| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 用于磁性物质元件的层叠体、包括该层叠体的热电转换元件及制造该层叠体的方法 | CN201280035199.0 | 2012-07-10 | CN103718257A | 2014-04-09 | 桐原明宏; 石田真彦; 真子隆志; 内田健一; 齐藤英治 |
| 从下述层叠体来构造根据本发明的磁性物质元件，在该层叠体中，在不具有结晶结构的衬底之上形成有磁性绝缘体膜。该磁性绝缘体膜具有柱状结晶结构。 | ||||||
| 2 | 层叠电感器 | CN201110420993.4 | 2007-05-31 | CN102436902A | 2012-05-02 | 冈部健次; 中村和彦; 川田敏文; 丸山喜和 |
| 本发明提供一种层叠电感器，层叠以Ni-Zn-Cu类铁氧体为主要成分的多个第一绝缘体层和以Ag为主要成分多个导电体层，在层叠体的内部设置螺旋状线圈，螺旋状线圈是多个导电体层和通孔导体相互连接而成的，以横穿螺旋状线圈的内侧磁路的方式配置矩形的第二绝缘体层，第二绝缘体层以具有比第一绝缘体层的导磁率低的导磁率的Zn类铁氧体为主要成分，并且，第二绝缘体层的主面边缘部和导电体层在层叠方向上重叠，在该重叠的部分，第二绝缘体层和导电体层接触。因此，在层叠体的内部与导电体层接触的、磁通量密度最容易变高的部分的磁通量不可避免地通过第二绝缘体层，从而能够无差异地改善电流直流叠加特性。 | ||||||
| 3 | 软磁薄膜以及薄膜磁头 | CN200510077423.4 | 2005-06-16 | CN1835083A | 2006-09-20 | 兼淳一; 上原裕二; 野间贤二; 近泽哲史 |
| 软磁薄膜以及薄膜磁头。该软磁薄膜具有优良的软磁特性并适合薄膜磁头。本发明的软磁薄膜包括：包含铁磁元素的磁性基层；和堆叠在该磁性基层上的铁磁层。该软磁薄膜具有单轴磁畴各向异性。该磁性基层包括选自铁、镍和钴的至少一种元素作为铁磁元素。 | ||||||
| 4 | 用于无源电子元件的零件的制造方法和所制造的零件 | CN200480021471.5 | 2004-06-22 | CN1830232A | 2006-09-06 | 马丁·吉斯; 简-皮尔斯·雷亚尔; 法利德·阿马洛 |
| 本发明涉及一种制造用于无源电子元件的零件的方法，包括制造一个由至少一叠薄金属条和粘合剂材料层构成的层叠条(1)，从该层叠条(1)上切割至少一个零件(6)，利用包括采用砂的至少一个蚀刻步骤的方法来进行切割操作。本发明还涉及所获得的零件。 | ||||||
| 5 | 铁硅铝合金磁膜及其制造方法和用途 | CN86106790 | 1986-10-07 | CN1006831B | 1990-02-14 | 斋藤和宏; 森泰一 |
| 本发明涉及铁硅铝合金磁膜及其制造方法和叠层薄膜磁头。所述磁膜有一基底和在其上形成的铁硅铝合金膜。所述基底的热膨胀系数比上述铁硅铝含金膜的低，将上述合金膜的氩含量控制在0.01至0.3%重量比的范围内，以使膜中的内应力基本为零。通过过用DC溅射装置向基底提供RF偏压并控制组分的重量比来淀积上述磁膜。用本发明的磁膜制造的叠层薄膜磁头具有矫顽力低、导磁率高的良好磁性能。 | ||||||
| 6 | 磁膜以及使用这种磁膜的磁头 | CN87103907 | 1987-05-30 | CN1006107B | 1989-12-13 | 小林俊雄; 大友茂一; 中谷亮一; 熊坂登行 |
| 一种磁膜和使用这种磁膜(5，9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的，这些元素选自可填隙地溶于铁的元素：硼、氮、碳和磷，元素的含量是5～20％原子比。 | ||||||
| 7 | 用于磁性物质元件的层叠体、包括该层叠体的热电转换元件及制造该层叠体的方法 | CN201280035199.0 | 2012-07-10 | CN103718257B | 2017-07-14 | 桐原明宏; 石田真彦; 真子隆志; 内田健一; 齐藤英治 |
| 从下述层叠体来构造根据本发明的磁性物质元件，在该层叠体中，在不具有结晶结构的衬底之上形成有磁性绝缘体膜。该磁性绝缘体膜具有柱状结晶结构。 | ||||||
| 8 | 天线磁芯和使用了该天线磁芯的天线以及探测系统 | CN201380014778.1 | 2013-02-01 | CN104205492A | 2014-12-10 | 山田胜彦; 齐藤忠雄 |
