| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 221 | Verfahren zur Durchführung ortsselektiver katalytischer Reaktionen mit oder auf Festkörperoberflächen im Nanometer- und Subnanometer-Bereich | EP92112672.8 | 1992-07-24 | EP0527370A1 | 1993-02-17 | Fuchs, Harald, Dr.; Schimmel, Thomas, Dr. |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Durchführung ortsselektiver katalytischer Reaktionen mit oder auf Festkörperoberflächen im Nanometer- und Subnanometerbereich, wobei die betreffende Oberfläche mittels einer das katalytische Material aufweisenden oberflächensensitiven Rastersonde chemisch modifiziert wird sowie die Verwendung dieses Verfahrens zur Informationsspeicherung. |
||||||
| 222 | SURFACE ATOM MACHINING METHOD AND APPARATUS | EP92902728.2 | 1992-01-10 | EP0522168A1 | 1993-01-13 | ICHIKAWA, Masakazu 1-50-11, Okusawa; HOSOKI, Shigeyuki 2-17-24, Nanyodai; UCHIDA, Fumihiko 725-15, Narahara-cho; KATO, Shigeo 1-21-21, Iguchi; FUJISAKI, Yoshihisa 1-21-32-301, Momijigaoka; FUJISAKI, Sumiko 1-21-32-301, Momijigaoka; KIKUGAWA, Atsushi Hitachi-Koigakubo-Ryo 74; IMURA, Ryo; AOI, Hajime 4-17-44, Wakaba-sho; NAKAGAWA, Kiyokazu Sayama-Nyutaun 108-2; MURAKAMI, Eiichi Hitachi-Koyasudai-Apart A404 |
A method of finely machining solid surface and, particularly, a novel method and apparatus for machining the surfaces of solid elements on an atomic scale in order to prepare very fine elements and for recording data at ultra-high density. A probe (1) having a sharp end is disposed being opposed to the surface of a sample (4) that is to be machined, a voltage is applied between the probe and the sample to form an electric field large enough to field-vaporize atoms (5) constituting the sample or to field-vaporize atoms (6) constituting the probe. Atoms constituting the sample are field-vaporized and are split off the sample surface or atoms constituting the probe are field-vaporized and are adhered onto the sample surface, thereby to finely machine the sample surface on an atomic scale. Furthermore, a voltage is applied like pulses at any desired position on the sample surface to generate field-vaporization between the probe and the sample while observing the sample surface on an atomic scale based on a surface observation method using a scanning tunnel microscope, in order to remove atoms one by one from the sample surface by field-vaporization. |
||||||
| 223 | Method and apparatus for processing a fine pattern | EP89122906.4 | 1989-12-12 | EP0376045A3 | 1991-01-16 | Yamaguchi, Hiroshi; Saito, Keiya; Miyauchi, Tateoki |
A method and apparatus for processing a fine pattern of a sample of one of an electronic device, molecular device and bioelemtn device, wherein a needle having a sharpened tip is disposed in opposed relation to the sample with a gap therebetween. A voltage is applied between the needle and the sample so as to enable a tunnel current and/or a field emission current to flow therebetween and the fine pattern is provided to correct the fine pattern by effecting at least one of removal, repositioning, annealing and film formation of at least one of individual atoms and individual molecules. |
||||||
