1.一种功率模块用基板，其特征在于，具备绝缘基板和在所述绝缘基板的一面形成的电路层，
所述电路层通过在所述绝缘基板的一面接合有第一铜板而构成，
所述第一铜板在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
2.根据权利要求1所述的功率模块用基板，还具备有在所述绝缘基板的另一面形成的金属层，其中，
所述金属层通过在所述绝缘基板的另一面接合有铝板而构成。
3.根据权利要求1或2所述的功率模块用基板，其中，
构成所述电路层的第一铜板在被接合之前至少含有共计3molppm以上且50molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或300molppm以上且
1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率模块用基板，其中，
构成所述电路层的第一铜板的含氧量为1质量ppm以下。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的功率模块用基板，其中，
在所述金属层中与所述绝缘基板的接合界面，固溶有Si、Cu、Ag、Zn、Mg、Ge、Ca、Ga、Li中的任一种或两种以上的添加元素，而所述金属层中在接合界面附近的所述添加元素的总浓度设定在0.01质量%以上且5质量%以下的范围内。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的功率模块用基板，其中，
在所述金属层中与所述绝缘基板的接合界面，形成有Si、Cu、Ag、Zn、Mg、Ge、Ca、Ga、Li中的任一种或两种以上添加元素的浓度为所述金属层中所述添加元素的浓度的两倍以上的添加元素高浓度部。
7.根据权利要求1所述的功率模块用基板，还具备有在所述绝缘基板的另一面形成的金属层，其中，
所述金属层通过在所述绝缘基板的另一面接合有第二铜板而构成，
所述第二铜板在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
8.根据权利要求1或7所述的功率模块用基板，其中，
所述第一铜板及所述第二铜板中的至少一方在被接合之前至少含有共计3molppm以上且50molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或300molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
9.根据权利要求1、7及8中任一项所述的功率模块用基板，其中，
所述第一铜板及所述第二铜板中的至少一方的含氧量为1质量ppm以下。
10.一种自带散热器的功率模块用基板，其特征在于，
具备有权利要求1至9中任一项所述的功率模块用基板和配设于所述绝缘基板的另一面侧的散热器。
11.一种自带散热器的功率模块，其特征在于，
具备权利要求10所述的自带散热器的功率模块用基板和搭载于所述电路层上的电子部件。
12.一种功率模块，其特征在于，
具备权利要求1至9中任一项所述的功率模块用基板和搭载于所述电路层上的电子部件。
13.一种功率模块用基板的制造方法，所述功率模块用基板具备绝缘基板、在该绝缘基板的一面形成的电路层及在所述绝缘基板的另一面形成的金属层，所述功率模块用基板的制造方法的特征在于，
所述电路层通过在所述绝缘基板的一面接合有第一铜板而构成，所述金属层通过在所述绝缘基板的另一面接合有铝板而构成，所述第一铜板在被接合之前至少含有共计
1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或
100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成，所述功率模块用基板的制造方法具备：在所述绝缘基板的一面接合第一铜板而形成所述电路层的电路层形成工序；及
在所述绝缘基板的另一面接合铝板而形成所述金属层的第一金属层形成工序，在所述第一金属层形成工序中，在所述铝板的接合界面配置Si、Cu、Ag、Zn、Mg、Ge、Ca、Ga、Li中的任一种或两种以上的添加元素并接合所述铝板。