| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 放大器 | CN201410498423.0 | 2014-09-25 | CN104518745B | 2017-10-13 | 川野阳一; 山浦新司 |
| 一种放大器包括：两个输入端子，该两个输入端子接收差分的、双音调的传输信号；两个输出端子；线圈，该线圈具有分别与输入端子连接的端子，并且该线圈具有中心抽头；第一晶体管，该第一晶体管具有与线圈的一个端子连接的栅极，并且第一晶体管的输出端子与一个输出端子连接；第二晶体管，该第二晶体管具有与线圈的另一端子连接的栅极，并且第二晶体管的输出端子与另一输出端子连接；二极管，该二极管具有与中心抽头连接的端子；以及偏压电路，该偏压电路与二极管的另一端子连接以输出栅极电压来接通第一晶体管和第二晶体管。二极管根据从中心抽头供应到二极管的端子的传输信号的二次谐波的信号电平来调整端子电压。 | ||||||
| 2 | 发射器，调谐发射器的方法和无线电场功率传输系统 | CN201611216620.4 | 2012-09-07 | CN106972641A | 2017-07-21 | 纳格什·波鲁; 默罕默德·贾汉吉尔·阿拉姆; 谢赫·莫米姆·伊斯兰; 尼马·苏丹尼 |
| 本发明涉及发射器，调谐发射器的方法和无线电场功率传输系统。用于无线地发射功率的发射器包括：天线，用于创建电场，所述天线包括至少一个导体；连接到所述天线的线圈；以及连接到所述线圈的谐振器，用于使所述线圈和所述导体以谐振频率谐振，所述谐振器包括调谐电路，所述调谐电路具有被配置成感测所述天线处的输出的传感器，其中所述天线基于所感测的输出接收反馈信号。 | ||||||
| 3 | 高效功率放大器 | CN201280037899.3 | 2012-07-17 | CN103748785B | 2017-07-18 | 亨里克·索兰德; 乔纳斯·林德斯特兰德; 卡尔·布莱恩特 |
| 一种功率放大器电路（100）包括：包括一对交叉联接的共源共栅晶体管（112）的交叉联接的共源共栅晶体管单元（110）；包括一对交叉联接的开关晶体管（122）的交叉联接的开关晶体管单元（120）；和RF电流发生器（130）。RF电流发生器（130）产生差分RF注入电流，而开关晶体管单元（120）放大该注入电流以在放大器电路（100）的宽频带节点处产生放大的注入电流，且共源共栅晶体管单元（110）进一步放大该注入电流以在放大器电路（100）的输出端处产生所需的放大信号。输出信号振幅通常取决于差分注入电流以及施加到功率放大器电路（100）的电源电压V00。 | ||||||
| 4 | 射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路 | CN201210384218.2 | 2012-10-11 | CN103051328B | 2017-04-12 | 小林友直 |
| 本发明的目的在于提供一种射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路，其能够稳定工作并且快速地下降射频脉冲信号的波形。漏极切换电路（21）具有n型的第一、第二、第三的FET（211）、（212）、（213）。控制脉冲施加至第一、第三的FET的栅极，源极接地。第一FET的漏极连接于第二FET的栅极，驱动电压（Vds）施加于第二FET的漏极。连接第二FET的源极与第三FET的漏极，连接点连接于功率FET（31）的漏极。在第二FET的栅源极间，连接有供应用于补偿第二FET从关断状态向导通状态跃迁时的栅极电压的电荷的电容（215）。 | ||||||
| 5 | 具有高功率附加效率的倒装芯片线性功率放大器 | CN201280061047.8 | 2012-11-09 | CN103988424B | 2017-03-08 | G.张; H.B.莫迪; J.J.乔什; B.维加亚库玛; D.V.霍安格 |
| 公开一种用于改进在倒装芯片配置中实现的射频功率放大器的功率附加效率和线性的设备和方法。在一些实施例中，可以提供谐波端接电路，以便与被配置为提供在基频处的阻抗匹配的输出匹配网络分开。所述谐波端接电路可以被配置为在与所述功率放大器输出的谐波频率对应的相位处终止。这种分开的基本匹配网络和谐波端接电路的配置允许分开地调谐每一个从而改进例如功率附加效率和线性的性能参数。 | ||||||
| 6 | 高效率功率放大器 | CN201280041707.6 | 2012-08-29 | CN103765765B | 2017-02-15 | 神山仁宏; 石川亮; 本城和彦 |
| 本发明的高效率功率放大器包括晶体管和输出功率处理电路部。输出功率处理电路部包括输出匹配电路部和输出谐波处理电路部。输出匹配电路部执行对于输出功率的基波分量的阻抗匹配。输出谐波处理电路部执行对于多个谐波功率分量的无功功率的无功功率控制，所述谐波功率分量分别具有是输出功率的基本角频率的整数倍的多个谐波角频率。输出谐波处理电路部形成为通过将无功功率中的电流和电压的相位正交化来对多个谐波功率分量中的至少一个实现无功功率控制。 | ||||||
