3)。涂膜(3)作为在基础材料(2)上的最外层并且具有压缩应力。该压缩应力发生变化以使得在涂膜(3)的厚度方向上具有强度分布。强度分布特征在于:在涂膜的表面上的压缩应力从涂膜的表面向着位于涂膜的表面与涂膜的底面之间的第一中间点连续地减低以及压缩应力在第一中间点上达到相对最低点。 | ||||||
87 | 具有压缩应力的强度分布的有涂膜的表面涂敷切削工具 | CN200580001666.8 | 2005-07-15 | CN1905972A | 2007-01-31 | 森口秀树; 福井治世; 今村晋也; 山口浩司; 饭原顺次 |
根据本发明的表面涂敷切削工具(1)包括基础材料(2)和在基础材料(2)上形成的涂膜(3)。涂膜(3)作为在基础材料(2)上的最外层并且具有压缩应力。该压缩应力发生变化以使得在涂膜(3)的厚度方向上具有强度分布。强度分布特征在于:在涂膜的表面上的压缩应力从涂膜的表面向着位于涂膜的表面与涂膜的底面之间的第一中间点连续地提高以及压缩应力在第一中间点上达到相对最高点。 | ||||||
88 | 一种柔性材料压缩应力应变数显式测试装置 | CN201520768502.9 | 2015-09-30 | CN204964302U | 2016-01-13 | 黄子龙; 张耀平; 丁天伟; 杨顺为; 欧宏; 连斌龙 |
一种柔性材料压缩应力应变数显式测试装置,采用液压系统压力试验机作为测量装置,通过活塞控制系统设定硫化橡胶试片受压时的应变,数显式应力传感器输出应力,最后经过应力与应变之比获得硫化橡胶试片其弹性模量的测量结果,外置的数据显示仪表可以实时监测压缩应力的变化,试验过程中不需将试样拿出测试,不需更换试样,影响数据波动的因素较少,保证了装置的准确性、可重复性,本实用新型的一种柔性材料压缩应力应变数显式测试装置的测定方法其步骤简单合理,科学先进,减少了人为误差,提高了测量精度,能够满足实际生产的需要。 | ||||||
89 | 由光敏玻璃制成的压缩应力化层合玻璃制品及制备所述制品的方法 | CN201911091873.7 | 2013-10-04 | CN110698059A | 2020-01-17 | H·D·博克; N·F·伯雷利 |
本发明涉及包含玻璃芯体和包覆层的层合制品,更具体地涉及包含夹在第一和第二包覆层之间的玻璃芯体的压缩应力化层合制品,所述包覆层由光敏玻璃形成。 | ||||||
90 | 由光敏玻璃制成的压缩应力化层合玻璃制品及制备所述制品的方法 | CN201911091873.7 | 2013-10-04 | CN110698059B | 2022-07-29 | H·D·博克; N·F·伯雷利 |
本发明涉及包含玻璃芯体和包覆层的层合制品,更具体地涉及包含夹在第一和第二包覆层之间的玻璃芯体的压缩应力化层合制品,所述包覆层由光敏玻璃形成。 | ||||||
91 | 在等离子体增强化学气相沉积系统中高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置 | CN202111232228.X | 2015-08-12 | CN113972162A | 2022-01-25 | Z·J·叶; J·D·平森二世; 塙广二; 周建华; 林兴; 段仁官; K·D·李; 金柏涵; S·P·贝海拉; S·哈; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦雷斯; P·K·库尔施拉希萨; J·K·福斯特; M·斯利尼瓦萨恩; U·P·哈勒; H·K·博尼坎帝 |
本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中,所述静电卡盘包括:耦接到支撑杆的卡盘主体,所述卡盘主体具有基板支撑表面,并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值;以及电极,所述电极嵌在所述主体中,所述电极耦接到电源。在一个示例中,所述卡盘主体由氮化铝材料组成,已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间,能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。 | ||||||
92 | 表现出高压缩应力的玻璃制品、包含此玻璃制品的汽车内部系统和其制造方法 | CN201980087926.X | 2019-11-19 | CN113272262A | 2021-08-17 | 蒂莫西·迈克尔·格罗斯 |
本公开内容的实施方式涉及具有玻璃组合物的玻璃制品,所述玻璃组合物包含约65摩尔%或更多的SiO2;8摩尔%或更多的Al2O3;从约3.5摩尔%至约16摩尔%的Na2O;多达约5摩尔%的P2O5;和多达约15摩尔%的ZnO的。在一个或多个实施方式中,所述玻璃组合物包含约56%或更多的SiO2;约8摩尔%或更多的Al2O3;从约3.5摩尔%至约16摩尔%的Na2O;多达约1摩尔%的P2O5;和多达约15摩尔%的ZnO。在一些实施方式中,所述玻璃制品在大于30微米的深度处表现出约1GPa或更大的CS。还公开了包含此类玻璃制品的汽车内部系统和制造玻璃制品的方法的实施方式。 | ||||||
93 | 由光敏玻璃制成的压缩应力化层合玻璃制品及制备所述制品的方法 | CN201380061566.9 | 2013-10-04 | CN104955641B | 2021-03-30 | H·D·博克; N·F·伯雷利 |
本发明涉及包含玻璃芯体和包覆层的层合制品,更具体地涉及包含夹在第一和第二包覆层之间的玻璃芯体的压缩应力化层合制品,所述包覆层由光敏玻璃形成。 | ||||||
94 | 由光敏玻璃制成的压缩应力化层合玻璃制品及制备所述制品的方法 | CN201380061566.9 | 2013-10-04 | CN104955641A | 2015-09-30 | H·D·博克; N·F·伯雷利 |
本发明涉及包含玻璃芯体和包覆层的层合制品,更具体地涉及包含夹在第一和第二包覆层之间的玻璃芯体的压缩应力化层合制品,所述包覆层由光敏玻璃形成。 | ||||||
95 | 一种测试多孔材料室温压缩应力与应变曲线的夹具 | CN201320773747.1 | 2013-11-28 | CN203720018U | 2014-07-16 | 蔡静; 边舫; 张健; 王健; 张重远 |
本实用新型的目的在于提供一种用于测试多孔材料室温压缩应力与应变曲线的夹具,以实现金属多孔材料的有效测量,其特征在于:所述夹具由肋板、定位销、同轴棒和紧固件组成;其中定位销的一端通过紧固件固定在肋板上,肋板固定在试验机的压头上,定位销内部有贯穿其中的圆柱形通孔,同轴棒是截面为圆形的棒,用于检验夹具的同轴度。该夹具可以实现任意尺寸的金属多孔材料的压缩应力-应变曲线的测量,提高了其压缩力学性能测试的准确性。 | ||||||
96 | 一种具有低成本高压缩应力层的磷铝硅酸盐玻璃 | PCT/CN2019/099259 | 2019-08-05 | WO2020191982A1 | 2020-10-01 | 梁新辉; 陈招娣; 林文城; 洪立昕 |
