子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 具有大有效面积的准单模光纤 | CN201580064558.9 | 2015-09-23 | CN107257933A | 2017-10-17 | 李明军; S·K·米什拉; M·梅耶克; W·A·乌德; A·R·查克哈里安 |
| 公开了一种具有大有效面积的准单模光纤。所述准单模光纤具有半径大于5μm的纤芯和包层区段，所述包层区段被配置成用于支持基模和高阶模。所述基模具有大于170μm2的有效面积以及1530nm波长下不大于0.17dB/km的衰减。所述高阶模具有1530nm波长至少1.0dB/km的衰减。所述准单模光纤具有对于1625nm波长、对于60mm的弯曲直径，小于0.02dB/匝的弯曲损耗。 | ||||||
| 2 | 低衰减单模光纤及其制备方法 | CN201710538634.6 | 2017-07-04 | CN107247305A | 2017-10-13 | 陈刚; 朱继红; 黄利伟; 雷汉林; 冯正鹏; 汪洪海; 王瑞春 |
| 本发明涉及一种低衰减单模光纤及其制备方法，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.5～4.0μm，相对折射率差△1为0.33～0.36％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层半径r2为12～14μm，相对折射率差△2为‑0.01～0.01％，所述的外包层半径r3为62～63μm，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。通过VAD工艺制造芯棒得到芯层掺锗和氯、内包层掺氟和氯的玻璃芯棒，将此芯棒套入纯二氧化硅外套管，或通过OVD工艺在此芯棒外面沉积外包层，得到可供拉丝的预制棒，将此预制棒在1500～3300m/min的拉丝速度下进行拉丝形成光纤。本发明通过掺氯减少芯层掺锗量和改善芯包层粘度匹配实现光纤的低衰减，该光纤制备工艺较为简单，制作成本低，且工艺稳定，产出合格率高。 | ||||||
| 3 | 光纤母材以及光纤母材的制造方法 | CN201480007039.4 | 2014-01-28 | CN104981440B | 2017-08-29 | 田村欣章; 春名彻也; 平野正晃 |
| 本发明提供了一种可拉伸为低损耗光纤的光纤母材。该光纤母材(1)包括芯部(10)以及包围该芯部(10)的包层部(20)。芯部(10)包括第一芯部(11)以及包围该第一芯部(11)的第二芯部(12)。包层部(20)包括包围第二芯部(12)的第一包层部(21)以及包围第一包层部(21)的第二包层部(22)。第一芯部(11)含有碱金属。在碱金属原子浓度为100原子ppm以上的部分或全部区域内，玻璃中所含的氧分子的浓度在30摩尔ppb至200摩尔ppb的范围内(包含端值)；并且在碱金属原子浓度为50原子ppm以下的区域内，玻璃中所含的氧分子的浓度为10摩尔ppb以下。 | ||||||
| 4 | 光纤母材以及光纤母材的制造方法 | CN201480007039.4 | 2014-01-28 | CN104981440A | 2015-10-14 | 田村欣章; 春名彻也; 平野正晃 |
| 本发明提供了一种可拉伸为低损耗光纤的光纤母材。该光纤母材(1)包括芯部(10)以及包围该芯部(10)的包层部(20)。芯部(10)包括第一芯部(11)以及包围该第一芯部(11)的第二芯部(12)。包层部(20)包括包围第二芯部(12)的第一包层部(21)以及包围第一包层部(21)的第二包层部(22)。第一芯部(11)含有碱金属。在碱金属原子浓度为100原子ppm以上的部分或全部区域内，玻璃中所含的氧分子的浓度在30摩尔ppb至200摩尔ppb的范围内(包含端值)；并且在碱金属原子浓度为50原子ppm以下的区域内，玻璃中所含的氧分子的浓度为10摩尔ppb以下。 | ||||||