| 7 | 用于改进的回退操作的一类功率放大器 | CN201210314595.9 | 2012-08-30 | CN102969988B | 2016-12-21 | S.皮纳雷洛; J-E.米勒 |
| 本发明公开了用于改进的回退操作的一类功率放大器。本发明的一个实施例涉及一种功率放大器，其包括以串并联矩阵配置连接的多个放大元件，所述串并联矩阵配置包含具有串联连接的放大元件的并联列。所述并联列被连接到公共输出路径，所述公共输出路径被耦合到配置成将相等的供电电压提供给每列的供电电压源。一个或多个输入信号（例如RF输入信号）通过第一行放大元件上的输入端子被连接到功率放大器。剩余的放大元件具有连接到独立控制信号的控制端子，这允许每个放大元件独立于该矩阵中的其他放大元件而被操作。放大元件的该选择性操作允许在宽范围的功率放大器输出功率上改进的效率。 | ||||||
| 8 | 隔离的零度无功射频高功率合成器 | CN201280020585.2 | 2012-04-23 | CN103609019B | 2016-08-31 | 洪亮; M·霍杰茨 |
| 一种示例性的通信设备包括合成器，该合成器具有被配置为与第一放大器(24)耦合的第一传输线(22)。第二传输线(26)被配置为与第二放大器(28)耦合。第三传输线(30)与第一和第二传输线(22、26)耦合。隔离模块(32)与第一和第二传输线(22、26)耦合。隔离模块(32)具有电阻、电容和电感，该电阻、电容和电感被配置为将第一放大器(24)与第二放大器(28)隔离，并且如果放大器(24、28)之一不起作用，则为第一和第二传输线(22、26)提供RF匹配。 | ||||||
| 9 | 用于包络跟踪的装置和方法 | CN201380013231.X | 2013-02-05 | CN104185953B | 2016-08-17 | F.G.巴尔特努; D.S.利普里; S.克斯巴克; J.G.斯特拉勒; R.Z.艾吉斯泽夫斯基; Y.A.特卡申科 |
| 这里公开了一种用于包络跟踪的装置和方法。在某些实现方式中，提供一种用于生成功率放大器的功率放大器电源电压的包络跟踪系统。所述包络跟踪系统可以包括被配置为并行操作以基于由功率放大器放大的RF信号的包络控制功率放大器电源电压的电压电平的降压转换器和误差放大器。降压转换器可以将电池电压转换为基于误差电流的降压电压，误差放大器可以通过使用基于RF输入信号的包络的输出电流调整降压电压的幅度来生成功率放大器电源电压。误差放大器可以通过关于输出电流的幅度改变误差电流的幅度来控制降压转换器。 | ||||||
| 10 | 用于包络跟踪的装置和方法 | CN201280028782.9 | 2012-04-24 | CN103597741B | 2016-08-17 | F.G.巴尔特亚努; S.克斯巴克; Y.A.特卡申科; R.J.汤普森; D.S.利普里 |
| 公开一种用于包络跟踪的装置和方法。在一个实施例中，提供包括功率放大器（32）和包络跟踪器（30）的功率放大器系统。所述功率放大器被配置为放大射频（RF）信号，并且所述包络跟踪器被配置为使用所述RF信号的包络控制所述功率放大器的供应电压。所述包络跟踪器包括用于从电池电压生成降压电压的降压转换器（73）以及用于基于所述RF信号的包络调整所述降压电压以生成所述功率放大器的供应电压的数字到模拟转换（DAC）模块（78，79）。 | ||||||
| 11 | 功率放大电路 | CN201280007353.3 | 2012-01-31 | CN103348590B | 2016-08-10 | 荒俣智英 |
| 在双型无线通信设备的发送装置中使用的发送模块的功率放大电路中，从功率放大器输出的传输信号直接输入到开关，并被分配给各频带。也就是说，由于开关安装在传输信号的主线路中，因此，传输信号将在开关处产生电损耗、信号失真，而且，对开关本身要求具有较优的电功率处理特性。电路结构如图所示。若输入第一频带信号，则开关（SW11）导通，LC并联谐振电路（13a）变为谐振状态，传输信号以电容器（C12）的线路为主线路来进行传输。若输入第二频带信号，则开关（SW12）导通，LC并联谐振电路（13b）变为谐振状态，传输信号以电容器（C11）的线路为主线路来进行传输。因此，传输信号不会以安装有开关的线路为主线路通过。 | ||||||
| 12 | 高频功率放大器及其工作方法 | CN201110048769.7 | 2011-02-25 | CN102170270B | 2016-06-29 | 太田生马; 林范雄; 筒井孝幸; 森泽文雅; 长谷昌俊 |
| 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。 | ||||||
| 13 | 高频功率放大器 | CN201210155265.X | 2012-05-18 | CN102790591B | 2016-03-30 | 渡边晋太郎; 弥政和宏; 前原宏昭; 高相纯 |
| 本发明涉及高频功率放大器。获得一种能够同时进行阻抗匹配的切换和路径的切换，能够使电路设计的自由度提高的高频功率放大器。晶体管（Tr1）对从外部输入的高频信号进行放大。晶体管（Tr2）对晶体管（Tr1）的输出信号进行放大。晶体管（Tr3）与晶体管（Tr1）并联连接，并对从外部输入的高频信号进行放大。在晶体管（Tr1）的输出和晶体管（Tr2）的输入之间连接有切换元件（SW1）。在晶体管（Tr3）的输出和切换元件（SW1）之间连接有切换元件（SW2）。在晶体管（Tr1）的输出及切换元件（SW2）和晶体管（Tr2）的输出之间串联连接有切换元件（SW3、SW4）。在切换元件（SW3）和切换元件（SW4）之间连接有电容器（C1）。 | ||||||
