| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 高效功率放大器 | CN201280037899.3 | 2012-07-17 | CN103748785A | 2014-04-23 | 亨里克·索兰德; 乔纳斯·林德斯特兰德; 卡尔·布莱恩特 |
| 一种功率放大器电路（100）包括：包括一对交叉联接的共源共栅晶体管（112）的交叉联接的共源共栅晶体管单元（110）；包括一对交叉联接的开关晶体管（122）的交叉联接的开关晶体管单元（120）；和RF电流发生器（130）。RF电流发生器（130）产生差分RF注入电流，而开关晶体管单元（120）放大该注入电流以在放大器电路（100）的宽频带节点处产生放大的注入电流，且共源共栅晶体管单元（110）进一步放大该注入电流以在放大器电路（100）的输出端处产生所需的放大信号。输出信号振幅通常取决于差分注入电流以及施加到功率放大器电路（100）的电源电压V00。 | ||||||
| 122 | 用于控制功率放大器的运行的控制电路和方法 | CN201310480352.7 | 2013-10-15 | CN103731107A | 2014-04-16 | A.朗格 |
| 本发明涉及用于控制功率放大器的运行的控制电路和方法。提供了一种用于控制功率放大器核心的运行的控制电路和方法。功率放大器核心在包络跟踪运行模式和非包络跟踪运行模式之间是可切换的。控制电路被配置成提供控制信号用于控制功率放大器核心的运行，或者取决于功率放大器核心的运行模式来处理接收自功率放大器核心的被放大的信号。 | ||||||
| 123 | 用于共源共栅放大器的系统和方法 | CN201310265704.7 | 2013-06-28 | CN103532506A | 2014-01-22 | M.马塔尔恩; C.舒伯特; D.泽巴歇尔; P.辛格尔 |
| 本发明涉及用于共源共栅放大器的系统和方法。根据实施例，一种系统包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管具有被耦合到第一信号输入端的第一输入节点、被耦合到第一公共节点的第一输出节点以及被耦合到第一参考电压的第一参考节点，并且第二晶体管具有被耦合到第二信号输入端的第二输入节点、被耦合到系统输出端的第二输出节点以及被耦合到第一公共节点的第二参考节点。该系统还包括将第一公共节点可切换地耦合到第二参考电压的第一开关。 | ||||||
| 124 | 场效应晶体管 | CN201010178281.1 | 2010-05-11 | CN101894863B | 2013-12-04 | 竹中功; 麻埜和则; 石仓幸治 |
| 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。 | ||||||
| 125 | 复合放大器、无线终端和用于提高复合放大器效率的方法 | CN200780101565.7 | 2007-11-19 | CN101868912B | 2013-07-24 | 乌尔夫·古斯塔夫松; 里卡德·赫尔贝里 |
| 本发明具体涉及一种复合放大器(3、4、120)、一种包括这种复合放大器的无线终端(100)和一种用于提高这种复合放大器的效率的方法。根据本发明实施例的复合放大器被布置为连接至输出组合器网络(43、53、63、73、83)和负载(49、130)，输出组合器网络包括至少一个动态可调谐电抗(47、48)。通过调谐从所述至少两个功率放大器(41、42、71、72)中的每一个看去的阻抗/导纳来提高复合放大器(3、4、120)的瞬时效率。所述放大器以不同方式驱动，并且这些放大器还可以是Chireix异相系统或Doherty放大器对的一部分。 | ||||||
| 126 | 用于多频带功率放大器的阻抗匹配网络形式的装置 | CN201310041030.2 | 2013-01-09 | CN103199805A | 2013-07-10 | 段春杰; 龙翕; 张坤好 |
| 本发明涉及用于多频带功率放大器的阻抗匹配网络形式的装置。用于RF功率放大器的多频带匹配网络利用并联连接的多个阻抗变换器分支。每个变换器分支在一个频带实现匹配。每个变换器分支的芯连接在频率阻挡网络之间，其排除带外信号。 | ||||||
| 127 | 功率放大电路及高频模块 | CN201210445176.9 | 2012-11-08 | CN103107777A | 2013-05-15 | 广冈博之 |
| 能实现即使进行反馈控制也能抑制输出功率下降的功率放大电路。具备功率放大电路的高频模块（10）包括高频功率放大元件（20）、匹配电路（30）、及驱动电源电路（40）。高频功率放大元件（20）包括高频放大电路（210）和定向耦合器（230）。定向耦合器（230）的主线路（231）的第一端与高频放大电路（210）的后级放大电路（212）的输出端子相连接。主线路（231）的第二端经由输出匹配电路（240）与高频功率放大元件（20）的高频信号输出端子（Pout）相连接。后级放大电路（212）的输出端子还与高频功率放大元件（20）的第二驱动电源电压施加端子（PV2）相连接。第二驱动电源电压施加端子与高频信号输出端子（Pout）由连接导体（50）进行连接。 | ||||||
