子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 221 | COLUMNAR STRUCTURE, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND DEVICES BASED THEREON | PCT/RU2005000475 | 2005-09-20 | WO2006033601A3 | 2006-07-20 | GIVARGIZOV MIKHAIL EVGENJEVICH; GIVARGIZOV EVGENIY INVIEVICH |
| The invention relates to lighting engineering, microelectronic components and to electronic and electromagnetic material science. Said invention makes it possible to increase phosphor conversion efficiency, reduce the cost of the structure production and to improve consumer properties of devices based thereon. The inventive method consists in using columnar structures made of suitable materials, wherein spaces between such structures remain transparent for luminescence exciting particles and the light-guiding properties of the columnar structures are preserved. The result is attained by involving the part of the side surfaces of the columnar structures in particle absorption. A method for producing columnar structures and the production of cathodoluminescent screens, light sources, X-ray image converters and optical dosimeters based on said structures are also disclosed. | ||||||
| 222 | 반도체 물질로 이루어진 코팅을 포함하는 페로브스카이트 입자 | KR1020177012331 | 2015-10-21 | KR101867383B1 | 2018-06-15 | 피셔,레네; 카니츠,안드레아스; 슈미트,올리버; 테데,산드로프란세스코 |
| 본발명은 ABX-타입(type) 및/또는 ABX-타입의페로브스카이트결정(perovskite crystal)을포함하는코팅된입자(coated particle)에관한것으로, A는원소주기율표에서제4 주기또는그 초과로부터의적어도하나의일가, 이가또는삼가원소및/또는이들의혼합물이고; B는체적매개변수(volumetric parameter)가각각의원소 A와함께페로브스카이트격자를형성하기에충분한일가양이온이고; X는할라이드(halide) 및유사할라이드(pseudohalide) 중에서선택된다. | ||||||
| 223 | 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기 | KR20187000604 | 2016-09-02 | KR20180053291A | 2018-05-21 | JONISHI HIDENORI; KUSUYAMA YUTAKA; OSAWA HIROTAKE |
| 신틸레이터패널은주면을가지고, 상기신틸레이션광에대해서투과성을가지는기판과, 상기주면상에마련된신틸레이터층과, 상기주면에교차하는방향에서볼 때상기신틸레이터층을둘러싸도록상기주면상에마련된프레임과, 상기주면및 상기신틸레이터층상에배치되고, 상기신틸레이터층을씰링하도록상기프레임에고정된보호층과, 상기신틸레이터층과상기보호층의사이에배치된시트모양의광 기능층과, 상기광 기능층과상기보호층의사이에끼어탄성변형된탄성부재를구비한다. 상기신틸레이터층은신틸레이터재료의복수의주상결정을포함하고, 상기광 기능층은상기탄성부재의탄성력에의해서상기신틸레이터층에압압되어, 복수의상기주상결정의선단을포함하는복수의영역에서상기신틸레이터층에접촉되어있다. | ||||||
| 224 | 컴팩트 엑스-레이 이미징 장비들 | KR1020177030215 | 2016-04-22 | KR1020170128589A | 2017-11-22 | 터너,디.클라크; 유드,토마스,엘. |
| 소형, 휴대용및 접을수 있는 X-레이장비들이본원에개시된다. 특히, 본출원은 C-형지지암, 지지암의일단에인접하게구비된 X-레이소스, 지지암의타단에인접하게구비된 X-레이디텍터를포함하는 X-레이장비를개시하고, X-레이소스는파워소스및 파워서플라이를포함하는하우징에내장된다. X-레이장비는바퀴또는갠트리를사용하지않고도위치에서위치로손으로운반될수 있도록구성되어있으므로휴대가가능하다. C-형지지암은연결지점이 C-형암의원호를따라슬라이드가능한연결을사용하는지지구조물에제거가능하게부착될때, 실질적으로고정된위치에있는분석할대상물주위로회전가능하다. X-레이장비는, 핸드헬드또는탁상용으로사용할수 있도록지지구조물에서신속하게분리될수 있다. C-형지지암은접힐수 있음에따라, X-레이소스및 X-레이디텍터의위치를서로에대해변경하도록구성될수 있어서 X-레이장비의부피를줄여줘서운반하기용이할수 있다. 다른실시예들이설명된다. | ||||||
