| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 21 | Distributed amplifier with improved stabilization | EP12250050.7 | 2012-03-07 | EP2498399A2 | 2012-09-12 | Benson, Keith |
A distributed amplifier with improved stabilization includes an input transmission circuit, an output transmission circuit, at least one cascode amplifier coupled between said input and output transmission circuits. Each cascode amplifier includes a common-gate configured transistor coupled to the output transmission circuit, and a common-source configured transistor coupled between the input transmission circuit and the common-gate configured transistor. The distributed amplifier also includes a non-parasitic resistance and capacitance coupled in series between a drain and a gate of at least one of the common-gate configured transistors for increasing the amplifier stability.
|
||||||
| 22 | A high efficiency UHF linear power amplifier | EP90301848.9 | 1990-02-21 | EP0385641B1 | 1995-01-04 | Fisher, Reed Edward; Koch, Michael Joseph |
| 23 | A high efficiency UHF linear power amplifier | EP90301848.9 | 1990-02-21 | EP0385641A3 | 1991-02-27 | Fisher, Reed Edward; Koch, Michael Joseph |
An RF amplifier for a phase and envelope varying signal employs a class C operated device (110) for high efficiency. In order to improve the linearity of the class C operated device (110), a signal (s₂(t)) corresponding to the envelope of the amplifier output is formed and a portion thereof is fedback to an envelope modulation element such as a pulse width modulator (140) connected to the class C operated device (110) to reduce distortion at the amplifier output. |
||||||
| 24 | 멀티레벨 펄스폭 변조를 사용하는 오디오 증폭기 | KR1020137013569 | 2011-10-27 | KR101815076B1 | 2018-01-30 | 호예르비,미켈 |
| 본발명은일 양상에서라우드스피커로드에공급하기위한 3-레벨, 4-레벨또는 5-레벨펄스폭또는펄스밀도변조된출력신호들과같은멀티-레벨출력신호들을지원하는개선된출력드라이버토폴로지를가진클래스 D 오디오증폭기에관한것이다. 본클래스 D 오디오증폭기들은고용량소비자오디오애플리케이션들및 솔루션들에특히적합하다. | ||||||
| 25 | 용량성 프로그래머블 이득 증폭기 | KR1020167026512 | 2015-03-19 | KR101758894B1 | 2017-07-17 | 후앙,웬창; 샤,피터지반; 아진,메이삼; 메라비,아라쉬 |
| 장치는, 연산증폭기, 및연산증폭기의입력단자에커플링되고, 연산증폭기의입력전압신호와출력전압신호중 하나를수신하기위해선택적으로커플링되도록구성된복수의커패시터들을포함한다. | ||||||
| 26 | 電力増幅回路 | JP2017101540 | 2017-05-23 | JP2018198355A | 2018-12-13 | 佐藤 秀幸 |
| 【課題】 大信号入力時におけるゲインコンプレッションを抑制可能な電力増幅回路を提供する。 【解決手段】 電力増幅回路は、ベースに入力信号が供給され、コレクタから入力信号を増幅した第1増幅信号を出力する第1増幅トランジスタと、第1増幅トランジスタのベースに第1電流又は第1電圧を供給する第1バイアス回路と、第1増幅トランジスタのベースに第2電流又は第2電圧を供給する第2バイアス回路と、第1増幅トランジスタのベースと第1バイアス回路との間に直列接続された第1抵抗素子と、を備え、第2バイアス回路は、アノードに電源電圧が供給されるダイオードと、ダイオードのカソードと接地との間に設けられたインピーダンス回路と、一端がダイオードのカソードとインピーダンス回路との接続点に接続され、他端から第2電流又は第2電圧を第1増幅トランジスタのベースに供給する第1容量素子と、を備える。 【選択図】図2 |
||||||
| 27 | 増幅回路 | JP2017090051 | 2017-04-28 | JP2018191068A | 2018-11-29 | 杉本 良之 |
| 【課題】低消費電力化が可能な増幅回路を実現する。 【解決手段】帰還用アンプ30は、一方の入力信号が入力される入力端子INPと、他方の入力信号が入力される入力端子INNと、入力端子INP,INN側にアノードが接続されたダイオード対53と、ダイオード対53のカソードにそれぞれ接続され、ダイオード対53のそれぞれに電流を供給するバイアス電流源54と、ダイオード対53のカソードに接続され、ダイオード対53のカソードに生じた信号の差信号を増幅するCMOS構成のオペアンプ56と、オペアンプ56の入出力間に接続された容量素子57と、オペアンプ56と入力端子INP,INNとの間に設けられ、入力信号を増幅するバイポーラトランジスタ対63a,63bを含む差動アンプ52とを備え、バイアス電流源54は、カレントミラー回路部55を含む。 【選択図】図2 |
||||||
| 28 | 電力増幅モジュール | JP2017006036 | 2017-01-17 | JP2018117217A | 2018-07-26 | 長谷 昌俊 |
| 【課題】高出力電力及び高い線形性を実現する電力増幅モジュールを提供する。 【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を分配する分配回路と、第1増幅器と、第2増幅器と、合成部において入力信号の増幅信号を出力する合成回路と、第1増幅器と第2増幅器の間を接続する抵抗素子と、抵抗素子に並列接続された第1キャパシタとを備え、合成回路は、第1増幅器の出力端子と合成部の間に直列接続された第1インダクタと、第2増幅器の出力端子と合成部の間に直列接続された第2インダクタと、一端が合成部に接続され、他端が接地された第2キャパシタとを備え、第1増幅器の出力端子から合成部を経由して第2増幅器に至る第3信号の位相は、第1インダクタ及び第2キャパシタにおいて略45度遅れ、第2インダクタ及び第2キャパシタにおいて略45度遅れ、第1増幅器の出力端子から第1キャパシタを経由して第2増幅器に至る第3信号の位相は略90度進む。 【選択図】図1 |
