子分类：
- G11B2005/0002： .特定的配置或录音技术
- G11B5/004： .磁鼓上信息的记录、重现或抹除(G11B19/00优先)
- G11B5/008： .在磁带上信息的记录、重现或抹除{片状,例如:卡带}或磁线(G11B15/00{ G11B 19/00 }优先;{化信息的大量转移再录入G11B5/86B;以数字方式标记记录载体入G06K})
- G11B5/012： .在磁盘上信息的记录,重现或抹除(G11B17/00,19/00优先)
- G11B5/02： .记录、重现或抹除的方法;及其读、写或抹除的电路(定时或同步装置入G11B27/10)
- G11B5/10： .磁头的外壳或屏蔽罩的结构或制造
- G11B5/127： .磁头的结构或制造,例如;电感应的
- G11B5/40： .磁头的保护措施,例如:防御过高温度的(G11B5/31优先;防磨损的保护入G11B5/255) {磁头的保护结构:见结构下,例如:G11B5/3106}
- G11B5/41： .磁头的清洁{记录载体的清洁见G11B23/50}
- G11B5/455： .磁头的功能测试装置{制造过程测试见G11B5/127};磁头的测量装置(测量电或磁特性的入G01R;修整或装配元件性能的测量装置入G11B5/127)
- G11B5/465： .磁头的退磁装置(一般退磁入H01F13/00)
- G11B5/48： .磁头{或磁头支架}相对于记录载体的配置或安装{磁头在外壳内的安装入G11B5/105; 磁头排列,例如:扫描记录载体以提高相对速率(记录载体和磁头二者的驱动入G11B15/18;记录载体制导入G11B15/60;磁头选择电路入G11B15/12)}
- G11B5/62： .按所用材料选择区分的记录载体(一般磁性材料的选择入H01F1/00;磁性薄膜入H01F10/00)
- G11B5/74： .按形状区分的记录载体,例如,沿圆筒缠绕成形的片材
- G11B5/84： .专用于制造记录载体的方法或设备(涉及一般单项工艺的并且列入到其它类目的,见有关的类目,例如:B29、C23、C25D;将均匀磁性薄膜加到基底上去的设备或方法一般入H01F41/14)
- G11B5/86： .再录,即:将信息从一种可磁化的记录载体转录到另一种或多种相同的或不相同的记录载体上{改变信息次序入G11B27/029, G11B27/036}
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 信息存储装置和存储介质 | CN200810184164.9 | 2008-12-16 | CN101465156B | 2011-12-21 | 渡部隆夫; 新谷俊通; 前田武志; 广常朱美; 尾藤良孝 |
| 本发明提供一种信息存储装置，在固体状的介质的不接近表面的内部，呈三维状配置存储器单元，并使存储器单元具有依存于其空间坐标的电磁波的共振特性。上述介质选择存储器单元的透射共振频率的电磁波的材料。通过观测从介质外部所照射的电磁波的吸收波谱或吸收后的发射波谱，计算存储器单元的三维空间坐标。在利用了电磁波的共振现象的信息存储装置中，兼顾存储数据的高密度化和长期保存性。 | ||||||
| 2 | 微细结构体的制造方法和图案介质的制造方法 | CN200710104269.4 | 2007-05-23 | CN101077768B | 2011-01-12 | 吉田博史; 长野秀树; 长谷川博一; 竹中干人; 陈枫 |
| 本发明的课题是利用高分子嵌段共聚物的微相分离现象提供柱状微畴在膜的贯通方向上取向的同时具有规则图案的排列的微细结构体。本发明的特征在于，包括：第1步骤，在基板(40)上涂敷至少包含具有构成微细结构体(30)的连续相(10)的第1链段和构成在该连续相(10)的贯通方向上取向的微畴(20)的第2链段的高分子嵌段共聚物的高分子层；以及第2步骤，以构成第1链段的第1原料(A)与基板(40)的表面(X)的界面张力和构成第2链段(22)的第2原料(B)与基板(40)的表面(X)的界面张力这两者的界面张力大致相等的中性温度(Tn)对基板(40)进行热处理。 | ||||||
| 3 | 使用现有控制器信号确定扇区块大小的方法、装置和设备 | CN200410063899.8 | 2004-07-14 | CN100517492C | 2009-07-22 | 李元兴; 曾韦宁 |