| 225 | 반도체 물질로 이루어진 코팅을 포함하는 페로브스카이트 입자 | KR1020177012331 | 2015-10-21 | KR1020170057456A | 2017-05-24 | 피셔,레네; 카니츠,안드레아스; 슈미트,올리버; 테데,산드로프란세스코 |
| 본발명은 ABX-타입(type) 및/또는 ABX-타입의페로브스카이트결정(perovskite crystal)을포함하는코팅된입자(coated particle)에관한것으로, A는원소주기율표에서제4 주기또는그 초과로부터의적어도하나의일가, 이가또는삼가원소및/또는이들의혼합물이고; B는체적매개변수(volumetric parameter)가각각의원소 A와함께페로브스카이트격자를형성하기에충분한일가양이온이고; X는할라이드(halide) 및유사할라이드(pseudohalide) 중에서선택된다. | ||||||
| 226 | 표시 부재의 제조 방법 | KR1020177002646 | 2015-08-03 | KR1020170042566A | 2017-04-19 | 후지와라히데유키; 이츠키나오히데; 타니노타카히로 |
| 미리형성한격벽을결손시키는일 없이격벽에의해구획된셀 내에형광체를비롯한무기재료를함유하는조성물을고밀도로충전하는것이가능한표시부재의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은격벽으로구획된셀에등방적압력에의해무기재료를함유하는조성물을충전하는표시부재의제조방법을제공한다. | ||||||
| 227 | 신틸레이터 패널 | KR1020167010372 | 2014-11-11 | KR1020160088295A | 2016-07-25 | 후지와라히데유키; 우치다테츠오; 키노시타히데키; 아키모토아키라 |
| 본발명은기판, 상기기판상에형성된격벽, 상기격벽에의해구획된셀내에충전된형광체를함유하는신틸레이터층으로이루어지고, 상기신틸레이터층은형광체의함유농도가다른복수의층으로구성되어있는신틸레이터패널이다. 본발명은격벽의형성에의해화상의선명도를향상시키고, 또한충분한발광층을얻는것이가능한신틸레이터패널을제공한다. | ||||||
| 228 | 엑스레이 촬영 제어 장치 및 이를 포함하는 엑스레이 촬영 장치 | KR1020140182273 | 2014-12-17 | KR1020160073672A | 2016-06-27 | 정영자 |
| 본발명의일 실시예에따라엑스레이촬영제어장치및 이를포함하는엑스레이촬영장치가제공된다. 상기엑스레이촬영제어장치는피촬영체에엑스레이를조사하는엑스레이조사부및 상기피촬영체에조사되는엑스레이영상을촬영하는카메라에이용되는것으로서, 상기카메라의촬영개시및 촬영종료에관한사용자입력을수신하는스위칭부; 및상기스위칭부에의해수신되는상기사용자입력에따라상기카메라의상기촬영개시및 상기촬영종료를제어하는카메라제어부를포함하고, 상기스위칭부는상기사용자입력에따라상기카메라제어부에전원을제공하거나차단함으로써, 상기카메라제어부가상기카메라의동작을제어하도록할 수있다. | ||||||
| 229 | 섬광체, 이의 제조 방법 및 응용 | KR1020140056409 | 2014-05-12 | KR1020150145742A | 2015-12-31 | 김홍주; 박환배; 김성환; 글루 |
| 본발명은섬광체, 이의제조방법및 응용에관한것으로, 화학식이 TlABC:yCe 인섬광체로서, A는알칼리원소로이루어진군으로부터선택된적어도 1종의원소이고, B는 3가원소로이루어진군으로부터선택된적어도 1종의원소이고, C는할로겐원소로이루어진군으로부터선택된적어도 1종의원소이며, y는 0보다크고 1 이하인섬광체를제공한다. | ||||||
| 230 | 신틸레이터 패널 | KR1020157010353 | 2013-11-07 | KR1020150085809A | 2015-07-24 | 오카무라마사키; 에노모토히로시; 이구치유이치로 |
| 본발명은대면적으로세폭의격벽이고정밀도로형성되어있고, 또한발광효율이높고, 선명한화질을실현하는신틸레이터패널을제공한다. 본발명은평판상의기판, 상기기판상에형성된격벽및 상기격벽에의해구획된셀 내에충전된형광체로이루어지는신틸레이터층을갖는신틸레이터패널이며, 상기격벽의한쪽의측면에만반사층이형성되어있는신틸레이터패널을제공한다. | ||||||
| 231 | 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널의 제조방법 | KR1020157005451 | 2013-09-18 | KR1020150066516A | 2015-06-16 | 오카무라마사키; 이구치유이치로; 키노시타히데키 |
| 본발명은대면적으로세폭의격벽이고정밀도로형성되어있고, 또한발광효율이높고, 선명한화질을실현하는신틸레이터패널을제공하는것을목적으로한다. 본발명은평판상의기판, 상기기판상에설치된격벽, 및상기격벽에의해구획된셀 내에충전된형광체로이루어지는신틸레이터층을갖는신틸레이터패널로서, 상기격벽은알칼리금속산화물을 2∼20질량% 함유하는저융점유리를주성분으로하는재료에의해구성되어있고, 상기격벽의정부폭(Lt) 또는상기격벽의 90% 높이폭(L90)을상기격벽의반치폭(Lh)으로나눈값이 0.45∼1이고, 또한상기격벽의저부폭(Lb) 또는상기격벽의 10% 높이폭(L10)을상기반치폭(Lh)으로나눈값이 1∼3인신틸레이터패널을제공한다. | ||||||
