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序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 一种定位设备、硬盘驱动器及充磁方法 CN201610943167.0 2016-11-01 CN106531197A 2017-03-22 张文昌
发明提供了一种定位设备、硬盘驱动器及充磁方法,该定位设备包括:磁头、N极磁体和S极磁体,其中,所述S极磁体与所述N极磁体相对,并与所述N极磁体形成气隙;所述磁头设置于所述气隙中;所述N极磁体包括:垂直第一方向的第一磁段、与所述第一方向呈45°夹的第二磁段以及与所述第一方向呈135°夹角的第三磁段,所述第一磁段位于与所述第二磁段以及与所述第三磁段之间;所述第一磁段、所述第二磁段及所述第三磁段向同一位置充磁;所述磁头,用于根据所述N极磁体和所述S极磁体定位读写位置。本发明提供的方案有效地保证了定位设备的磁性
2 高频辅助磁头 CN201510449491.2 2015-07-28 CN106057214A 2016-10-26 成田直幸; 山田健一郎; 田口知子; 松本拓也
发明的实施方式可获得应对更高记录密度的高频辅助磁头。实施方式的高频辅助磁头在旋转扭矩振荡器的驱动电流为0的情况下,与记录电流的极性无关地,上述旋转注入层的磁化方向相同,且在旋转扭矩振荡器的驱动电流不为0的情况下,与记录电流的极性相应地,旋转注入层的磁化方向进行响应。
3 用于在能量辅助磁记录磁头中提供热管理的方法和系统 CN201110183014.8 2011-06-27 CN102298931B 2016-02-10 L·王; S·李; W·严
发明描述一种用于提供能量辅助磁记录(EAMR)磁头的方法和系统。该方法和系统包括提供基板、至少一个EAMR换能器、覆盖层和至少一个激光器。基板具有前缘和基板尾缘。EAMR换能器位于器件层中和在基板尾缘上。覆盖层包括多个接触件。器件层在覆盖层和基板尾缘之间。激光器向EAMR换能器提供能量。覆盖层在基板尾缘和激光器之间。激光器电耦合于多个接触件的至少第一部分。接触件提供通过覆盖层和器件层的热连接。接触件的至少第二部分与基板电绝缘。
4 高频振荡器件、磁记录头及盘装置 CN201410449901.9 2014-09-05 CN105023584A 2015-11-04 竹尾昭彦; 山田健一郎; 成田直幸; 鸿井克彦
发明涉及高频振荡器件、磁记录头及盘装置。本发明的实施方式提供一种改善了与记录介质的共振特性的相符性、能够进行高密度记录的磁记录头及具有该磁记录头的盘装置。根据实施方式,磁记录头包括:向记录介质的记录层施加记录磁场的主磁极(60);隔着写入间隙与主磁极相对的写屏蔽件;使主磁极产生磁场的记录线圈(70);具有振荡层及自旋转矩注入层,在主磁极与写屏蔽件之间配置于写入间隙内的高频振子(74);用于向高频振子通电的布线;对振荡层施加调制电压的调制电极(76);和夹在振荡层与调制电极之间的调制绝缘层。
5 具有酒杯状腔体的屏蔽物 CN201110346175.4 2011-10-28 CN102467912A 2012-05-23 高凯中; M·班纳可利
用于磁记录的写入部件包括主磁极和屏蔽物。主磁极具有相对于下磁道方向的第一和第二侧。该屏蔽物用连续地凹入的内侧壁来至少部分地围绕该主磁极。该屏蔽物的内侧壁和该写入部件的移动方向之间的度大于该主磁极的侧面和该移动方向之间的角度。
6 用于在能量辅助磁记录磁头中提供热管理的方法和系统 CN201110183014.8 2011-06-27 CN102298931A 2011-12-28 L·王; S·李; W·严