| 5 | 低损耗光纤及其制造方法 | CN201310409732.1 | 2013-09-10 | CN103472529B | 2015-06-10 | 罗文勇; 李诗愈; 陈伟; 柯一礼; 杜城 |
| 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，涉及光纤领域，该低损耗光纤包括阶跃形波导，阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层、芯包过渡层、芯包界面过渡层、深掺氟包层、包套过渡层、包套界面过渡层和套管层，芯层采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成，芯层与纯硅芯之间的相对折射率差为0～0.1%；深掺氟包层采用纯二氧化硅深掺氟制成，深掺氟包层与芯层的相对折射率差为0.24%～0.28%；芯包过渡区中的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布，应力系数的绝对值范围在0.005～0.015之间；基点温度从900℃～950℃逐渐上升到1150℃～1200℃之间。本发明制造出的光纤在1550nm波段的衰减系数能降低到0.158dB/km以下。 | ||||||
| 6 | 一种VAD法制备光纤预制棒的装置及方法 | CN201410708948.2 | 2014-12-01 | CN104445915A | 2015-03-25 | 黄利伟; 张宏胜; 王瑞春; 顾立新; 孙建华; 朱方龙; 渠驰; 张文俊; 杨轶 |
| 本发明涉及一种VAD法制备光纤预制棒的装置及方法。装置包括反应腔体和立架，立架上设置垂直升降座，垂直升降座与旋转吊杆相连，反应腔体的一侧为进气端，另一端为排气端，反应腔体内安设有芯部喷灯和包层喷灯，在反应腔体的上方对应于芯部喷灯和包层喷灯开设开口联接上腔体，上腔体中通入旋转吊杆，其特征在于所述的排气端与包层排气管道和芯层排气管道分别相接，包层排气管道位于排气端的上方，芯层排气管道位于排气端的下方。在沉积过程中通过压力反馈系统控制保证芯层火焰及芯层沉积区域的稳定性。本发明能有效保障芯层沉积区域火焰的稳定性，使预制棒芯层部分沉积稳定可控，从而保证预制棒芯层直径等基本参数沿棒长均匀分布，最终保证芯层直径的稳定性，提高预制棒的制造质量。 | ||||||
| 7 | 一种光纤预制棒包层掺氟的方法 | CN201310126465.7 | 2013-04-11 | CN103224325B | 2015-03-11 | 冯高峰; 杨军勇; 章海峰; 葛锡良; 马静 |
| 本发明公开了一种光纤预制棒包层掺氟的方法，其包括以下步骤：在靶棒上沉积芯层松散体；加热芯层松散体的外表面形成致密层，使致密层的密度高于芯层松散体内部的密度；在致密层外沉积内包层松散体形成包括芯层松散体、内包层松散体的芯棒松散体；抽离靶棒在芯棒松散体中心形成中心孔；将芯棒松散体放入玻璃化炉中并在脱水气氛中加热脱水，加热的同时向中心孔内通入脱水气体；在氟化物气氛中加热芯棒松散体，使氟选择性地掺入内包层松散体中形成阶跃型折射率分布；玻璃化芯棒松散体，令中心孔缩孔、芯层松散体形成芯层、内包层松散体形成内包层，构成芯棒。可有效降低芯层中OH-含量，降低光纤1383nm的衰减；氟在包层径向上分布均匀。 | ||||||
| 8 | 一种制造凹陷包层超低水峰光纤芯棒的装置及其方法 | CN201210546942.0 | 2012-12-17 | CN103011578B | 2014-12-24 | 蒋新力; 徐希凯; 陈金文; 周慧; 钱本华 |
| 本发明一种制造凹陷包层超低水峰光纤芯棒的装置及其方法涉及的是一种使用低水峰芯棒和低水峰套管制造凹陷包层超低水峰光纤芯棒的装置及其方法。合成后的芯棒可以具有复杂的折射率剖面。包括芯棒组件、套管组件、高温热源、卡盘、旋转接头、外部供气管道和压力控制管；所述的芯棒组件由芯层棒和芯棒空心柄熔融对接制成，在芯棒空心柄靠近芯层棒的一端钻有若干个通气孔；所述的套管组件由内包层套管和套管空心柄熔融对接制成，套管组件的内包层套管套装在芯棒组件的芯层棒外部；芯棒组件的芯棒空心柄、套管空心柄分别装夹在玻璃车床的两个卡盘中，芯棒空心柄外端通过旋转接头和外部供气管道相连，高温热源设置在内包层套管的外侧。 | ||||||