| 224 | Method and apparatus for processing a fine pattern | EP89122906.4 | 1989-12-12 | EP0376045A2 | 1990-07-04 | Yamaguchi, Hiroshi; Saito, Keiya; Miyauchi, Tateoki |
A method and apparatus for processing a fine pattern of a sample of one of an electronic device, molecular device and bioelemtn device, wherein a needle having a sharpened tip is disposed in opposed relation to the sample with a gap therebetween. A voltage is applied between the needle and the sample so as to enable a tunnel current and/or a field emission current to flow therebetween and the fine pattern is provided to correct the fine pattern by effecting at least one of removal, repositioning, annealing and film formation of at least one of individual atoms and individual molecules. |
||||||
| 225 | Information recording and readout | EP85306501.9 | 1985-09-12 | EP0174860A2 | 1986-03-19 | Kazan, Benjamin; Hagstrom, Stig B.M. |
@ A recording and readout information system having atomic scale densities comprises a recording medium having a carrier (16) and means (20, 30) to form a pattern of atomic paticles (18A) on the surface of the carrier. The atomic particles have an affinity for the carrier and can adhere to the surface to form a relatively adhesive and stable bond. The pattern of atomic particles produced on the carrier are representative of recorded information, e.g. binary represented information, of ultra high density based upon the size and spacing of such particles, which is in the range, for example, of 5A (.5 nm) to 10A (1 nm). A preferred embodiment of the invention comprises a recording medium with an adsorbent carrier, and means to form a pattern of adsorbate atomic particles on the surface of the adsorbent carrier, the adsorbate atomic particles having an adsorptive affinity for the adsorbent carrier due - at least in part - to electrical attraction characteristics between the adsorbate atomic partiles and the adsorbent carrier. Readout means (30), utilizing the tunnel current effect, is employed to determine the presence or absence of the atomic particles on the surface of the carrier and produce an electrical signal representative of the pattern of recorded information on the recording medium. |
||||||
| 226 | Method for depositing material with nanometer dimensions | EP85105243.1 | 1985-04-30 | EP0166119A1 | 1986-01-02 | Binnig, Gerd Karl; Gerber, Christoph Emanuel; Rohrer, Heinrich; Weibel, Edmund |
This method involves the deposition of free metal atoms (4) from the apex (5) of a pointed tip (1) supported at a distance of 10 to 20 nm from a substrate (2). The atoms (4) are being field-desorbed under the influence of a strong electric field existing between the tip (1) and the substrate (2). With the tip (1) being moved across the substrate (2), a narrow trave (6) of metal atoms will be deposited on the substrate. |
||||||
| 227 | 大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイの作製工程 | JP2016572503 | 2014-06-25 | JP6391716B2 | 2018-09-19 | リー ウー; シン ジョン ホー |
| 228 | 量子ドット薄膜形成方法 | JP2016535235 | 2014-12-09 | JP6243035B2 | 2017-12-06 | シム,ヒュン−チョル; ジョン,ソ−ヒ; チャン,ウォン−ソク |
| 229 | 透明導体用の極細金属ナノワイヤーの製造方法 | JP2017516162 | 2015-09-25 | JP2017534755A | 2017-11-24 | ヤン，ペイドン; サン，ジャンウェイ; ユー，イー; クイ，ファン |
