| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 金属/绝缘体类纳米颗粒材料和薄膜磁传感器 | CN201010179680.X | 2010-05-19 | CN101894647B | 2015-04-01 | 长田诚一; 小山惠史; 蟹江三次 |
| 本发明涉及金属/绝缘体类纳米颗粒材料和薄膜磁传感器。本发明提供一种金属/绝缘体类纳米颗粒材料，其包括：具有由式(1)表示的组成的铁磁性颗粒(Fe1-xCox)100-z(B1-ySiy)z (1)其中x、y和z各自满足0≤x≤1、0≤y≤1和0＜z≤20；和由Mg-F化合物构成的绝缘基质，填充所述绝缘基质以围绕所述铁磁性颗粒。 | ||||||
| 2 | 电磁噪声抑制薄膜 | CN200580007538.4 | 2005-03-08 | CN1930643B | 2011-06-08 | 岛田宽; 吉田荣吉; 小野裕司; 伊藤哲夫 |
| 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。 | ||||||
| 3 | 用离子液体制备含高度定向纳米粒子的薄片和薄膜的方法及由此制备的薄片和薄膜 | CN200680027141.6 | 2006-05-30 | CN101505879A | 2009-08-12 | D·戴利; R·D·罗杰斯 |
| 本发明提供了一种制备纳米材料的方法，该方法包括将(a)一种或多种树脂基材和(b)一种或多种磁性纳米粒子物质的结合物溶解和/或悬浮在由一种或多种离子液体构成的介质中以提供一种混合物，并通过将该混合物与一种非溶剂(为离子液体而非其它组分的溶剂)混合而回收固体纳米材料，同时在回收步骤中将一个电磁场施加于所述混合物以使磁性纳米粒子物质排列成行，并提供得到的纳米材料用于提供独特的信息存储介质的用途，所述信息存储介质特别是以薄片或薄膜的形式提供。 | ||||||
| 4 | 多晶结构及其制造方法 | CN02828667.7 | 2002-04-04 | CN100392727C | 2008-06-04 | 向井良一 |
| 一种多晶结构(24)，包括在基片(23)的表面上延伸的基层(31)。细微构造的磁性晶粒(32)稀疏地存在于基层(31)的表面上。磁性晶粒(32)是由有序合金构成的。磁性晶粒(32)在基层(31)的表面上相互间隔。由于在磁性晶粒(32)中获得了足够的结晶磁性各向异性能量，因此磁化被可靠地保持在细微构造的磁性晶粒(32)中。另外，间隔被限定在相邻的磁性晶粒(32)之间。单个磁性晶粒(32)独立存在。在相邻的磁性晶粒(32)之间可靠地防止磁性相互作用。磁畴可被建立在单个磁性晶粒(32)中。 | ||||||
| 5 | 粒状物、磁性薄膜以及磁性元件 | CN200380105038.5 | 2003-12-16 | CN100364019C | 2008-01-23 | 崔京九; 村濑琢; 平塚信之; 柿崎浩一 |
| 本发明提供一种具有软磁特性的粒状物(1)，其含有由非磁性绝缘材料构成的基体(3)以及分散于基体(3)中的平均粒径为50nm或以下的强磁性金属粒子(2)，且基体(3)的体积比为5～50%。该粒状物(1)在具有膜状的情况下，所具有的特性是：1GHz的复数导磁率的实数部(μ′)为40或以上，且性能指数Q(Q＝μ′/μ″；μ″：复数导磁率的虚数部)为1或以上以及饱和磁化为5kG或以上。 | ||||||
| 6 | 垂直磁记录盘以及其制造方法 | CN200580021380.6 | 2005-06-29 | CN1985305A | 2007-06-20 | 园部义明; 梅泽祯一郎; 鹰巢力 |
| 提供可以通过不引起DC噪声的增大、热稳定性的劣化、记录能力的劣化而提高高密度记录时的S/N比的方式有助于高记录密度化的垂直磁记录盘以及其制造方法。它是在基板1上至少具备磁记录层，并用于垂直磁记录的磁盘10，磁记录层由在含有钴(Co)的晶粒之间含有硅(Si)或硅(Si)的氧化物的颗粒结构的铁磁性层5，含有钴(Co)或Co合金的第1层和含有钯(Pd)或铂(Pt)的第2层的层叠层7，和存在于铁磁性层5和层叠层7之间的衬垫层6构成。当在氩气环境中，在基板1上将铁磁性层5溅射成膜后，在氩气环境中，用比铁磁性层5成膜时的气压低的气压将层叠层7溅射成膜。 | ||||||
| 7 | 磁性合金粒子的集合体 | CN200480021945.6 | 2004-07-30 | CN1829579A | 2006-09-06 | 佐藤王高 |
| 本发明涉及适合于磁记录的磁性合金粒子的集合体，在以T为Fe和Co的一种或两种，以M为Pt和Pd的一种或两种时，该集合体以式[TxM1－x]中X在0.3－0.7范围的组成比含有T和M，T和M以外的金属元素相对于(T+M)的原子百分比在30at.％或更低(包括0at.％)，残余部分为制造上不可避免的杂质，其特征在于，面心正方晶的比例为10－100％，利用TEM观察测定的平均粒径(DTEM)在5－30nm的范围，由X射线衍射导出的X射线结晶粒径(Dx)在4nm或更大，各粒子在相互空有间隔分散的状态下具有流动性，且各粒子的组成偏差在规定的范围内。 | ||||||
| 8 | 二氧化钛·钴磁性膜及其制造方法 | CN01802601.X | 2001-08-17 | CN1388838A | 2003-01-01 | 鲤沼秀臣; 松本祐司 |