| 9 | 光纤基材的制造方法以及光纤 | CN201280021801.5 | 2012-12-28 | CN103502164A | 2014-01-08 | 春名彻也; 平野正晃; 田村欣章 |
| 本发明提供一种通过在碱金属元素热扩散工序中抑制玻璃管内表面上异物的生成从而能够制造高质量光纤预制件的方法，该方法包括：(1)热扩散工序，其中，在将通过加热碱金属盐原料而生成的碱金属盐蒸汽从石英玻璃管的一端供给至内部的同时，用热源加热玻璃管外部，从而将碱金属元素热扩散到玻璃管内侧；(2)在热扩散工序后，通过使玻璃管塌缩并固化而形成芯棒的工序；以及(3)用于在芯棒周围附加包层部的工序。在热扩散开始时，将碱金属盐原料加热到使碱金属盐的蒸汽压为0.1kPa以下的温度，之后将碱金属盐原料加热到使碱金属盐的蒸汽压高于0.1kPa的温度。 | ||||||
| 10 | 低损耗光纤及其制造方法 | CN201310409732.1 | 2013-09-10 | CN103472529A | 2013-12-25 | 罗文勇; 李诗愈; 陈伟; 柯一礼; 杜城 |
| 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，涉及光纤领域，该低损耗光纤包括阶跃形波导，阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层、芯包过渡层、芯包界面过渡层、深掺氟包层、包套过渡层、包套界面过渡层和套管层，芯层采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成，芯层与纯硅芯之间的相对折射率差为0～0.1%；深掺氟包层采用纯二氧化硅深掺氟制成，深掺氟包层与芯层的相对折射率差为0.24%～0.28%；芯包过渡区中的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布，应力系数的绝对值范围在0.005～0.015之间；基点温度从900℃～950℃逐渐上升到1150℃～1200℃之间。本发明制造出的光纤在1550nm波段的衰减系数能降低到0.158dB/km以下。 | ||||||
| 11 | 低损耗大有效面积单模光纤及其制造方法 | CN201310409008.9 | 2013-09-10 | CN103472525A | 2013-12-25 | 陈伟; 李诗愈; 莫琦; 罗文勇; 杜城; 柯一礼; 雷琼; 但融; 张涛; 胡福明 |
| 本发明公开了一种低损耗大有效面积单模光纤及其制造方法，涉及光纤领域，该光纤包括由内至外依次排列的石英玻璃包层、内涂层和外涂层，石英玻璃包层内部还包括由内至外依次排列的第一纤芯区域、第二纤芯区域、第三纤芯区域、第四纤芯区域和折射率下凹包层，折射率下凹包层采用PCVD工艺进行沉积，石英玻璃包层采用OVD工艺或套管工艺制造。本发明能减小光纤的散射损耗和光纤弯曲状态下的附加损耗，将纤芯基模电磁场功率由尖顶分布调整为平顶分布，降低光功率密度，增大光纤的有效面积，降低光纤的非线性，使光纤通信系统入纤功率提高0.4～2.6dB，适合大规模生产。 | ||||||
| 12 | 光纤和光传输系统 | CN201280013079.0 | 2012-10-25 | CN103443673A | 2013-12-11 | 中西哲也; 小西达也; 桑原一也 |
| 一种由石英玻璃制成的低造价且低损耗的光纤（1）优选地用作光接入网络的光传输路径。该光纤设置有：芯部（11）；光学包层（12），其围绕着芯部；以及护套（13），其围绕着光学包层。芯部含有GeO2。芯部相对于光学包层的相对折射率差（Δ芯部）为0.35%至0.50%，并且芯部的折射率体积（v）为0.045μm2至0.095μm2。护套的相对折射率差（ΔJ）为0.03%至0.20%。构成芯部的玻璃的假想温度为1400℃至1590℃。芯部中的残余应力为压应力并且该残余压力的绝对值为5MPa以上。 | ||||||