发明描述一种用于提供能量辅助磁记录(EAMR)磁头的方法和系统。该方法和系统包括提供基板、至少一个EAMR换能器、覆盖层和至少一个激光器。基板具有前缘和基板尾缘。EAMR换能器位于器件层中和在基板尾缘上。覆盖层包括多个接触件。器件层在覆盖层和基板尾缘之间。激光器向EAMR换能器提供能量。覆盖层在基板尾缘和激光器之间。激光器电耦合于多个接触件的至少第一部分。接触件提供通过覆盖层和器件层的热连接。接触件的至少第二部分与基板电绝缘。
7 形成光能小点的装置和方法 CN03815056.5 2003-03-19 CN1666298B 2010-05-05 W·A·查雷纳; C·D·米哈尔西; T·劳齐
一种用来形成一个光能小点的装置,它包含一个被造成一定形状的平面波导,波导把一个线偏振电磁波引导到内部的一个焦点上,以及安置在焦点上的金属针由此线偏振电磁波在针的表面上生成表面电磁激元。该装置还可以包含使那个线偏振电磁波的一部分发生相移的装置。同时还公开了包含一个磁书写极、一个安置在该磁书写极相邻处的平面波导的记录头,该平面波导被造成一定形状能把一个线偏振电磁波引导至波导内的一个焦点上,以及安置在焦点上的金属针,由此线偏振电磁波在针的表面上生成表面电磁激元,以及使用这种记录头的盘驱动器
8 用于高各向异性介质的写入磁头 CN02814811.8 2002-05-21 CN100520915C 2009-07-29 M·W·科文格顿; T·M·科劳弗德; G·J·帕克尔; P·A·范德海也顿
用于将信息位写到磁性存储介质(94)上的写入磁头(66)包括第一写入电极(72),用于在第一方向上的第一磁场,和第二写入电极(70),用于产生第二磁场从而来自两个电极的组合磁场基本沿第一方向或在正交于第一方向的第二方向上。第二写入电极包括自由层(76),具有由自旋转移扭矩控制的磁化强度,和第一垫片(82),位于自由层和第二写入电极之间。写入磁头还可以包括固定层(78)和第二垫片(80)位于固定层和自由层之间。还包括磁盘驱动器(10),它包括写入磁头和使用写入磁头写到磁性存储介质上的方法。
9 磁头及磁头制造方法 CN200610172286.7 2006-12-30 CN101083080A 2007-12-05 大松英晃; 伊藤隆司
发明公开了磁头及磁头制造方法。本发明提供了一种磁头,其中,将加热器可靠地并入所述磁头中,并可以使用由来自所述加热器的热量所导致的热膨胀来可靠地控制所述磁头在介质表面上方的飞行高度。本发明还提供了一种所述磁头的制造方法。作为制造所述加热器的步骤,所述制造方法包括以下步骤:在基板的表面上形成层;在所述二氧化硅层的表面上依次形成钽层、加热层和另一钽层作为加热器形成层;根据所述加热器的平面图案对光刻胶进行构图以覆盖所述加热器形成层的表面;通过以所述光刻胶为掩模在所述加热器形成层上执行离子铣削来按一图案形成所述加热器;在所述加热器的表面覆盖有所述光刻胶的状态下溅射二氧化硅层,使该二氧化硅层的厚度大于所述加热器的厚度;以及通过剥离将所述光刻胶连同覆盖所述光刻胶的外表面的二氧化硅层一起从所述加热器的表面去除。
10 具有垂直磁场的安培头 CN03804529.X 2003-01-14 CN1326115C 2007-07-11 T·W·克林顿; J·D·哈奈; M·A·西格勒
发明提供一种用来产生磁场的磁头(198),其中第一和第二接触点(304,306)电耦合到一薄膜电线(302)上。电流经过电线(302)在两接触点之间通过,由之产生磁场。用一个聚焦机构把磁场聚焦,从而加大了磁场沿薄膜电线(302)记录边的磁通密度