||||||
| 29 | 無線周波数電力発生器の同調可能な管増幅器システム | JP2017532670 | 2015-09-30 | JP2018506139A | 2018-03-01 | バックランド,アンドレアス |
| 管増幅器システムは、長手方向軸に平行に延在し、複数の導体壁の間に内部空間を画定する複数の導体壁を含む。管増幅器システムはまた、長手方向軸に対して横方向に延在する短絡デッキを含む。短絡デッキは、導体壁に電気的に結合されている。管増幅器システムはまた、短絡デッキに平行に延在する接地デッキを有する可動トレイアセンブリを含む。接地デッキおよび短絡デッキは、その間に長さを有する出力キャビティを画定する。可動トレイアセンブリは、接地デッキが長手方向軸に沿って複数の異なるレベルに配置されて、出力キャビティの長さを変化させることができるように、導体壁のうちの少なくとも1つに取り外し可能に取り付けられる。【選択図】図3 | ||||||
| 30 | 直流信号とマイクロ波信号との交差配線の増幅回路 | JP2015512989 | 2012-06-19 | JP6169169B2 | 2017-07-26 | ▲張▼斌; 陶洪▲き▼ |
| 31 | オフセット回路を有する容量性トランスインピーダンス増幅器 | JP2015514597 | 2013-05-31 | JP6060254B2 | 2017-01-11 | ジョン パトリック フィッツジェラルド |
| 32 | 集積回路 | JP2011237888 | 2011-10-28 | JP5743850B2 | 2015-07-01 | 小笠原 陽介 |
| 33 | 電流増幅回路、積分器及びAD変換器 | JP2014215707 | 2014-10-22 | JP2015119473A | 2015-06-25 | 板倉 哲朗; 古田 雅則; 崔 明秀; 松野 隼也; 畠山 庸平 |
| 【課題】低消費電力な電流増幅回路、積分器及びAD変換器を提供する。 【解決手段】電流増幅回路は、第1のトランジスタM1と、第1の抵抗R1と、第2のトランジスタM2と、第2の抵抗R2と、第1の受動素子Z1と、制御回路と、を備える。第1の抵抗は、第1のトランジスタの第1の端子と一端を接続される。第2の抵抗は、第2のトランジスタの第1の端子と一端を接続される。第1の受動素子は、第1のトランジスタの第1の端子と第2のトランジスタの第1の端子との間に接続される。制御回路は、第1の抵抗の他端の電圧が第1の所定電圧と、第2の抵抗の他端の電圧が第2の所定電圧と等しくなるように、第1のトランジスタの制御端子の電圧と第2のトランジスタの制御端子の電圧との少なくとも一方を制御する。 【選択図】図1 |
||||||
| 34 | 直流信号とマイクロ波信号との交差配線の増幅回路 | JP2015512989 | 2012-06-19 | JP2015517771A | 2015-06-22 | ▲張▼斌; 陶洪▲き▼ |
| 直流信号とマイクロ波信号との交差配線を有する増幅回路は、互いに鏡像である二つの分岐サブ回路と出力端に並列接続される第三コンデンサとを含み、サブ回路は直流給電回路およびマイクロ波信号回路を含み、直流給電回路のヘテロ接合電界効果トランジスタダイのドレイン電圧印加ポートは、並列接続される第一コンデンサを介した後に第一マイクロストリップインダクタに直列接続され、さらに分岐する一対の第二インダクタを介して一対の第三インダクタに直列接続された後、ヘテロ接合電界効果トランジスタダイのドレイン電圧印加ポートに接続される。マイクロ波信号回路の一対の第三インダクタは、並列接続される一対の第二コンデンサを介した後に一対の第一コンデンサに直列接続され、かつ一対の接地インダクタに並列接続され、さらに一対の第四インダクタに直列接続されて集束された後、直列接続される第五インダクタを介して出力端に接続される。 | ||||||
| 35 | 増幅器 | JP2013226714 | 2013-10-31 | JP2015088975A | 2015-05-07 | 三輪 真一; 佐藤 邦宏 |
| 【課題】本発明は、汎用性の高い増幅器を提供することを目的とする。 【解決手段】本願の発明に係る増幅器は、トランジスタチップ30と、下部電極、誘電体、及び上部電極で形成されたMIMキャパシタを複数有するキャパシタ群24を備えた整合用チップ16と、該トランジスタチップ30と、該キャパシタ群24のいずれか1つの該MIMキャパシタの該上部電極と、を接続し、高周波信号を伝送するボンディングワイヤ42と、該トランジスタチップ30と該整合用チップ16を収容するケース12と、を備え、複数の該MIMキャパシタの該下部電極は接地され、該キャパシタ群24の該MIMキャパシタの容量値は互いに異なることを特徴とする。 【選択図】図1 |
||||||
| 36 | High efficiency uhf linear power amplifier circuit | JP4429490 | 1990-02-26 | JPH02291704A | 1990-12-03 | RIIDO EDOWAADO FUITSUSHIYAA; MAIKERU JIYOSEFU KOTSUHO |
| PURPOSE: To reduce distortion due to class-C nonlinearlity by feeding a part of an envelope corresponding signal back to an envelope modulating element connected to a class-C operating device. CONSTITUTION: A part of an output signal applied to a coupler 115 is fed back to a negative input of an operational amplifier 130 through a conductor 118 and an envelope detector 125. The detector 125 operates so as to generate a signal S 2(t) corresponding to distorted envelope variation during the output of an amplifier 110. The output signal of the operational amplifier 130 is applied to the input of a pulse width modulator 140. The pulse width modulator output is filtered by a filter 145 so that an envelope modulated signal is applied to the amplifier 110. Consequently, the circuit operates to reduce the distortion in the envelope variation and high-efficient and linear amplification is performed in a class-C amplifier. COPYRIGHT: (C)1990,JPO | ||||||
