1.半导体模块，其具有：
具有四个侧壁（61、62、63、64）的外壳（6）；
在外壳（6）处所安装的电路载体（2），所述电路载体（2）具有上侧（2t）以及与上侧（2t）相对的下侧（2b）；
半导体芯片（1），所述半导体芯片（1）被布置在上侧（2t）上和外壳（2t）中；以及被构造为凹处的第一抓取槽（71），所述第一抓取槽（71）从外壳（6）的外侧出发延伸到侧壁（61、62、63、64）的第一侧壁（61）中。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中所述第一抓取槽（71）具有至少1mm的深度。
3.根据权利要求1或2之一所述的半导体模块，其中所述电路载体（2）被构造为陶瓷衬底（4），所述陶瓷衬底（4）具有介电陶瓷绝缘载体（40），所述绝缘载体（40）在其朝向外壳（6）内部的侧上配备有上金属化层（41），以及在其背离外壳（6）内部的侧上配备有下金属化层（42），所述下金属化层在半导体模块的外侧处暴露。
4.根据权利要求1或2之一所述的半导体模块，其中所述电路载体（2）具有：
陶瓷衬底（4），所述陶瓷衬底（4）具有介电陶瓷绝缘载体（40），所述绝缘载体（40）在其朝向外壳（6）内部的侧上配备有上金属化层（41），以及在其背离外壳（6）内部的侧上配备有下金属化层（42）；
底板（3），所述底板（3）被布置在陶瓷衬底（4）的背离上金属化层（41）的侧上并且在下金属化层（42）处材料决定地与所述陶瓷衬底（4）相连接，并且所述底板（3）在半导体模块的外侧处暴露。
5.根据上述权利要求之一所述的半导体模块，具有被构造为凹处的第二抓取槽（72），所述第二抓取槽从外壳（6）的外侧出发延伸到侧壁（61、62、63、64）的第二侧壁（62）中。
6.根据权利要求5所述的半导体模块，其中所述第二抓取槽（72）具有至少1mm的深度。
7.根据权利要求5或6所述的半导体模块，其中侧壁（61、62、63、64）的第一侧壁（61）和侧壁（61、62、63、64）的第二侧壁（62）构成外壳（6）的彼此相对的壁。
8.用于抓取半导体模块（100）的方法，具有步骤：
提供根据上述权利要求之一所构造的半导体模块（100）；
提供定位装置（200），所述定位装置（200）具有第一抓斗指状物（271）；
借助于定位装置（200）抓取半导体模块（100），其中所述第一抓斗指状物（271）与第一抓取槽（71）啮合。
9.根据权利要求8所述的方法，其中
根据权利要求5至7之一构造所述半导体模块（100）；
所述定位装置（200）具有第二抓斗指状物（272），所述第二抓斗指状物（272）在抓取半导体模块（100）时与第二抓取槽（72）啮合。
10.用于移动半导体模块（100）的方法，具有步骤：
按照根据权利要求8或9之一的方法抓取半导体模块（100）；
在抓取之后通过所述定位装置（200）移动所述半导体模块（100）。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体模块（100）在移动期间通过所述定位装置（200）被颠倒。
12.用于电测试半导体模块（100）的方法，所述半导体模块（100）在其背离电路载体（2）的侧上具有多个电外部连接端（9），其中所述方法具有以下步骤：
提供电测量适配器（300）；
根据权利要求10或11之一通过所述定位装置（200）这样地移动半导体模块（100），使得所述半导体模块（100）相对于测量适配器（300）被定位为，使得所述电外部连接端（9）朝向所述测量适配器（300）；
通过所述测量适配器（300）电接触所述外部连接端并且随后测试半导体模块（100）的电功能能力。