11 纳米管以及使用它的磁检测装置和垂直磁记录用磁头 CN03107652.1 2003-03-24 CN1267931C 2006-08-02 鈴木修一; 日高貴志夫; 林原光男
发明提供一种磁性纳米管,其特征之一是在纳米管中掺杂作为价电子与碳不同的元素氮,在一侧端部带状地偏析出氮元素,由此可产生电子密度的差,使之呈现强磁性。由此,可以不一定安装磁性金属地得到强磁性,且具有高的热稳定性
12 具有读写为跨磁道的磁化的数据的磁记录盘驱动器 CN200510124877.2 2005-11-23 CN1801328A 2006-07-12 弗拉迪米尔·尼基廷
发明涉及磁记录盘驱动器,其包括具有在同心数据磁道中取向在跨磁道方向上的磁化的盘。该同心数据磁道通过防护带彼此磁分隔开。感应写头使其写磁极和写间隙取向以产生跨磁道方向的磁场。该防护带通过含有沿磁道的磁化来提供磁分隔,在这种情况下,该写头还具有产生数据磁道旁边沿磁道方向上的磁场的擦除磁极和擦除间隙。磁致电阻读头使其自由层磁化方向垂直于盘表面且使其被钉扎层磁化方向平行于盘表面并正交于该自由层磁化方向。该读头可具有在跨磁道方向与它间隔开的侧边磁屏蔽件,从而防止来自相邻数据磁道的磁通到达该读头。
13 磁化信息记录方法以及磁性记录再生装置 CN200510051343.1 2005-03-04 CN1741158A 2006-03-01 小川晋; 高桥宏昌
发明涉及一种在记录媒体中进行磁化信息的写入以及读出的方法,以及一种磁性记录再生装置。形成包含磁性金属层1/非磁性金属层2/磁性金属层3的至少3层的薄膜结构,将金属探针5与此多层膜表面接近到纳米数量级的距离。通过在金属探针5与多层膜41的表面之间施加电压,使在多层膜中生成的量子阱状态变化,并使磁性金属层1、3之间的相对的磁化变化。此时,在写入磁化方向上施加辅助磁场11。
14 超薄金属化物膜的反应溅射沉积方法 CN200510087861.9 2005-08-01 CN1740376A 2006-03-01 丹尼尔·莫里
发明是一种将第一金属的化物的超薄膜反应溅射沉积到第二金属的膜上的方法。本方法可以是制造具有金属氧化物膜的磁隧道结(MTJ)的一部分,该金属氧化物膜成为MTJ的隧道势垒。该金属氧化物膜在存在反应氧气(O2)气体的情况下从主要由第一金属构成的靶上被反应溅射沉积,该溅射发生在“高电压”状态从而确保沉积发生在靶处于金属化模式,即没有或最少氧化。当金属氧化物膜用于MTJ隧道势垒时,则该靶由Al、Ti、Ta、Y、Ga或In中的一种金属、这些金属中的两种以上的合金、或这些金属中的一种以上与Mg的合金形成;并且第二金属的膜是含膜,通常是Fe或CoFe合金的膜。
15 磁性膜、硬盘驱动装置的磁头和固体器件 CN200410091700.2 2004-11-30 CN1719521A 2006-01-11 野间贤二
发明提供了磁性膜,其可以抑制由磁头受热引起的磁极突出。该磁性膜可以应用于能以高记录密度记录数据的硬盘驱动装置的磁头。该磁性膜包括:第一合金膜,其由(Fe)和铂(Pt)的合金制成,或者由铁(Fe)、铂(Pt)和其它一种金属或多种金属的合金制成;和第二合金膜,该第二合金膜直接层叠在第一合金膜上,由从包括铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)的组中选出的至少两种金属的合金制成。铁(Fe)在第一合金膜中的摩尔含量是63-74%。
16 用于以高密度记录数据的混合型读写头 CN02145846.4 2002-10-15 CN1224000C 2005-10-19 张东燮; 赵虔晧; 金大式; 金圭赞; 郑永民