一种具有高压缩应力层的磷铝硅酸盐玻璃,包含:SiO 2 65~75%;Al 2O 3 8~16%;Na 2O 11~18%;K 2O 0~5%;P 2O 5 1~4%;B 2O 3 0~3%;ZnO 0~1%;SnO 2 0~0.4%;其中,(CaO+MgO+SrO+BaO)≤0.1%;该玻璃强化后离子交换层深≥60μm;该玻璃的平均线热膨胀系数<90×10 -7/℃,在60℃草酸溶液中浸泡6hrs后单位面积重量损失率≤0.15mg/cm 3。 |
||||||
97 | 압축응력생성수단을 포함하는 철골보 | KR1020100109299 | 2010-11-04 | KR101051361B1 | 2011-07-22 | 우종열; 김동회; 홍성욱; 서용칠 |
PURPOSE: A steel beam comprising a compressive-stress generating unit is provided to apply pre or post compressive stress to a central steel beam. CONSTITUTION: A compressive-stress generating unit(50) is installed on one end of a central steel beam(20). One end of the compressive-stress generating unit passes through one side of a bonding plate(40). The other end of the compressive-stress generating unit passes through the other side of the bonding plate. Pre or post compressive-stress is applied to the central steel beam. The compressive-stress generating unit downwardly slopes to the central bonding plate. | ||||||
98 | 인장 응력 및 압축 응력을 받은 반도체용 재료 | KR1020097021518 | 2005-11-10 | KR1020090122993A | 2009-12-01 | 발씨누,미하엘라; 정,기범; 후앙,리후아,리; 엑시아,리-쿤; 왕,롱핑; 위티,데렉,알.; 스턴,레위스; 시몬스,마틴,제이; 엠’사드,히쳄; 콴,미첼,치우 |
A stressed film is formed on a substrate. The substrate is placed in a process zone and a plasma is formed of a process gas provided in the process zone, the process gas having silicon-containing gas and nitrogen-containing gas. A diluent gas such as nitrogen can also be added. The as-deposited stressed material can be exposed to ultraviolet radiation or electron beams to increase the stress value of the deposited material. In addition or in the alternative, a nitrogen plasma treatment can be used to increase the stress value of the material during deposition. Pulsed plasma methods to deposit stressed materials are also described. | ||||||
99 | 인장 응력 및 압축 응력을 받은 반도체용 재료 | KR1020097007962 | 2005-11-10 | KR1020090052399A | 2009-05-25 | 발씨누,미하엘라; 정,기범; 후앙,리후아,리; 엑시아,리-쿤; 왕,롱핑; 위티,데렉,알.; 스턴,레위스; 시몬스,마틴,제이; 엠’사드,히쳄; 콴,미첼,치우 |
A stressed film is formed on a substrate. The substrate is placed in a process zone and a plasma is formed of a process gas provided in the process zone, the process gas having silicon-containing gas and nitrogen-containing gas. A diluent gas such as nitrogen can also be added. The as-deposited stressed material can be exposed to ultraviolet radiation or electron beams to increase the stress value of the deposited material. In addition or in the alternative, a nitrogen plasma treatment can be used to increase the stress value of the material during deposition. Pulsed plasma methods to deposit stressed materials are also described. | ||||||
100 | 在等离子体增强化学气相沉积系统中于高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置 | CN201580043795.7 | 2015-08-12 | CN106575634A | 2017-04-19 | Z·J·叶; J·D·平森二世; 塙广二; 周建华; 林兴; 段仁官; K·D·李; 金柏涵; S·P·贝海拉; S·哈; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦雷斯; P·K·库尔施拉希萨; J·K·福斯特; M·斯利尼瓦萨恩; U·P·哈勒; H·K·博尼坎帝 |
本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中,所述静电卡盘包括:耦接到支撑杆的卡盘主体,所述卡盘主体具有基板支撑表面,并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值;以及电极,所述电极嵌在所述主体中,所述电极耦接到电源。在一个示例中,所述卡盘主体由氮化铝材料组成,已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间,能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。 |