| 128 | 射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路 | CN201210384218.2 | 2012-10-11 | CN103051328A | 2013-04-17 | 小林友直 |
| 本发明的目的在于提供一种射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路，其能够稳定工作并且快速地下降射频脉冲信号的波形。漏极切换电路（21）具有n型的第一、第二、第三的FET（211）、（212）、（213）。控制脉冲施加至第一、第三的FET的栅极，源极接地。第一FET的漏极连接于第二FET的栅极，驱动电压（Vds）施加于第二FET的漏极。连接第二FET的源极与第三FET的漏极，连接点连接于功率FET（31）的漏极。在第二FET的栅源极间，连接有供应用于补偿第二FET从关断状态向导通状态跃迁时的栅极电压的电荷的电容（215）。 | ||||||
| 129 | 用于改进的回退操作的一类功率放大器 | CN201210314595.9 | 2012-08-30 | CN102969988A | 2013-03-13 | S.皮纳雷洛; J-E.米勒 |
| 本发明公开了用于改进的回退操作的一类功率放大器。本发明的一个实施例涉及一种功率放大器，其包括以串并联矩阵配置连接的多个放大元件，所述串并联矩阵配置包含具有串联连接的放大元件的并联列。所述并联列被连接到公共输出路径，所述公共输出路径被耦合到配置成将相等的供电电压提供给每列的供电电压源。一个或多个输入信号（例如RF输入信号）通过第一行放大元件上的输入端子被连接到功率放大器。剩余的放大元件具有连接到独立控制信号的控制端子，这允许每个放大元件独立于该矩阵中的其他放大元件而被操作。放大元件的该选择性操作允许在宽范围的功率放大器输出功率上改进的效率。 | ||||||
| 130 | 半导体器件 | CN201080067651.2 | 2010-06-22 | CN102959875A | 2013-03-06 | 古田善一; 堀和明; 赤峰幸德 |
| 在半导体器件(RFIC)的发送部(22)中，第一放大部(24)接收数字基带信号，通过数字处理来以第一增益进行放大。数字模拟转换部(25)将通过第一放大部(24)放大后的数字基带信号转换为模拟基带信号。调制部(32)根据模拟基带信号对局部振荡信号进行调制，由此生成发送信号。第二放大部(35)以可变的第二增益对发送信号进行放大。控制部(36)接收表示发送模式的信息，根据发送模式调整第一增益。 | ||||||
| 131 | 放大器、衰减模块以及用来衰减射频信号之方法 | CN200810183216.0 | 2008-12-16 | CN101515784B | 2013-02-20 | 吴家欣 |
| 本发明揭示了一种放大器、衰减模块以及用来衰减射频信号之方法。其中放大器，包含一放大模块以及一衰减模块，该放大模块耦接于一输入节点。该衰减模块包含一衰减电阻以及一阻抗补偿单元，该衰减电阻耦接于该输入节点。该阻抗补偿单元耦接于该输入节点，用来于一输入射频信号被该衰减模块衰减时，补偿一输入阻抗。本发明提供的放大器可提高接收灵敏度，而且具有整体系统的功率消耗下降的优点。 | ||||||
| 132 | RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块 | CN201010148514.3 | 2010-02-03 | CN101807890B | 2013-02-13 | 长谷昌俊; 伊藤雅广; 曾我高志; 田中聪 |
| 一种RF功率放大电路。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前级放大器和后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前级放大器和后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前级放大器的无功电流和增益按第一连续函数(2ndAmp)连续变化，后级放大器的无功电流和增益按第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。 | ||||||
| 133 | RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块 | CN201210270190.X | 2010-02-03 | CN102820856A | 2012-12-12 | 长谷昌俊; 伊藤雅广; 曾我高志; 田中聪 |