| 232 | 방사선상 변환 패널 | KR1020157004678 | 2013-08-01 | KR1020150048126A | 2015-05-06 | 사쿠라이준; 스즈키가츠히코; 시미즈이치노부; 가미무라고우지 |
| 방사선상변환패널은지지체와, 지지체의표면상에마련되고, 복수의주상결정으로이루어진휘진성형광체층과, 휘진성형광체층상에마련된제1 여기광흡수층을구비하고, 복수의주상결정의각각은, 지지체측에있어서나선모양으로적층되어이루어진나선구조부와, 나선구조부로부터제1 여기광흡수층을향해연장되어이루어진주상부를가지고, 휘진성형광체층은입사된방사선을축적하고, 제1 여기광흡수층을통해서여기광이조사됨으로써, 축적되어있는방사선에따른광을제1 여기광흡수층을통해서출사한다. | ||||||
| 233 | 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기 | KR1020147034256 | 2013-04-18 | KR1020150032937A | 2015-03-31 | 조니시히데노리; 시키다무네노리; 구스야마유타카 |
| 신틸레이터 패널(2A)에서는, 두께 150㎛ 이하의 유리 기판(11)이 지지체로 되어 있음으로써, 뛰어난 방사선 투과성 및 가요성이 얻어지고, 열팽창 계수의 문제도 완화시킬 수 있다. 또, 이 신틸레이터 패널(2A)에서는, 유리 기판(11)의 일면(11a)측과 측면(11c)측을 덮도록 유기 수지층(12)이 형성되어 있다. 이것에 의해, 유리 기판(11)이 보강되어, 엣지 부분의 깨짐이나 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 추가로, 유리 기판(11)의 측면(11c)으로부터의 미광을 방지할 수 있는 것 외에, 유기 수지층(12)이 유리 기판(11)의 타면(11b)측에 형성되어 있지 않음으로써, 유리 기판(11)의 타면(11b)측으로의 광의 투과성이 유지된다.
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| 234 | 신틸레이터 패널과 그 제조방법 및 방사선 검출기 | KR1020087028689 | 2008-03-26 | KR101393776B1 | 2014-05-12 | 요시다아츠야; 호리우치히로시 |
| 본 발명은 신틸레이터 패널과 방사선 검출기에 관한 것으로서, 방사선을 투과하는 지지기판(12)의 일면에 수지반사시트(13)를 부착하고, 지지기판(12)의 타면에 수지반사시트(13)와 동일한 재질의 수지 시트(14)를 부착한다. 지지기판(12)의 일면의 수지반사시트(13)상에 방사선을 가시광으로 변환하는 형광체층(15)을 형성한다. 형광체층(15)을 덮는 방습층(17)과 수지반사시트(13)에 의해 형광체층(15)을 포위한다. 수지반사시트(13)를 지지기판(12)과 형광체층(15)의 사이에 배치함으로써 감도 특성이 좋고, 안정적인 품질이 얻어지며, 비용도 개선할 수 있는 신틸레이터 패널(11)이 얻어지는 것을 특징으로 한다. | ||||||
| 235 | 방사선 영상 검출기용의 신규한 조성물 및 이를 포함하는 방사선 영상 검출기 | KR1020147002505 | 2012-08-02 | KR1020140039321A | 2014-04-01 | 장현석 |
| Disclosed is a novel composition for a radiation imaging detector. The composition comprises: an organic matrix comprising a charge transport material (CTM); and a flash particles dispersed in the organic matrix to absorb a radiation. The flash particles are in contact with a charge generating material. | ||||||
| 236 | 방사선 검출기와 그 제조 방법 | KR1020127001545 | 2010-12-15 | KR101325812B1 | 2013-11-08 | 신바유이치; 홈마가츠히사 |
| 본 발명은 방사선 검출기와 그 제조 방법에 관한 것으로서, 광전 변환 소자를 갖는 어레이 기판과 신틸레이터층의 밀착력을 개선하여, 신틸레이터층의 박리에 기인하는 특성 열화가 발생하기 어려운 고신뢰성의 방사선 검출기 및 그 제조 방법을 제공하며, 기판상에 형광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자(21)를 갖고, 또한 최표층에 보호막(26)이 형성된 어레이 기판(12)과, 보호막(26)상에 설치되어 입사되는 방사선을 형광으로 변환하는 CsI 베이스의 신틸레이터층(13)과, 신틸레이터층(13)상에 설치되어 신틸레이터층(13)으로부터의 형광을 어레이 기판(12)측으로 반사시키는 반사층(14)을 구비하는 방사선 검출기(11)에 있어서, 보호막(26)을 열가소성 수지인 아크릴계 유기 수지 재료로 형성하는 것을 특징으로 한다.
