子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 导电性糊膏、及玻璃物品 | CN201580030998.2 | 2015-05-15 | CN106463202A | 2017-02-22 | 次本伸一 |
| 导电性糊膏至少含有导电性粉末、玻璃料和有机载体。导电性粉末具有Ag粉末等的贵金属粉末和包含Cu及/或Ni的贱金属粉末，并且贱金属粉末的比表面积低于0.5m2/g。所述贱金属粉末相对于导电性粉末的总量的含量，在重量比中，在贱金属粉末以Cu为主成分的情况下为0.1～0.3，在以Ni为主成分的情况下为0.1～0.2，在以Cu与Ni的混合粉为主成分的情况下为0.1～0.25。将该导电性糊膏在玻璃基体(1)上涂敷成线状并进行烧成，由此获得导电膜(2)。由此，实现耐候性良好且能适度地抑制电阻率的导电性糊膏、及使用了该导电性糊膏的防雾玻璃或玻璃天线等玻璃物品。 | ||||||
| 2 | 包含氧化铋的银浆和其在太阳能电池中的用途 | CN201580023871.8 | 2015-05-18 | CN106463198A | 2017-02-22 | 孙博; 何靳安 |
| 本发明涉及用于Si太阳能电池的银浆，所述Si太阳能电池包括高纯度Bi2O3添加剂和具有硅片的太阳能电池，在所述硅片的正面表面上具有银浆。所得的电池展现改进的效率。 | ||||||
| 3 | 制造薄玻璃的方法 | CN201580023353.6 | 2015-04-22 | CN106458740A | 2017-02-22 | E.雅尼奥; P-O.珀蒂; B.布朗夏尔 |
| 本发明涉及制造平板玻璃的方法，包括以下连续步骤：（a）将玻璃料的层施加到玻璃织物上，该玻璃料的玻璃与该织物的玻璃具有基本相同的组成，（b）将带有该玻璃料层的玻璃织物加热至温度T > TL - 20℃（TL是该玻璃料的利特尔顿温度）足够长的时间以便将所述玻璃料层转化成与玻璃织物组成相同的釉料层，和（c）冷却步骤（b）中获得的浸渍有所述釉料或带有釉料层的玻璃织物以获得玻璃片材。其还涉及能够通过该方法获得的玻璃片材。 | ||||||
| 4 | 半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置 | CN201280002226.4 | 2012-05-08 | CN103703548B | 2016-11-23 | 伊东浩二; 小笠原淳; 伊藤一彦; 六鎗広野 |
| 本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。 | ||||||
| 5 | 树脂封装型半导体装置及其制造方法 | CN201380003558.9 | 2013-04-16 | CN103890935B | 2016-10-26 | 小笠原淳; 伊东浩二; 伊藤一彦; 六鎗広野 |
| 本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。 | ||||||
| 6 | 复合粉末及复合粉末糊剂 | CN201580003623.7 | 2015-01-13 | CN105899468A | 2016-08-24 | 石原健太郎; 近藤久美子 |
| 本发明的复合粉末，其含有玻璃粉末55～95质量％、无机颜料粉末5～45质量％、耐火性填料粉末0～20质量％，其中，以摩尔％计，玻璃粉末含有SiO2 45～62％、B2O3 0～10％、Al2O3 0～9％、ZnO 12～32％、Li2O+Na2O+K2O 12～28％、BaO 0～10％、TiO2+ZrO2 0～15％作为玻璃组成。 | ||||||
| 7 | 炊具 | CN200980110992.0 | 2009-09-22 | CN101981383A | 2011-02-23 | 李映佑; 金亮卿; 全容奭; 梁在卿 |
| 在烹饪室的内表面上设置包含磷酸盐基成分的搪瓷涂层，并使用高温清洁水对烹饪室的内表面进行清洁。因此，可更有效地执行对烹饪室的清洁。 | ||||||
| 8 | 用于金属芯基板和电子器件的绝缘浆料 | CN200880018049.2 | 2008-06-19 | CN101679107A | 2010-03-24 | 稻叶明; 浜口真佐树; 仲岛直人 |