| 本開示は、極細金属ナノワイヤーを製造する方法、及び極細で細長い銅ナノ構造体を製造する方法を提供する。これらの方法により製造される金属ナノワイヤー、及び透明導体としての金属ナノワイヤーの使用も主張する。主張する方法は、a)シラン系還元剤、銅金属塩、及び溶媒でもあり得る表面配位子を含む反応混合物を形成するステップ、並びに、b)前記反応混合物を1〜48時間、撹拌しながら又は撹拌せずに、高温に加熱し、維持するステップを含む。銅金属塩の例には、CuI、CuBr、CuCl、CuF、CuSCN、CuCl2、CuBr2、CuF2、Cu(OH)2、D-グルコン酸銅、CuMoO4、Cu(NO3)2、Cu(ClO4)2、CuP2O7、CuSeO3、CuSO4、酒石酸銅、Cu(BF4)2、Cu(NH3)4SO4、及び前記物質の任意の水和物がある。シラン系還元剤の例には、トリエチルシラン、トリメチルシラン、トリイソプロピルシラン、トリフェニルシラン、トリ-n-プロピルシラン、トリ-n-ヘキシルシラン、トリエトキシシラン、トリス(トリメチルシロキシ)シラン、トリス(トリメチルシリル)シラン、ジ-tert-ブチルメチルシラン、ジエチルメチルシラン、ジイソプロピルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルシラン、エチルジメチルシラン、エチルジクロロシラン、メチルジクロロシラン、メチルジエトキシシラン、オクタデシルジメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルメチルクロロシラン、1,1,4,4-テトラメチル-1,4-ジシラブタン、トリクロロシラン、ジメチルシラン、ジ-tert-ブチルシラン、ジクロロシラン、ジエチルシラン、ジフェニルシラン、フェニルメチルシラン、n-ヘキシルシラン、n-オクタデシルシラン、n-オクチルシラン、及びフェニルシランがある。表面配位子の例には、オレイルアミン、トリオクチルホスフィンオキシド、オレイン酸、1,2-ヘキサデカンジオール、トリオクチルホスフィン、又は前記物質の任意の組み合わせがある。前記透明導体が使用されるデバイスの例には、LCDディスプレー、LEDディスプレー、光起電装置、タッチパネル、ソーラーパネル、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)、OLEDディスプレー、及びエレクトロクロミックウィンドウがある。【選択図】図2 | ||||||
| 230 | 担体に担持された中空金属ナノ粒子を含む触媒の製造方法 | JP2015546403 | 2013-12-27 | JP6172482B2 | 2017-08-02 | チョ、ジュン ヨン; キム、サン フーン; ファン、ギョ ヒュン; キム、クワンギュン |
| 231 | 大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイの作製工程 | JP2016572503 | 2014-06-25 | JP2017517897A | 2017-06-29 | ウー リー; ジョン ホー シン |
| 本発明は、ボトムアップ式方式でGaAs半導体ナノワイヤーを製造する方法に関し、メッシュ状の金属薄膜を大面積に作製する経済的な方法により作製された金属薄膜をアノード(anode)として用いて外部から電圧および電流を印加してガリウムヒ素基板に正孔(h+)を注入させることで湿式エッチング工程を誘導し続けて垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイを大面積に作製する方法に関する。得られる大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーは、太陽電池、トランジスター、発光ダイオードなどナノ素子の作製に応用することができる。本発明によれば、ガリウムヒ素半導体ナノワイヤーの直径は、金属薄膜のメッシュのサイズの制御により調節することができ、ガリウムヒ素半導体ナノワイヤーの長さは、エッチング時間、印加電圧および印加電流を制御することにより自由に調節され、ガリウムヒ素半導体ナノワイヤーは、他のIII‐V半導体ナノワイヤーアレイの製造にも応用することができる。【選択図】図1 | ||||||
| 232 | 相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法 | JP2014153199 | 2014-07-28 | JP2015046590A | 2015-03-12 | MATSUMIYA YU; SESHIMO TAKEHIRO; MIYAGI MASARU; MAEBASHI TAKAYA; DAZAI NAOHIRO; UTSUMI YOSHIYUKI |
| 【課題】相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法の提供。【解決手段】支持体上に、中性化膜からなる層を形成する工程、中性化膜からなる層の上に、PAブロックと、他の構成単位から成るPBブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程、当該ブロックコポリマーを含む層をアニールする工程、を有する相分離構造を含む構造体の製造方法であって、PAブロック、PBブロック、及び中性化膜のそれぞれの表面自由エネルギーを、(分散成分(d)0.5,極性成分(p)0.5)の座標平面上に、PAブロックの点A((dPA)0.5,(pPA)0.5)、PBブロックの点B((dPB)0.5,(pPB)0.5)、中性化膜の点N((dPN)0.5,(pPN)0.5)、で示したとき、中性化膜の点Nは、所定の範囲内にあることを特徴とする相分離構造を含む構造体の製造方法。【選択図】図1 | ||||||
| 233 | 再充電可能リチウム−硫黄電池のための結合剤を含まない硫黄−カーボンナノチューブ複合体カソードおよびその作製方法 | JP2014548942 | 2012-12-21 | JP2015506899A | 2015-03-05 | アルムガム マンシラム，; ユ−シェン スー， |
| 本開示は、カーボンナノチューブのシート、およびカーボンナノチューブ上に核形成された硫黄を含む、硫黄−カーボンナノチューブ複合体と、その合成方法とを含む。いくつかの実施形態では、硫黄−炭素複合体はさらに、結合剤を含まなくてもよくかつカーボンナノチューブのシートを含んでいてもよく、結合剤および集電器が不要になる。本開示のその他の実施形態では、硫黄−カーボンナノチューブ複合体を含むカソードが開示される。本開示の追加の実施形態では、電池が、本明細書に記述されるカソードを含んでいてもよい。それらの電池は、高レート特性を実現することができる。 | ||||||
| 234 | Method and system for printing nanowires and other electrical elements are oriented | JP2010507581 | 2008-05-05 | JP5606905B2 | 2014-10-15 | パース ジェイ．ウォーラス; エム．ハミルトン ジェームス; マーティン サミュエル; フリーア エリック |
| 235 | Method of manufacturing a twisted carbon nanotube wire | JP2010161696 | 2010-07-16 | JP5243495B2 | 2013-07-24 | ▲カイ▼ 劉; 睿風 周; 穎慧 孫; 開利 姜; 亮 劉; 守善 ▲ハン▼ |