| 一种使用现有控制器信号来确定扇区块大小的方法和装置已经公开。本发明检测指示数据长度的数据通道门信号的特征，基于特征的检测来确定数据长度，并且基于确定的长度来计算数据长度中最后数据块的大小。 | ||||||
| 4 | 可编程磁性存储器器件FP-MRAM | CN03823604.4 | 2003-09-30 | CN100492530C | 2009-05-27 | K·-M·H·伦森 |
| 一种存储器器件具有一个信息平面(32)，所述信息平面用于以电磁材料的磁状态将数据存储在比特位置阵列(31)。所述器件另外还具有一个电磁传感器元件阵列(51)，所述阵列与比特位置对齐，所述信息平面(32)是可编程的或者可通过独立的磁性写入器件(21)来编程。特别地描述了一种用于只读磁性存储器的只读传感器元件(60)。 | ||||||
| 5 | 包括在探头触点和存储介质之间的传导介质的数据存储设备 | CN01141297.6 | 2001-10-15 | CN100437791C | 2008-11-26 | G·A·吉布森 |
| 本发明的某些具体实施方案是在这样的数据存储设备中管理的，即能够将数据在纳米尺寸的存取区域进行存储、读出和写入操作的数据存储设备。某些具体实施方案是在这样的设备中管理的，其中在存储介质(40)和能量发射触点(20)之间提供一个流动介质(90)和粒子(100)，并将能量从触点(20)输导到存储介质(40)。某些具体实施方案是在这样的设备中管理的，其中导体分子(120)被固定在存储介质(40)的表面，它可以将能量从能量发射触点(20)输导到存储介质(40)。某些具体实施方案是采用下面方法对存储介质(40)进行读出和写入操作的，它利用过渡粒子(100)以及/或者分子(120)来将射束从触点(20)输导到存储数据的存储介质(40)上。 | ||||||
| 6 | 利用磁畴壁移动的信息存储装置及其制造和操作方法 | CN200710185795.8 | 2007-12-06 | CN101299347A | 2008-11-05 | 林志庆; 左圣熏 |
| 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作该信息存储装置的方法。该信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写头，其中写头包括：第一磁性层和第二磁性层，该第二磁性层形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有比第一磁性层更小的磁各向异性能。 | ||||||
| 7 | 微细结构体、图案介质及其制造方法 | CN200710104269.4 | 2007-05-23 | CN101077768A | 2007-11-28 | 吉田博史; 长野秀树; 长谷川博一; 竹中干人; 陈枫 |
| 本发明的课题是利用高分子嵌段共聚物的微相分离现象提供柱状微畴在膜的贯通方向上取向的同时具有规则图案的排列的微细结构体。本发明的特征在于，包括：第1步骤，在基板(40)上涂敷至少包含具有构成微细结构体(30)的连续相(10)的第1链段和构成在该连续相(10)的贯通方向上取向的微畴(20)的第2链段的高分子嵌段共聚物的高分子层；以及第2步骤，以构成第1链段的第1原料(A)与基板(40)的表面(X)的界面张力和构成第2链段(22)的第2原料(B)与基板(40)的表面(X)的界面张力这两者的界面张力大致相等的中性温度(Tn)对基板(40)进行热处理。 | ||||||
| 8 | 磁电阻元件、磁再现头和磁再现装置 | CN200310124302.1 | 2003-12-26 | CN1278306C | 2006-10-04 | 吉川将寿; 高岸雅幸; 船山知己; 馆山公一; 岩崎仁志; 福泽英明 |
| 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。 | ||||||
| 9 | 磁记录介质和利用电子自旋相关的散射读取数据的装置 | CN200610059110.0 | 2003-06-30 | CN1831950A | 2006-09-13 | 金成栋 |