| 本发明的绝缘浆料包含(a)玻璃粉，和(b)有机溶剂，其中所述浆料中包含氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)和氧化钛(TiO<sub>2</sub>)中的一个或两者作为玻璃扩散抑制剂，并且所述玻璃扩散抑制剂的含量按所述浆料中无机组分的含量计为12至50重量％。 | ||||||
| 9 | 一种高温合金抗高温氧化及热腐蚀的方法 | CN02109842.5 | 2002-06-14 | CN1465745A | 2004-01-07 | 王福会; 谢冬柏; 熊玉明 |
| 一种高温合金抗高温氧化及热腐蚀的方法，其特征在于：首先在高温合金基体的表面制造一厚度为10～100μm的MCrAlY涂层，M选自Ni、Co或NiCo；再在MCrAlY涂层的表面烧制一厚度为20～100μm的搪瓷涂层，搪瓷涂层的成分为重量百分比：SiO255－63，Al2O33.4－9.7，ZrO23－6，ZnO8－12，B2O33－10，CaO3－6，Na2O3－4，稀土RuO、CeO、Y2O31－2，MgO、NiO、CoO余量。本发明搪瓷涂层不但可以抑制氧，氯等离子进入MCrAlY涂层，另一方面由于搪瓷低的导热系数，还可提高基体合金的使用温度，从而具有热障涂层的作用。另外，本发明过程中粘结层表面可不经处理就进行下一步的搪瓷涂敷，烧成在空气中进行，具有制造过程简单，成本低廉的特点。 | ||||||
| 10 | 一种复合防腐管道及其制造方法 | CN89107856.8 | 1989-10-17 | CN1018292B | 1992-09-16 | 邵文古; 王理泉 |
| 以玻璃(釉)料作涂料，用热喷涂方法在普通金属管道内外表面喷涂上玻璃(釉)涂层，制成金属一玻璃(釉)热喷复合防腐管道。此管道造价与环氧煤沥青涂层或环氧粉静电涂层管道不相上下，但抗腐蚀性能强得多，使用寿命比后二者高3～10倍，甚至高几十倍。本发明提供了这种热喷复合防腐管道的涂料组成、热喷作业和专用设备系统及关键设备的结构，及这种新型复合管道的优良性能和它的使用价值。 | ||||||
| 11 | 用于导电糊的有机载体 | CN201580032788.7 | 2015-06-19 | CN106415736A | 2017-02-15 | L·宋; T·J·孙; C·L·陈; Y·张; V·杜阿; D·卡普; Y·杨 |
| 提供有机载体，所述有机载体包含基于有机载体的100％总重量至少约0.5重量％且不多于约45重量％至少一种天然精油，至少约0.5重量％且不多于约10重量％至少一种树脂，有机溶剂和触变剂。本发明还提供太阳能电池和用本发明导电糊形成太阳能电池的方法。 | ||||||
| 12 | 树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法 | CN201280050751.3 | 2012-05-08 | CN104025267B | 2017-02-15 | 小笠原淳; 伊东浩二; 伊藤一彦; 六鎗広野 |
| 本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。 | ||||||
| 13 | 树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法 | CN201280050751.3 | 2012-05-08 | CN104025267A | 2014-09-03 | 小笠原淳; 伊东浩二; 伊藤一彦; 六鎗広野 |
| 本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。 | ||||||
| 14 | 树脂封装型半导体装置及其制造方法 | CN201380003558.9 | 2013-04-16 | CN103890935A | 2014-06-25 | 小笠原淳; 伊东浩二; 伊藤一彦; 六鎗広野 |
| 本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。 | ||||||