| 提供作为催化剂能力高的光催化剂、同时具有电·光·磁功能的半导体材料及透明磁铁有用的二氧化钛·钴磁性膜,该膜以化学式:Ti1－xCoxO2表示,式中0 |
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| 9 | 包括具有磁性损耗材料的金属盒的电子部件 | CN01116568.5 | 2001-04-04 | CN1316373A | 2001-10-10 | 栗仓由夫; 龟井浩二; 白鸟聪 |
| 一种在金属盒中包括电子电路或电路元件的电子部件(11)，其金属盒内表面的至少一部分具有由磁性损耗材料构成的磁性薄膜(51)。磁性损耗材料的组成物由M－X－Y表示，M为Fe、Co和Ni中的至少一个，X为除M和Y外的元素中的至少一个，Y为N、F和O中的至少一个。复磁导率特性中虚部μ”的最大值在100MHz－10GHz的频率范围内出现，相对带宽不大于200%。有可能提供包括高速操作型半导体器件和/或电子电路的电子部件并且不期望的辐射得到减小。 | ||||||
| 10 | 新颖物质的组合合成 | CN95196543.3 | 1995-10-18 | CN1181055A | 1998-05-06 | P·G·舒尔茨; X·向; I·戈德瓦瑟尔 |
| 通过组合合成制备巨磁致电阻氧化钴化合物。组合合成是利用其上有不同材料的阵列的基材完成的,该阵列是将各组分供应至基材的预定区域,然后使各组分同时反应,形成至少两种材料而制得的。可用这种方法制备的其他材料有共价网状固体、离子型固体和分子型固体。例子有无机、有机金属、金属间材料、陶瓷、有机聚合物和复合材料。一旦制备后,可以筛选具有有用性能,(如磁致电阻)的材料。于是,本发明提供了并行地合成和分析具有有用性能的新颖材料的方法。 | ||||||
| 11 | 磁阻性材料 | CN95109128.X | 1995-07-01 | CN1121250A | 1996-04-24 | 林一彦; 山本英文; 藤方润一; 石原邦彦 |
| 本发明涉及一种磁阻性材料，即具有磁阻性的导电材料，该材料是由非磁性基质和分散在所述非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁阻性效应的退化，使用至少两种选自Cu、Ag、Au和Pt中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。可选择地是，非磁性基质可含有限量的选自于Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir中的辅助元素。磁阻性材料膜可在基体上成膜，并可任选地在所述膜和基体间插入缓冲膜和或所述膜为保护层所覆盖。 | ||||||
| 12 | 极薄电磁钢板 | CN201280055244.9 | 2012-11-06 | CN103930584A | 2014-07-16 | 今村猛; 高岛稔; 平谷多津彦 |
| 通过使组成为以质量％计含有C：0.007％以下、Si：4％～10％和Mn：0.005％～1.0％且余量为Fe和不可避免的杂质，并且使板厚为0.01mm以上且0.10mm以下，而且使截面粗糙度Pa为1.0μm以下，由此，即使在对板厚为0.10mm以下的电磁钢板实施渗硅处理以增加钢中Si量的情况下，也得到磁特性不劣化、并且还避免了占空系数的劣化的铁损特性。 | ||||||
| 13 | 垂直磁记录盘以及其制造方法 | CN201010002057.7 | 2005-06-29 | CN101777354A | 2010-07-14 | 园部义明; 梅泽祯一郎; 鹰巢力 |
| 本发明提供可以通过不引起DC噪声的增大、热稳定性的劣化、记录能力的劣化而提高高密度记录时的S/N比的方式有助于高记录密度化的垂直磁记录盘以及其制造方法。它是在基板1上至少具备磁记录层，并用于垂直磁记录的磁盘10，磁记录层由在含有钴(Co)的晶粒之间含有硅(Si)或硅(Si)的氧化物的颗粒结构的铁磁性层5，含有钴(Co)或Co合金的第1层和含有钯(Pd)或铂(Pt)的第2层的层叠层7，和存在于铁磁性层5和层叠层7之间的衬垫层6构成。当在氩气环境中，在基板1上将铁磁性层5溅射成膜后，在氩气环境中，用比铁磁性层5成膜时的气压低的气压将层叠层7溅射成膜。 | ||||||
| 14 | 垂直磁记录盘以及其制造方法 | CN200580021380.6 | 2005-06-29 | CN100589187C | 2010-02-10 | 园部义明; 梅泽祯一郎; 鹰巢力 |
| 提供可以通过不引起DC噪声的增大、热稳定性的劣化、记录能力的劣化而提高高密度记录时的S/N比的方式有助于高记录密度化的垂直磁记录盘以及其制造方法。它是在基板(1)上至少具备磁记录层，并用于垂直磁记录的磁盘(10)，磁记录层由在含有钴(Co)的晶粒之间含有硅(Si)或硅(Si)的氧化物的颗粒结构的铁磁性层(5)，含有钴(Co)或Co合金的第1层和含有钯(Pd)或铂(Pt)的第2层的层叠层(7)，和存在于铁磁性层(5)和层叠层(7)之间的衬垫层(6)构成。当在氩气环境中，在基板(1)上将铁磁性层(5)溅射成膜后，在氩气环境中，用比铁磁性层(5)成膜时的气压低的气压将层叠层(7)溅射成膜。 | ||||||