| 13 | 一种弯曲不敏感单模光纤及其制备方法 | CN201110315627.2 | 2011-10-09 | CN103033874A | 2013-04-10 | 贺作为; 袁健; 孙贵林; 殷国亮; 张良; 宋君 |
| 一种弯曲不敏感单模光纤及其制备方法，光纤波导结构包括芯层和包层，包层设有三个包层分层——包层一、包层二、包层三，其中包层一和包层三都为纯二氧化硅玻璃层，包层二为掺杂包层，芯层和三个包层分层的相对折射率差都相对于包层三，其波导结构参数为：芯层的相对折射率差：0.30％≤Δ1≤0.85％，芯层半径3.5微米≤r≤5.0微米；包层二的相对折射率差：-55.00％≤Δ2≤-45.00％，包层二半径8.0微米≤r2≤15.0微米；包层一和包层三的折射率为纯二氧化硅玻璃折射率nc，包层一半径6.0微米≤r1≤12.5微米，包层三半径为62.0微米≤r3≤63.0微米。本发明的制备方法采用汽相轴向沉积法制作芯层和包层一，然后用套管法在芯层和包层一外制作包层二和包层三。本发明的光纤具有在小弯曲半径下附加损耗小、弯曲性能优异、机械强度高等特性，光学参数和几何尺寸与G.652光纤兼容。本发明提出的制备方法工艺简单，便于操作。 | ||||||
| 14 | 多模光纤 | CN201210374637.8 | 2012-09-29 | CN103030269A | 2013-04-10 | 星野寿美夫; 米泽和泰 |
| 本发明涉及一种多模光纤，与常规结构相比，这种多模光纤所具有的结构使其能稳定制造并且加宽了通信带宽。多模光纤具有掺杂有GeO2和氯且直径为2a的芯部。芯部中沿多模光纤直径方向的氯浓度分布具有这样的形状，使得在芯部半径方向与芯部中心的距离在0.9a~1.0a范围内的第二测量位置处的氯浓度，高于在芯部半径方向与芯部中心的距离为a/2的第一测量位置处的氯浓度。 | ||||||
| 15 | 一种稀土均匀掺杂光纤预制棒芯棒及其制备方法 | CN201210569631.6 | 2012-12-25 | CN102992613A | 2013-03-27 | 熊良明; 李江; 罗杰; 成煜; 邓涛; 韦会峰; 胡鹏 |
| 本发明涉及一种稀土均匀掺杂光纤预制棒芯棒及其制备方法，所述的芯棒以二氧化硅为基质，至少掺杂有一种稀土离子和一种共掺离子，稀土元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，掺杂的稀土氧化物浓度为0.05～0.5mol%；共掺离子为Al和P元素中的至少一种，其共掺剂浓度按氧化物形式计算，共掺剂氧化物浓度范围为0.4～10mol%。芯棒采用粉末成型－烧结法制备。本发明纤芯在轴向和径向具有高的掺杂均匀性；纤芯折射率剖面具有高平坦性；纤芯数值孔径(NA)精确可调；光纤具有高的斜率效率。基于上述掺稀土芯棒，通过外包技术，一根芯棒，可制造出多种不同结构的掺稀土光纤，即满足单包层单模、双包层单模、保偏双包层和大模场面积空气孔双包层等不同结构的掺稀土光纤的制造。 | ||||||
| 16 | 光纤预制棒的制造方法 | CN201010610166.7 | 2010-12-29 | CN102092936B | 2013-02-06 | 陈伟; 李诗愈; 莫琦; 罗文勇; 王冬香; 柯一礼; 黄文俊; 胡福明 |
| 本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法，包括步骤：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒，采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层；(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层，熔缩成光纤芯棒预制件；(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上，进行外包层的沉积，沉积完成后，将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明能够大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率，降低生产成本，便于规模化生产的推广，以满足高速宽带接入网络对弯曲不敏感单模光纤发展的需求，而且提升了氟的沉积效率，增大了氟沉积包层的下陷深度，显著提升了光纤的抗弯能力。 | ||||||