| 本发明提供了一种磁记录介质和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压，以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流，来读取记录在磁记录介质上的数据，所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。 | ||||||
| 10 | 双面垂直磁记录介质及其处理方法和装置 | CN03107700.5 | 2003-03-26 | CN1261926C | 2006-06-28 | 濱口慎吾; 尾崎一幸 |
| 本发明公开了一种用于初始化双面垂直磁记录介质的方法，所述双面垂直磁记录介质包括：基底；在所述基底的第一表面上形成的第一磁薄膜；和在所述基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜，其特征在于，在穿过所述基底表面的方向上施加初始化磁场，以同时初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜，相对于所述穿过基底表面的方向，所述第一磁薄膜的初始化磁化的方向和所述第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。 | ||||||
| 11 | 使用电磁阵列的存储系统 | CN03823590.0 | 2003-09-12 | CN1689075A | 2005-10-26 | K·-M·H·伦斯森; H·范豪坦 |
| 可移动式的记录载体(40)具有构成比特位置阵列(11)的在基片上的电磁材料层的信息面。材料的磁状态表示每个比特位置的数值。存储设备(35)具有与信息面配合的交界面(32)。交界面具有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列(31)。记录载体和设备具有对准单元(38，41)，用于当记录载体被安装在该设备时把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。 | ||||||
| 12 | 磁头、磁性记录和再现装置、用于再现和记录磁性记录信息的方法 | CN01111815.6 | 2001-03-20 | CN1223997C | 2005-10-19 | 伊藤显知; 添谷进 |
| 在此提供一种磁性再现头和磁性记录头，其易于制造并且适合于通过狭窄的磁道尺寸记录和再现。磁性再现头由GMR或TMR磁性传感器以及用于把磁通量导入磁性传感器的磁导所构成，其中至少磁导的一部分由能够在不低于预定温度Tp的温度下允许磁通量通过，但是在低于Tp的温度下不允许磁通量通过的材料所构成。光线仅仅照射到一部分磁导上，使得被照射部位的温度升高到Tp或更高，从而允许磁通量仅仅通过被照射部位，因此在检测来自磁性记录介质的磁记录信息时，这大大地减小了磁性再现头的磁道宽度。 | ||||||
| 13 | 磁头和其制造方法以及垂直磁记录装置 | CN00135320.9 | 2000-09-22 | CN1206624C | 2005-06-15 | 与田博明; 馆山公一; 大日向祐介 |
| 本发明的目的是通过以微小量正确且再现性良好地控制主磁极、辅助磁极、线圈、回程偏转线圈距媒体对向面的凹槽量，提供一种使产生的磁场稳定而且倍增的磁头以及其制造方法和磁记录装置。在与媒体对向面平行设置的薄膜上，使薄膜状磁单元叠层，构成磁头。在薄膜上设置开口，主磁极的一部分具有在该开口延出的尖端部。这样，可以高精度地控制薄膜状磁单元距媒体对向面的凹槽量，同时，主磁极尖端部的突出量也可由薄膜的膜厚极微小且精密地控制。其结果将使在主磁极尖端部的记录磁场强度增大到最终值，从而提供一种可在高密度对应的高保持力的媒体上进行记录的磁头。 | ||||||
| 14 | 带有自定向发射级的磁沟道晶体管的制备方法和装置 | CN200410038601.8 | 2004-04-27 | CN1551114A | 2004-12-01 | 哈戴亚尔·S.·吉尔 |
| 本发明公开了带有自定向发射极之磁沟道晶体管的制备方法和装置。形成了一种带有自定向发射极层的磁沟道晶体管(MTT)。自定向发射极层通过去除一个邻近的反铁磁定向电阻厚层，减小了电阻。同时，本发明也通过从基极中去除一个被定向层，减小了磁沟道晶体管基极中的串联电阻。 | ||||||