| 14 | 多模功率放大器及相应的移动通信终端 | CN201310595507.1 | 2013-11-21 | CN103580610B | 2016-03-16 | 宣凯 |
| 本发明公开了一种多模功率放大器，其具有低、中、高三种功率模式，其包括调节控制电路、AMP1、分路器件、AMP2，以及低、中和高三个功率输出匹配电路。在低功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第一功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至低功率输出匹配电路。在中功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至中功率输出匹配电路。在高功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至AMP2，AMP2的输出端与高功率输出匹配电路的输入端相连。这样，采用两个功率放大单元即可以实现低、中和高三个功率模式，占用芯片面积小，制造成本较低。 | ||||||
| 15 | 功率放大器 | CN201210274868.1 | 2012-08-03 | CN102916662B | 2016-03-02 | 三轮真一; 塚原良洋; 金谷康; 小坂尚希 |
| 本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。 | ||||||
| 16 | 一种用于磁共振成像射频线圈的前置放大器 | CN201410226536.5 | 2014-05-27 | CN105301534A | 2016-02-03 | 张松涛; 王豪 |
| 本发明公开了磁共振成像领域的一种用于磁共振成像射频线圈的前置放大器，包括输入匹配电路、放大电路和输出匹配电路，以及用于对经过所述放大电路放大后的磁共振信号进行滤波的窄带滤波器。其技术效果是：该用于磁共振成像射频线圈的前置放大器在磁共振信号频率点附近很小的范围内产生磁共振成像所需的增益，而在其它频率处只产生非常小的增益或者完全不具备放大功能，从而大幅降低磁共振成像射频线圈振荡的可能性。本发明还提供了一种可实现上述技术效果的用于磁共振成像射频线圈的前置放大器，包括输入匹配电路、一级放大电路、窄带滤波电路、二级放大电路和输出匹配电路。 | ||||||
| 17 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689A | 2016-01-27 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
| 18 | 具有多合体扩展的高频功率放大器 | CN201180005312.6 | 2011-08-03 | CN102696172B | 2015-12-02 | 洛塔尔·申克 |
| 一种高频功率放大器，包括宽带放大器(30)、DOHERTY扩展(31)和耦合设备(33)。所述宽带放大器(30)具有功率分配器(34)、主放大器路径(64)和辅助放大器路径(65)。所述DOHERTY扩展(31)具有第一偏置线(60)、第二偏置线(61)和阻抗转换器(62)。所述宽带放大器(30)放大输入信号并把放大后的信号提供给所述DOHERTY扩展(31)或所述耦合设备(33)。 | ||||||
| 19 | 线性化电路 | CN201510266552.1 | 2015-05-22 | CN105099376A | 2015-11-25 | 金谷康 |
| 本发明得到一种能够降低成本和插入损耗并提高成品率的线性化电路。分支电路(1)具有输入传输线路(1a)和输出传输线路(1b、1c)。输入传输线路(1a)连接在输入端子(IN)和分支点之间。输出传输线路(1b)连接在分支点和输出端子(OUT1)之间，输出传输线路(1c)连接在分支点和输出端子(OUT2)之间。二极管(2)的正极与分支点连接，负极接地。偏置电路(3)对二极管(2)进行偏置。 | ||||||
| 20 | 可调谐宽带激励放大器 | CN201380065858.X | 2013-12-17 | CN104871429A | 2015-08-26 | H·冯; V·V·帕尼卡什; J·G·衫卡拉那拉亚南; B·S·阿苏里 |
| 公开了一种可调谐宽带激励放大器。在一示例性实施例中，一种装置包括选择性地连接在放大器的输出端和电路接地之间的第一频带选择电路。第一频带选择电路被配置成将放大频带从第一频带调整到第二频带。该装置还包括第一谐波减少电路，第一谐波减少电路选择性地连接在第一频带选择电路和电路接地之间且被配置成在放大频带被设置成第一频带时减少与第一频带相关联的二次谐波频率。 | ||||||
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