| 17 | 光纤和光纤预制件 | CN201210107137.8 | 2012-04-12 | CN102730977A | 2012-10-17 | 平野正晃; 春名彻也; 田村欣章 |
| 本发明涉及一种光纤和光纤预制件。所述光纤预制件包括芯部分，该芯部分具有包括中心轴的第一芯部分、围绕该第一芯部分设置的第二芯部分、以及围绕该第二芯部分设置的第三芯部分。所述第一芯部分含有10原子ppm以上的碱金属和10至600原子ppm的氯，所述第二芯部分含有10原子ppm以下的碱金属和10至600原子ppm的氯，所述第三芯部分含有10原子ppm以下的碱金属和2,000原子ppm以上的氯。本发明的光纤具有掺杂有碱金属和氯的芯区域，该芯区域中氯的最小浓度为1,000原子ppm以上，并且碱金属的平均浓度为0.2原子ppm以上。本发明光纤的衰减低，还具有优异的耐辐射性。 | ||||||
| 18 | 低损耗光纤的设计及其制造方法 | CN200610071692.4 | 2006-03-28 | CN1891649B | 2011-11-09 | 兰斯·吉布森; 大卫·贝克翰姆; 小罗伯特·林格尔 |
| 本说明书说明一种借助混合VAD/MCVD处理过程生产的改进的光纤。光纤的纤芯用VAD生产，而内包层有凹陷的折射率并用MCVD生产。在优选的实施例中，光功率包络基本上全部包含在VAD生产的纤芯材料和MCVD生产的凹陷折射率包层材料中。借助把绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯，以及借助使无掺杂石英区中的光功率最大化，使光损耗达到最小。MCVD衬底管材料中基本上没有光功率。 | ||||||
| 19 | 一种高衰减光纤及其制造方法 | CN201010556038.9 | 2010-11-24 | CN102073093A | 2011-05-25 | 陈伟; 李诗愈; 张涛; 胡鹏; 杜诚; 王冬香; 罗文勇; 黄文俊; 胡福明; 莫琦; 柯一礼 |
| 本发明涉及光纤制造技术领域，具体说是一种高衰减光纤及其制造方法，包括芯层和围绕芯层的包层，在包层外表面涂覆有有机涂层材料，所述芯层由对1250nm～1625nm波长的光有较大吸收能力、且在该波段内具有平坦的吸收特性的金属离子组成，所述金属离子包括金属钴离子和金属铁离子，或金属钴离子和金属铬离子。本发明所述的高衰减光纤及其制造方法，能够满足大容量密集波分通信系统、大功率CATV系统，以及其它电信系统的应用需求，改善系统的传输与接收性能。 | ||||||
| 20 | 一种光纤预制棒生产方法 | CN200510050238.6 | 2005-04-13 | CN1847179B | 2010-09-08 | 卢卫民; 森昭彦; 李群星; 陈海斌 |
| 本发明涉及光纤制造领域，特别是一种光纤预制棒生产方法。当前实际生产中要使折射率形成理想阶跃式分布非常困难，添加到纤芯内部的掺杂物如Ge元素会向外面的包层扩散，使纤芯和包层临界面折射率急剧变化，形成一个有坡度的斜率变化。本发明的目的是提供一种光纤预制棒生产方法，通过改变预制棒剖面折射率分布形状，在松散体合成到脱水、玻璃化过程中控制折射率分布，采用加氧、配置合成喷灯或调节烧结温度和速度三种方式调整预制棒剖面折射率分布形状，使其分布接近理想状态，提高拉制出的光纤质量。 | ||||||
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