一种用于记录和再现高密度数据的混合型磁头,包括形成在滑的背面上用于记录和再现数据的元件。其包括用于提供加热要记录数据的记录介质预定区域所需的能量能源;用于将磁场施加到被能源提供的能量加热的记录介质预定区域上的磁场施加器;用于从记录介质再现数据的数据再现器;用于使得磁场施加器将从能源提供的能量施加到记录介质预定区域上的通道;用于防止热量从通道传输到围绕通道的其他元件上的热屏蔽装置;覆盖热屏蔽装置的写入磁极;以及用于向吸入磁极产生磁场的磁场发生器。于是有可能防止或最小化用于传输能量的通道所产生的能量传播到围绕通道安装的其他元件上。还有可能防止围绕通道的其他元件的特性由于通道所产生的热量而改变。
17 形成光能小点的装置和方法 CN03815056.5 2003-03-19 CN1666298A 2005-09-07 W·A·查雷纳; C·D·米哈尔西; T·劳齐
一种用来形成一个光能小点的装置,它包含一个被造成一定形状的平面波导,波导把一个线偏振电磁波引导到内部的一个焦点上,以及安置在焦点上的金属针由此线偏振电磁波在针的表面上生成表面电磁激元。该装置还可以包含使那个线偏振电磁波的一部分发生相移的装置。同时还公开了包含一个磁书写极、一个安置在该磁书写极相邻处的平面波导的记录头,该平面波导被造成一定形状能把一个线偏振电磁波引导至波导内的一个焦点上,以及安置在焦点上的金属针,由此线偏振电磁波在针的表面上生成表面电磁激元,以及使用这种记录头的盘驱动器
18 用于在数据存储介质上记录信息的写入头和方法 CN02828048.2 2002-09-17 CN1620685A 2005-05-25 T·W·麦克答尼尔; T·R·瓦莱特
与磁存储介质(40)一起使用的记录头(30),包括用于为传输辐射能提供一个通路的波导(58),定位在波导中且包括多个臂(72,74,76,78)的近场耦合结构(70),每一臂具有平面部分和弯曲部分,其中,平面部分实质上平行于磁存储介质的表面,而弯曲部分朝磁存储介质延伸并被分开以形成毗邻于空气轴承表面的缝隙,以及用于将写入磁场施加于由辐射能加热的磁记录介质部分的装置(32)。还提供包括记录头的磁盘驱动器(10),以及使用记录头记录数据的方法。
19 具有与第一极靴磁耦合的写屏蔽的垂直记录磁头 CN200410058820.2 2004-07-30 CN1584988A 2005-02-23 高塔姆·科拉; 李广; 桑·V·纽叶; 艾伦·潘泰克; 梅森·L·威廉三世
发明公开了一种具有与第一极靴磁耦合的写屏蔽的垂直记录磁头。该垂直记录写磁头具有在一个背间隙处被连接的磁第一和第二极靴以及位于第一和第二极靴之间并位于磁头表面和所述背间隙之间的其中嵌有一个写线圈层的绝缘叠层。所述第二极靴具有一个位于所述磁头表面的极尖,以及凹入的铁磁写屏蔽层。一个非磁性隔离层位于所述第二极靴和所述写屏蔽层之间,至少一个铁磁中间柱被磁连接在所述第一极靴层和所述写屏蔽层之间,并位于所述磁头表面和所述绝缘叠层之间。
20 包括空间激励的自旋波模式写入器的磁记录头 CN02816237.4 2002-06-26 CN1552061A 2004-12-01 T·M·克劳福德; M·W·科文格顿; G·J·帕科尔
发明提供磁记录头(19、20、25、30、40),其利用较高量级的动态磁化激励来提高频率,而无需偏置写入磁轭。根据本发明,载流的微波传输带波导(21、22、22a、22b、23a、23b、24a、24b)和写入磁极(14)的尺寸和排列受到控制,以产生自旋波写入模式。在写入操作过程中,磁化被驱入到较高量级空间自旋波模式中。
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