| 15 | 半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置 | CN201380003490.4 | 2013-04-26 | CN103858213A | 2014-06-11 | 伊东浩二; 小笠原淳; 六鎗広野 |
| 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：是由一种玻璃微粒构成，且不含有填充物，所述玻璃微粒是通过将一种原料熔融而获得的熔液制造而成，所述原料至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样可以制造出高耐压的半导体装置。并且，由于实质上不含有Zn，因此可以制造出耐药品性（特别是耐氟酸性）提高、可靠度高的半导体装置。并且，由于在蚀刻去除硅氧化膜的工序等工序中，无需用防护层来保护玻璃层，因而还可以获得使工序简略化的效果。 | ||||||
| 16 | 半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置 | CN201280002226.4 | 2012-05-08 | CN103703548A | 2014-04-02 | 伊东浩二; 小笠原淳; 伊藤一彦; 六鎗広野 |
| 本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。 | ||||||
| 17 | 无毒水性熔块糊及包含其之组件 | CN201080029788.9 | 2010-06-14 | CN102510842A | 2012-06-20 | 戴维·J.·库珀; 提姆斯·艾伦·丹尼斯 |
| 本发明的某些实施例涉及应用在组件(例如，真空绝缘玻璃元件或等离子显示屏)中的熔块糊及制备所述组件的方法。所述熔块粉是基本无铅的，在第一温度上提供水性溶剂。向中间混合物中添加另外的水性溶剂以形成熔块糊。在第二温度提供另外的水性溶剂，所述第二温度低于第一温度。相对于所述熔块糊或无熔块粉的熔块，所提供的粘结剂材料的重量百分比浓度为0.001％-20％。所述熔块糊的本体粘度为2,000-200,000cps。 | ||||||
| 18 | 生物活性玻璃 | CN200780029345.8 | 2007-06-15 | CN101500622A | 2009-08-05 | 罗伯特·格雷厄姆·希尔; 莫利·莫拉格·史蒂文斯 |
| 本发明涉及包括锶和二氧化硅的生物活性玻璃、用于制造所述生物活性玻璃的工艺以及所述生物活性玻璃在医学上的用途。 | ||||||
| 19 | 一种高温合金抗高温氧化及热腐蚀的方法 | CN02109842.5 | 2002-06-14 | CN1207441C | 2005-06-22 | 王福会; 谢冬柏; 熊玉明 |
| 一种高温合金抗高温氧化及热腐蚀的方法，其特征在于：首先在高温合金基体的表面制造一厚度为1～100μm的MCrAlY涂层，M选自Ni、Co或NiCo；再在MCrAlY涂层的表面烧制一厚度为20～100μm的搪瓷涂层，搪瓷涂层成分的重量百分比为：SiO255-63，Al2O33.4-9.7，ZrO23-6，ZnO 8-12，B2O33-10，CaO 3-6，Na2O 3-4，稀土RuO、CeO、Y2O31-2，MgO、NiO、CoO余量。本发明搪瓷涂层不但可以抑制氧、氯等离子进入MCrAlY涂层，另一方面由于搪瓷低的导热系数，还可提高基体合金的使用温度，从而具有热障涂层的作用。另外，本发明过程中粘结层表面可不经处理就进行下一步的搪瓷涂敷，烧成在空气中进行，具有制造过程简单，成本低廉的特点。 | ||||||
| 20 | 金属-玻璃(釉)热喷复合防腐管道 | CN89107856.8 | 1989-10-17 | CN1051075A | 1991-05-01 | 邵文古; 王理泉 |
| 以玻璃(釉)料作涂料，用热喷涂方法在普通金属管道内外表面喷涂上玻璃(釉)涂层，制成金属——玻璃(釉)热喷复合防腐管道。此管道造价与环氧煤沥青涂层或环氧粉静电涂层管道不相上下，但抗腐蚀性能强得多，使用寿命比后二者高3～10倍，甚至高几十倍。本发明提供了这种热喷复合防腐管道的涂料组成、热喷作业和专用设备系统及关键设备的结构，及这种新型复合管道的优良性能和它的使用价值。 | ||||||
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