| 15 | 信息记录/再生装置 | CN98814172.8 | 1998-09-02 | CN1172295C | 2004-10-20 | 嵯峨秀树; 根本广明; 助田裕史; 高桥正彦; 中村公夫; 丸山洋治; 井手浩; 滨口雄彦 |
| 在利用通过垂直磁记录膜上的反转磁畴保持信息的记录媒体的信息记录再生装置上，具有在该记录媒体上使电磁能或光照射在上述记录媒体上的照射装置；及与上述照射装置一样位于上述记录媒体的同一侧、并检测从上述记录媒体的漏磁通的磁通检测装置。这样可以进行记录媒体的两面记录。 | ||||||
| 16 | 磁电阻元件、磁再现头和磁再现装置 | CN200310124302.1 | 2003-12-26 | CN1534605A | 2004-10-06 | 吉川将寿; 高岸雅幸; 船山知己; 馆山公一; 岩崎仁志; 福泽英明 |
| 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。 | ||||||
| 17 | 利用电子自旋相关的散射读取数据的介质、装置及其方法 | CN03148462.X | 2003-06-30 | CN1508775A | 2004-06-30 | 金成栋 |
| 本发明提供了一种磁记录介质、和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元、和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层、和在非磁层上的第二磁层，所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压，以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流，来读取记录在磁记录介质上的数据，所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。 | ||||||
| 18 | 光盘及再生装置 | CN02160421.5 | 1994-01-21 | CN1482610A | 2004-03-17 | 大嶋光昭; 清水亮辅; 神门俊和; 吉浦司; 松浦巧; 田中道郎; 丹谕 |
| 本发明为利用使用光记录介质的记录再生装置，使ROM型盘记录再生时，或利用光再生专用的记录再生装置使RAM型盘再生时，解决其不具备对数据进行记录的功能问题，几乎不用增加零件数和成本，就能实现具有数据记录机能的记录再生装置。在本发明中，在记录介质2的光记录层4的上层设有磁记录层3，而且将磁头8设置在与光头6相对的一侧，通过进行磁记录或再生，可进行光记录和独立地进行磁记录再生。 | ||||||
| 19 | 磁再现装置和磁再现方法 | CN02802735.3 | 2002-07-18 | CN1466748A | 2004-01-07 | 小谷保孝; 柳裕二 |
| 提供一种磁再现装置和磁再现方法，其适用于使用例如磁阻元件来再现磁带。从数据输入端1输入的信号在记录信号处理电路2中受到适合磁记录的处理，供给预定的预编码器3。来自预编码器3的信号通过记录放大器4，由记录头5记录于磁带等记录媒介6上。由再现头7从记录媒介6中读取的信号被提供给再现均衡放大器8，以进行放大和均衡。已均衡的信号通过A/D转换器9被提供给电路10、其频道特性为部分响应类4(PR4)。来自电路10的输出信号被提供给PR4解码电路11、以检测该信号。进而，把来自解码电路11的信号发送至再现信号处理电路12。接着，在执行解调、从信号的分组状态恢复成初始形式、纠错等后，把信号输出至数据输出端13。于是，传统上用来再现硬盘等的磁阻元件就可被应用于再现磁带。 | ||||||
| 20 | 量子磁性存储器 | CN01810324.3 | 2001-03-13 | CN1432178A | 2003-07-23 | E·C·汉纳; M·A·布朗 |
| 提供一种采用自旋极化电子束在磁性介质上存储数据的系统。该系统包括自旋极化电子束源和距离该源为选择距离设置的存储介质。存储介质具有多个存储位置，每个存储位置包括夹在第一和第二层半金属化材料之间的一层磁性材料。最终层叠结构形成自旋相关电子陷阱，增加了处于第一自旋状态的射束电子和处于第二自旋状态的电子之间的耦合。电子光学系统引导自旋极化电子束源到多个存储位置。 | ||||||
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