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| 237 | 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법 | KR1020110043433 | 2011-05-09 | KR101266554B1 | 2013-05-27 | 국윤봉; 홍태권; 송재복 |
| 본발명은신틸레이터패널에관한것이다. 상기신틸레이터패널은기판, 상기기판위에형성되고, 복수의주상결정으로이루어지며방사선을소정파장범위의광으로변환하는신틸레이터(scintillator) 층, 상기기판의위에상기신틸레이터층의외측둘레로부터소정간격을두고형성된댐(dam) 구조물, 상기댐 구조물에의해둘러싸인상기기판의표면, 상기신틸레이터층 표면및 상기댐 구조물표면의일부에형성된보호층, 상기신틸레이터층 외측둘레와상기댐 구조물사이의공간에형성된상기보호층위에형성된제1 도포층및 상기제1 도포층및 상기보호층위에형성된제2 도포층을포함한다. | ||||||
| 238 | 방사선 상변환 패널 및 그 제조방법 | KR1020117016979 | 2010-03-10 | KR1020110128272A | 2011-11-29 | 야마시타마사노리; 구수야마유타카; 도야마신타로; 시라카와가즈히로; 시키다무네노리 |
| 방사선 상변환 패널(10)은 입사한 방사선을 광으로 변환하는 방사선 변환층(2)이 기판(1)상에 형성되어 있다. 방사선 변환층(2)은 광을 출사하는 광출사면(2a)의 반대 측에 광을 출사면(2a) 측으로 반사시키는 반사층(3)을 가지고, 반사층(3)은 형광체의 결정이 나선 모양으로 적층된 나선구조를 가지고 있다. 이와 같은 방사선 상변환 패널(10)에 의하면, 금속박막 등으로 이루어진 반사층을 형성하지 않고 반사율을 높일 수 있으며, 게다가 구상의 결정입자에 의해서 반사층이 형성되어 있는 경우보다도 높은 반사율을 발휘할 수 있다. | ||||||
| 239 | 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 및 그 제조방법 | KR1020090071499 | 2009-08-04 | KR1020110013839A | 2011-02-10 | 고종수; 정필구; 이치훈; 배공명; 이재민 |
| PURPOSE: A scintillation panel for an X-ray image sensor and a method for manufacturing the same are provided to form a scintillation circular rod bunch by coating a reflective layer on the surface of scintillation. CONSTITUTION: An X-ray image includes a scintillation panel(30) and a light detection element(1). The light detection element includes a silicon substrate(2) and a photo diode(3). The scintillation panel includes a supporting part(11), a reflective layer(14), a scintillation(12), a scintillation protective layer(16). The supporting device passes through X-ray(20). The supporting part surrounds the scintillation. The reflective layer is formed between the supporting part and the scintillation. | ||||||
| 240 | Flexible X-ray Image Sensor | KR20080102756 | 2008-10-20 | KR101003693B1 | 2010-12-23 | |
| 본 발명은 유연한 엑스선 영상센서에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 곡면의 구조를 촬영할 때 유연하게 휘어질 수 있는 엑스선 영상센서에 대한 것이다. 본 발명에 따른 유연한 엑스선 영상센서는 유연한 폴리머평판과, 유연한 광검출소자와, 유연한 섬광체패널을 포함한다. 상기 광검출소자는 기판과, 복수의 포토다이오드유닛을 구비하며 상기 폴리머평판의 일면에 결합한다. 상기 포토다이오드유닛은 포토다이오드와, TFT와, ASIC화된 연산회로가 형성되며 상기 기판의 일면에 형성된다. 상기 섬광체패널은 섬광체와, 폴리머층을 구비하며 상기 광검출소자의 일면에 결합한다. 상기 섬광체는 상기 포토다이오드유닛에 대응하며 엑스선을 상기 포토다이오드유닛이 감지할 수 있는 파장대로 변환시킬 수 있다. 본 발명에 따르면, 유연한 섬광체패널과 유연한 광검출소자와 유연한 폴리머평판을 사용하여 유연한 엑스선 영상센서를 제공함으로써, 곡면을 가진 3차원 형상을 정확하게 촬영할 수 있다. 유연한 엑스선 영상센서, 유연한 광검출소자, 유연한 섬광체패널 | ||||||
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