| The present invention relates to a method for making a twisted carbon nanotube wire. Two opposite ends of the at least one carbon nanotube film is clamped by two clamps. The two clamps is pulled along two reversed directions to stretch the at least one carbon nanotube film. The at least one carbon nanotube film is twisted by rotating the two clamps while the at least one carbon nanotube film is in a straightening state. | ||||||
| 236 | The application of light energy to nanoparticles for the manufacture of a particular nanostructure | JP2012520792 | 2010-07-15 | JP2012533438A | 2012-12-27 | ズヴィ・ヤニフ; ナン・ジアン; ジェームズ・ピー・ノヴァク; リチャード・エル・フィンク |
| ナノ構造体を生成するために、所定の条件下でナノ粒子材料の１つまたは複数の層に光エネルギーを印加することによって製品が作製される。 ナノ構造体は、所定の細孔密度、所定の細孔径、またはこれらの両方を含む、光融合したナノ粒子の層を有する。 光エネルギーを印加するための所定の条件は、所定の電圧、所定の時間、所定の出力密度、またはこれらの組合せを含み得る。 | ||||||
| 237 | Microscope with a light controllable device, and an apparatus having an optical controllable probe | JP2007522035 | 2005-07-25 | JP5058795B2 | 2012-10-24 | トウリー、マイケル; ボッチウェイ、スタンリー、ウォルター; ワード、アンドリュー、デイヴィッド |
| 238 | Inorganic-organic hybrid particles, and a method of manufacturing the same. | JP2009030628 | 2009-02-13 | JP5008009B2 | 2012-08-22 | 和孝 小池; 究 本吉; 剛志 樋口; 浩 藪 |
| An object of the present invention is to provide an inorganic-organic hybrid particle which has a structure where an organic material composed of two or more different components forms separate phases, wherein an inorganic material is included in the phase, and a method for producing the inorganic-organic hybrid particle. The above object is solved by an inorganic-organic hybrid particle which has a structure where an organic material composed of two or more different components forms separate phases, wherein one or more inorganic materials are included in at least one phase. | ||||||
| 239 | Structure and a method of manufacturing the same, including the high aspect ratio molecular structure | JP2011546895 | 2010-01-27 | JP2012516277A | 2012-07-19 | ブラッドリー ジェイ． アイチソン; エスコ アイ． カッピネン; アルバート ジー． ナシブリン; デイビッド ピー． ブラウン |
| 高アスペクト比分子構造（ＨＡＲＭ構造）を含む構造であって、その構造は、ＨＡＲＭ構造の実質的に平面なネットワーク（２）、およびネットワーク（２）と接触する支持体（３）を含む。 支持体（３）は、その中に開口部（５）を有し、その開口部（５）の周辺領域（４）において、ネットワーク（２）は支持体（３）と接触し、それによって、ネットワーク（２）の中央部分は支持体（３）に支持されない。 ネットワーク（２）は実質的にランダムに配向されたＨＡＲＭ構造を含む。
【選択図】図１ｄ |
||||||
| 240 | Patterning of solid body feature by direct input nanolithographic printing | JP2011242635 | 2011-11-04 | JP2012060146A | 2012-03-22 | MIRKIN CHAD A; DRAVID VINAYAK P; SU MING; LIU XIAOGANG |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved high-resolution direct patterning technology for moving ink to a substrate using a nanoscopic chip.SOLUTION: A method of this invention for manufacturing an organic/inorganic composite nanostructure on a substrate comprises a step for attaching a liquid having a block copolymer and an inorganic precursor on a substrate by using dip-pen nanolithography. The nanostructure comprises a line having a width/diameter less than 1 micron and/or a dotted array. This invention comprises a device including an inorganic/organic composite nanoscale region having a nanoscale diameter other than height. | ||||||