| 实施方式的天线磁芯(1)具备Co基非晶态磁性合金薄带(2)和具有1μm以上且10μm以下的范围的平均厚度的树脂层部(3)的层叠体。树脂层部(3)的厚度的偏差相对所述平均厚度在±40％以内。 | ||||||
| 9 | 使用由粘合剂粘合的层状纳米复合材料薄膜的磁性器件 | CN201280050891.0 | 2012-08-16 | CN103918042A | 2014-07-09 | 马昆德亚·拉杰·普卢格萨; 饶·R·图马拉; 文卡塔斯·桑德拉姆; 尼泰史·卡玛怀特; 乌皮利·斯里达尔; 约瑟夫·埃卢尔 |
| 本发明公开了一种纳米磁性结构及其制造方法，所述纳米磁性结构包括一器件衬底、设置于所述器件衬底上的多个纳米磁性复合材料层，其中，所述多个纳米磁性复合材料层彼此间设有粘合剂层。金属绕组与所述多个纳米磁性复合材料层集成以形成电感磁芯，且所述的纳米磁性结构的厚度为约5至100微米。 | ||||||
| 10 | 磁性编码薄膜材料及其制备方法 | CN200710122027.8 | 2007-09-20 | CN101393794B | 2010-12-08 | 李晓伟; 曹瑜; 杨惊; 李新宇; 曾飞; 潘峰 |
| 本发明涉及一种可用于纸币、有价证券、票券证卡及类似承载物的复合防伪薄膜材料，该薄膜材料是一种新型的磁性编码薄膜材料，其中的磁性编码层来自具有编码图案的金属铬层和沉积其上的非晶薄膜层，磁性编码层在铬层与没有铬层的区域的电磁特征有着显著的差异，从而可以提供一种0-1编码方案，更提高了薄膜材料的防伪隐蔽性。本发明还提供了利用该磁性编码薄膜材料所形成的兼具一线、二线和三线防伪特征的复合防伪物。 | ||||||
| 11 | 防止电磁波零部件及使用防止电磁波零部件的电子设备 | CN200680013440.4 | 2006-04-19 | CN100594766C | 2010-03-17 | 井上哲夫 |
| 防止电磁波零部件18，具有附设该防止电磁波零部件18的电子设备10的发送频带频率的磁导率的实数分量μ′为10以上、tanδ(＝μ″/μ′)为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。具有这样的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，配置在具有电磁波发送功能的电子设备10中，使得有选择地降低从天线16等电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度。 | ||||||
| 12 | 具有增强的可见光法拉第旋转的磁光光子晶体多层结构 | CN200780013794.3 | 2007-03-17 | CN101479649A | 2009-07-08 | K·阿拉梅赫; A·格里申 |
| 本发明公开了一种用于产生蓝光波长和绿光波长中的磁光材料的设备、方法、系统和计算机程序产品。所述设备包括对于光信号通常是透明的衬底，其中所述光信号包括预定的可见光频率的分量；以及叠加在所述衬底上的光学多层的叠置体，用于针对小于约600纳米的所述预定的可见光频率，以至少约40％的功率透射所述分量并且具有每微米至少约24度的法拉第旋转。所述方法包括用于公开材料的制造和组装的处理步骤，以及计算机程序产品包括用于执行该公开方法的机器可执行指令。 | ||||||
| 13 | 高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和利用这些磁性薄膜的磁性元件 | CN200380105039.X | 2003-12-22 | CN100407342C | 2008-07-30 | 崔京九; 村濑琢 |
| 通过组合由T-L组合物(其中，T＝Fe或FeCo，L是从C、B和N中选择的至少1种元素)构成的T-L组合物层5、和配置在该T-L组合物层5的任一面侧的Co系非晶质合金层3，可得到兼有高导磁率和高饱和磁化的高频用磁性薄膜1。而且除T-L组合物层5和Co系非晶质合金层3以外，通过进一步配置比T-L组合物层5和Co系非晶质合金层3表现出更高电阻的高电阻层7，就可以得到兼有高导磁率和高饱和磁化、同时表现出高比电阻的高频用磁性薄膜1。 | ||||||
| 14 | 半硬磁材料、制造它的方法和使用它的磁性标识器 | CN99801568.7 | 1999-09-10 | CN1277726A | 2000-12-20 | 中冈范行; 川上章; 山田英矢 |