| 15 | 磁性合金粒子的集合体 | CN200480021945.6 | 2004-07-30 | CN100457329C | 2009-02-04 | 佐藤王高 |
| 本发明涉及适合于磁记录的磁性合金粒子的集合体，在以T为Fe和Co的一种或两种，以M为Pt和Pd的一种或两种时，该集合体以式[TxM1-x]中X在0.3-0.7范围的组成比含有T和M，T和M以外的金属元素相对于(T+M)的原子百分比在30at.%或更低(包括0at.%)，残余部分为制造上不可避免的杂质，其特征在于，面心正方晶的比例为10-100%，利用TEM观察测定的平均粒径(DTEM)在5-30nm的范围，由X射线衍射导出的X射线结晶粒径(Dx)在4nm或更大，各粒子在相互空有间隔分散的状态下具有流动性，且各粒子的组成偏差在规定的范围内。 | ||||||
| 16 | 微粒排列体、其制造方法和使用该排列体的器件 | CN02102814.1 | 2002-01-24 | CN1287397C | 2006-11-29 | 美浓规央; 川分康博; 森田清之; 吉井重雄; 村上睦明; 楠本修 |
| 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体，在上述微粒(30)的表面上，形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31)，在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33)，在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34)，使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此，可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外，在应用于磁性粒子的情况下，可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体，可以实现高密度磁记录再生装置。 | ||||||
| 17 | 多晶结构膜及其制造方法 | CN02829153.0 | 2002-10-10 | CN1279514C | 2006-10-11 | 向井良一 |
| 磁性晶粒(32)位于晶体层(35、41)的表面上间隔开的位置。用第一隔离层(33)覆盖磁性晶粒(32)。晶体层(35、41)用来沿预定方向取向磁性晶粒(36、38)。在晶体层(35)与磁性晶粒(32)以及在晶体层(41)与磁性晶粒(36)之间分别插入非晶材料层(34、39)。非晶材料层(34、39)用来充分抑制磁性晶粒(32、36)与晶体层(35、41)之间的相互作用。磁性晶粒(32、36)的取向可靠地保持在预定的方向。 | ||||||
| 18 | 颗粒薄膜、使用该薄膜的垂直磁记录介质和磁记录设备 | CN200510059472.5 | 2005-03-25 | CN1674104A | 2005-09-28 | 及川壮一; 岩崎刚之; 前田知幸; 喜喜津哲 |
| 获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径，小磁颗粒直径分布，高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层，颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔，并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。 | ||||||
| 19 | 多晶结构膜及其制造方法 | CN02829153.0 | 2002-10-10 | CN1628342A | 2005-06-15 | 向井良一 |
| 磁性晶粒(32)位于晶体层(35、41)的表面上间隔开的位置。用第一隔离层(33)覆盖磁性晶粒(32)。晶体层(35、41)用来沿预定方向取向磁性晶粒(36、38)。在晶体层(35)与磁性晶粒(32)以及在晶体层(41)与磁性晶粒(36)之间分别插入非晶材料层(34、39)。非晶材料层(34、39)用来充分抑制磁性晶粒(32、36)与晶体层(35、41)之间的相互作用。磁性晶粒(32、36)的取向可靠地保持在预定的方向。 | ||||||
| 20 | 金属磁性粒子聚集体及其制造方法 | CN200410058812.8 | 2004-07-30 | CN1610021A | 2005-04-27 | 佐藤王高 |
| 本发明涉及获得FePt纳米粒子的粒子彼此不接合并有设定间隔而均匀分散状态的粒子聚集体。该金属磁性粒子的聚集体是由主成分及其组成用下述式表示、余部由不可避免的杂质组成的金属磁性料子构成，[TxM1－x]YZ1－Y[式中，T表示Fe或Co的1种或2种，M表示Pt或Pd的1种或2种，Z表示选自Ag、Cu、Bi、Sb、Pb与Sn组成的组中的至少1种，X表示0.3～0.7，Y表示0.7～1.0]，面心正方晶的比例在10～100％的范围，粒径的平均值是30nm以下，且各粒子处于彼此有间隔而分散的状态。 | ||||||
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