| 本发明提供一种RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前后级放大器的无功电流和增益分别按第一连续函数(2ndAmp)、第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。 | ||||||
| 134 | 信号收发器 | CN201210154429.7 | 2012-05-17 | CN102790626A | 2012-11-21 | 简敦正; 吴家欣; 陈宗明; 李翼安 |
| 本发明提供一种信号收发器。该信号收发器包含有：一第一放大器耦接于一芯片的一芯片输出端；一阻抗转换电路；一开关电路用来选择性地将该芯片输出端耦接于该阻抗转换电路的一第一端；以及一第二放大器耦接于该阻抗转换电路的一第二端。本发明的信号收发器可以改善该芯片内的功率放大器的线性度以及减小该芯片内的低噪声放大器的噪声指数。 | ||||||
| 135 | 可变种类特性的放大器 | CN201180005284.8 | 2011-01-17 | CN102742155A | 2012-10-17 | 克里斯托弗·迈克尔·欧文; 约根德拉·K·肖拉 |
| 一种可在两个工作种类间可调整地工作的功率放大器（PA）。工作范围位于传统线性共轭匹配AB类特性放大器和较高效率开关E类特性放大器之间的工作范围内。允许E类工作特性的具有推挽式构造（Q1、Q2）的电路拓扑。 | ||||||
| 136 | 多频带功率放大器 | CN201080060062.1 | 2010-02-05 | CN102714487A | 2012-10-03 | 李宗洙 |
| 本发明公开可在多频带动作的多频带功率放大器。本发明的多频带功率放大器包括：功率放大部，其放大输出信号；匹配网络电路，其位于上述功率放大部和负载之间，用于执行阻抗匹配；以及辅助放大部，其追加地供给给上述负载预定的电流。 | ||||||
| 137 | 具备E级放大器的发送器 | CN201110254252.3 | 2011-08-31 | CN102647160A | 2012-08-22 | 清水优 |
| 本发明涉及发送器，根据一个实施方式，发送器设置有第1缓冲器、第2缓冲器、逻辑电路和E级功率放大器。第1缓冲器被输入第1正弦波信号，并将第1正弦波信号变换成第1矩形波信号。第2缓冲器被输入相位比第1正弦波信号延迟的第2正弦波信号，并将第2正弦波信号变换成第2矩形波信号。逻辑电路被输入第1和第2矩形波信号，对第1和第2矩形波信号进行逻辑计算，生成具有预定占空比的逻辑信号。E级功率放大器被输入逻辑信号，并根据逻辑信号进行放大操作。 | ||||||
| 138 | 封装的RF功率器件及其形成方法 | CN200880103997.6 | 2008-05-28 | CN101785110B | 2012-07-04 | D·法雷尔; S·伍德 |
| 一种封装的RF功率器件包括：晶体管，其具有控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作；RF信号输入引线，其耦合到控制端子；以及RF信号输出引线，其耦合到输出端子。谐波降低器耦合到该晶体管的控制端子和/或输出端子并且被配置成为基本工作频率的N次谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径，其中N＞1。该器件还包括容纳晶体管和谐波降低器的封装，其中输入引线和输出引线从该封装延伸。还公开了多芯片封装。 | ||||||
| 139 | 用于功率放大的线性化电路和方法 | CN201080038631.2 | 2010-07-14 | CN102484454A | 2012-05-30 | S·卡克; A·马尔瓦希 |
| 本发明的线性化电路与包括功率放大器核芯的功率放大电路结合使用。示例性线性化电路包括功率放大器核芯的副本。在操作中，线性化根据RF信号产生包络信号。包络信号用来控制该副本以产生表示功率放大器核芯的AM到AM失真的反转的模拟输出信号。线性化电路然后利用副本的经反转的非线性信号来偏置RF信号，以控制功率放大器核芯。功率放大器核芯及其副本可以在相同的半导体裸片上限定，因此这两者类似地对工艺变化做出响应。 | ||||||
| 140 | 功率放大器和使用了该功率放大器的MMIC | CN201110260153.6 | 2011-09-05 | CN102480270A | 2012-05-30 | 塚原良洋 |
| 本发明的目的在于提供一种功率放大器和使用了该功率放大器的MMIC，能够对施加在放大用晶体管的栅极上的功率从高功率转移到了低功率之后的漏极电流的骤减进行抑制。本申请发明的功率放大器具有：输入端子；输入匹配电路，与该输入端子连接；放大用晶体管，栅极与该输入匹配电路连接；输出匹配电路，与该放大用晶体管的漏极连接；输出端子，与该输出匹配电路连接；反转微分电路，将该输入端子的信号反转之后进行微分或者将该输入端子的信号微分之后进行反转。并且，以该反转微分电路的输出与该栅极连接为特征。 | ||||||
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