| 37 | MICROPHONE ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING A MICROPHONE ASSEMBLY | EP14724069.1 | 2014-05-12 | EP3143776B1 | 2018-03-07 | ROCCA, Gino |
| A microphone assembly and a method for manufacturing a microphone assembly are disclosed. In an embodiment, the microphone assembly includes a MEMS dual backplate microphone configured to provide a differential output signal, an ASIC including a differential amplifier configured to receive the differential output signal and a control element configured to adjust at least one of a setting of the MEMS dual backplate microphone and a setting of the ASIC. | ||||||
| 38 | POWER TRANSISTOR WITH HARMONIC CONTROL | EP16306079.1 | 2016-08-24 | EP3288183A1 | 2018-02-28 | PEYROT, Pascal; LEMBEYE, Olivier; MANGAONKAR, Sai Sunil |
A system and method for a packaged device (100) with harmonic control are presented. In one embodiment, a device includes a substrate (102) and a transistor die coupled to the substrate. The transistor die includes a plurality of transistor cells (110). Each transistor cell in the plurality of transistor cells includes a control (e.g., gate) terminal (112). The device includes a second die (118) coupled to the substrate. The second die includes a plurality of individual shunt capacitors (128) coupled between the control terminals of the plurality of transistor cells and a ground reference node. The capacitance values of at least two of the shunt capacitors are significantly different.
|
||||||
| 39 | INVERTER FOR INDUCTIVE POWER TRANSFER | EP16702430.6 | 2016-02-02 | EP3254367A1 | 2017-12-13 | ALDHAHER, Samer; PINUELA RANGEL, Manuel; MITCHESON, Paul David; YATES, David Christopher |
| An inverter for inductive power transfer is disclosed. The inverter comprises a first inductor and a switching element in series between power supply terminals, the switching element being operable to be switched at a first frequency; a first capacitance in parallel with the switching element between the first inductor and a power supply terminal; a first tank circuit in parallel with the first capacitance, the first tank circuit comprising a second inductor and a second capacitance, wherein the second capacitance is arranged in series with the second inductor; a second tank circuit in parallel with the first capacitance; and a third capacitance in series with the first inductor between the first tank circuit and the second tank circuit, wherein the second tank circuit comprises a transmitter coil and a fourth capacitance, the fourth capacitance being arranged in parallel or series with the transmitter coil; wherein the fourth capacitance is selected such that the resonant frequency of the second tank circuit is not equal to the first frequency, and wherein the second inductor and the second capacitance are selected such that the resonant frequency of the first tank circuit is an integer multiple, greater than one, of the first frequency. | ||||||
| 40 | AUDIO AMPLIFIER USING MULTI-LEVEL PULSE WIDTH MODULATION | EP11775967.0 | 2011-10-27 | EP2633621B1 | 2017-08-30 | HØYERBY, Mikkel |
| The present invention relates in one aspect to a class D audio amplifier with improved output driver topology supporting multi-level output signals such as 3-level, 4-level or 5-level pulse width or pulse density modulated output signals for application to a loudspeaker load. The present class D audio amplifiers are particularly well-suited for high-volume consumer audio applications and solutions. | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