| 本发明涉及一种具有矩形磁滞回线和优异的磁化陡度的半硬磁材料和一种制造优选用于磁性标识器的偏置材料的方法。该方法由以下步骤组成:制备一种多层覆层材料,其中扩散粘结层“A”和层“B”、每个层“A”含有Fe作为主要元素、每个层“B”含有Cu族金属作为主要元素;加热该多层覆层材料;对该材料进行分割处理;和此外进行冷加工。用该方法,可以得到具有高矩形度比率和优异磁化陡度的半硬磁材料,和得到用于磁性标识器的偏置材料。 | ||||||
| 15 | 铁磁膜及使用该膜的磁头 | CN88101596 | 1988-03-25 | CN88101596A | 1988-10-05 | 小林俊雄; 中谷亮一; 大友茂一; 熊坂登行 |
| 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外，包括一种对于铁是间隙可溶的元素，还以0.5—5原子百分比的浓度包括从Ni，Rh，Ru，Pd，Zr，Nb，Ta，Ag，Os，Ir，Pt，Au，Cr，Mo，W，Ti，Bi，V，Co和Cu中选出的至少一种元素。 | ||||||
| 16 | 磁膜以及使用这种磁膜的磁头 | CN87103907 | 1987-05-30 | CN87103907A | 1987-12-09 | 小林俊雄; 大友茂一; 中谷亮一; 熊坂登行 |
| 一种磁膜和使用这种磁膜(5，9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的。这些元素选自可填隙地溶于铁的元素：硼、氮、碳和磷，元素的含量是5-20％原子比。 | ||||||
| 17 | 铁硅铝合金磁膜及其制造方法和迭层薄膜磁头 | CN86106790 | 1986-10-07 | CN86106790A | 1987-07-15 | 斋藤和宏; 森泰一 |
| 本发明涉及铁硅铝合金磁膜及其制造方法和迭层薄膜磁头。所述磁膜有一基底和在其上形成的铁硅铝合金膜。所述基底的热膨胀系数比上述铁硅铝合金膜的低。将上述合金膜的氩含量控制在0.01至0.3％重量比的范围内，以使膜中的内应力基本为零。通过用DC溅射装置向基底提供RF偏压并控制组分的重量比来淀积上述磁膜。用本发明的磁膜制造的迭层薄膜磁头具有矫顽力低、导磁率高的良好磁性能。 | ||||||
| 18 | 永久磁铁以及具备其的旋转电机 | CN201610251833.4 | 2016-04-21 | CN106067357A | 2016-11-02 | 铃木健一; 门田祥悟; 福地英一郎 |
| 本发明提供一种具备高的饱和磁化强度Is和矫顽力HcJ、即使不使用稀土元素R也能够制造的永久磁铁。通过具有Fe和T(T为必须有Co或Ni的1种以上的过渡金属元素)的浓度交替变化的周期结构，所述浓度的变化的周期为3.3nm以下，所述浓度的变化中Fe的浓度差为5at％以上，由此得到具备高的饱和磁化强度Is和矫顽力HcJ，即使不使用稀土元素R也能够制造的永久磁铁。 | ||||||
| 19 | 用特殊离子源装置和以分子离子注入处理有图案化磁畴的HDD(高密度磁盘) | CN201080013678.3 | 2010-04-08 | CN102362311B | 2016-04-20 | 斯蒂芬·莫法特; 马耶德·A·福阿德 |
| 本发明提供一种制造磁存储介质的方法和装置。将结构基板涂覆磁敏感材料，并且在磁敏感材料上方形成图案化抗蚀层。将原子团导向基板，穿透抗蚀剂并且注入磁敏感层。在某些区域中抗蚀剂的厚的部分防止注入，以在基板上形成磁性的图案。原子团的能量和成分、抗蚀剂的厚度和硬度以及磁敏感材料的晶格能都可被调节，以产生所需的原子团的分裂和注入，包括在某些实施方式中只冲击表面而没有注入。在图案化的磁敏感层上方形成保护层和润滑层。 | ||||||
| 20 | 天线磁芯和使用了该天线磁芯的天线以及探测系统 | CN201380014778.1 | 2013-02-01 | CN104205492B | 2016-04-13 | 山田胜彦; 齐藤忠雄 |
| 实施方式的天线磁芯(1)具备Co基非晶态磁性合金薄带(2)和具有1μm以上且10μm以下的范围的平均厚度的树脂层部(3)的层叠体。树脂层部(3)的厚度的偏差相对所述平均厚度在±40％以内。 | ||||||
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