高频辅助磁头 |
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| 申请号 | CN201510449491.2 | 申请日 | 2015-07-28 | 公开(公告)号 | CN106057214A | 公开(公告)日 | 2016-10-26 |
| 申请人 | 株式会社东芝; | 发明人 | 成田直幸; 山田健一郎; 田口知子; 松本拓也; | ||||
| 摘要 | 本 发明 的实施方式可获得应对更高记录 密度 的高频辅助磁头。实施方式的高频辅助磁头在旋转 扭矩 振荡器 的驱动 电流 为0的情况下，与记录电流的极性无关地，上述旋转注入层的磁化方向相同，且在旋转扭矩振荡器的驱动电流不为0的情况下，与记录电流的极性相应地，旋转注入层的磁化方向进行响应。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种高频辅助磁头，具备： |
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| 说明书全文 | 高频辅助磁头[0001] 相关申请 技术领域[0003] 本发明的实施方式涉及高频辅助磁头。 背景技术发明内容[0006] 本发明的实施方式可获得应对高记录密度且呈现稳定的记录再现特性的高频辅助记录头。 [0007] 根据实施方式，提供高频辅助磁头，其通过下述构成可以实现高效的振荡，即具备：主磁极；与该主磁极相对设置的辅助磁极；将该主磁极和辅助磁极磁化的线圈；设置于该主磁极与该辅助磁极之间的旋转扭矩振荡器；以及对旋转扭矩振荡器通电的端子，[0008] 其中，上述旋转扭矩振荡器包括：在上述主磁极及上述辅助磁极之中的一方上形成的旋转注入层、在该旋转注入层上形成的中间层及在该中间层上形成的振荡层，[0009] 在上述旋转扭矩振荡器的驱动电流为0的情况下，与记录电流的极性无关地，旋转注入层的磁化方向相同，且在上述旋转扭矩振荡器的驱动电流不为0的情况下，与记录电流的极性相应地，旋转注入层的磁化方向进行响应。附图说明 [0010] 图1是实施方式所涉及的磁头的主要部分截面图。 [0011] 图2是图1的记录头上浮面附近的截面图。 [0012] 图3是表示与实施方式所涉及的磁头相关的STO驱动电流密度与B.P.的关系的曲线图。 [0013] 图4是表示与实施方式所涉及的磁头相关的STO驱动电流密度与B.P.的关系的曲线图。 [0014] 图5是表示与比较的磁头相关的STO驱动电流密度与B.P.的关系的曲线图。 [0015] 图6是表示与比较的磁头相关的STO驱动电流密度与B.P.的关系的曲线图。 [0016] 图7是表示与实施方式所涉及的磁头相关的STO的振荡频率的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0017] 图8是表示与实施方式所涉及的磁头相关的STO驱动电流密度最佳值下的到达B.P.的FGL磁膜厚依赖性的曲线图。 [0018] 图9是表示实施方式所涉及的磁头的另一例的上浮面附近的截面图。 [0019] 图10是表示实施方式所涉及的磁头中的B.P.的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0020] 图11是表示实施方式所涉及的磁头中的B.P.的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0021] 图12是表示比较的磁头中的B.P.的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0022] 图13是表示比较的磁头中的B.P.的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0023] 图14是表示实施方式所涉及的磁头中的FGL磁膜厚与到达B.P.的关系的曲线图。 [0024] 图15是表示STO驱动电流密度近似为0时的STO元件电阻相对于记录电流的变化的一例的曲线图。 [0025] 图16是表示通以STO驱动电流、获得STO振荡时的STO元件电阻相对于记录电流的变化的一例的曲线图。 [0026] 图17是表示对实施方式所涉及的磁头的又一例的构成从上浮面进行观察的图。 [0027] 图18是表示与实施方式所涉及的磁头相关的STO驱动电流密度最佳值下的B.P.的FGL磁膜厚依赖性的曲线图。 [0028] 图19是表示与实施方式所涉及的磁头相关的STO驱动电流密度最佳值下的B.P.的FGL磁膜厚依赖性的曲线图。 具体实施方式[0029] 实施方式所涉及的高频辅助磁头包括：主磁极；与主磁极相对设置的辅助磁极；将主磁极和辅助磁极磁化的线圈；设置于主磁极与辅助磁极之间的旋转扭矩振荡器；以及对旋转扭矩振荡器通电的端子。 [0030] 旋转扭矩振荡器包括：在主磁极及辅助磁极之中的一方上形成的旋转注入层、中间层及振荡层。 [0031] 在旋转扭矩振荡器的驱动电流大致为0的情况下，与记录电流的极性无关地，旋转注入层的磁化方向相同，且在驱动电流大致不为0的情况下，与记录电流的极性相应地，旋转注入层的磁化方向进行响应。 [0032] 在实施方式所涉及的高频辅助磁头中，通过应用更大的顽磁力的旋转注入层，在旋转扭矩振荡器的驱动电流为0的情况下，与记录电流的极性无关地，旋转注入层的磁化方向相同，且在驱动电流不为0的情况下，与记录电流的极性相应地，旋转注入层的磁化方向进行响应。通过使用这样的对STO驱动电流具有高稳定性的旋转注入层，可获得效率高的振荡，能够期待良好的辅助效果。 [0033] 另外，在使旋转扭矩振荡器的驱动电流进一步增加的情况下，与记录电流的极性的反转相应地，旋转注入层的磁化方向能够进行反转。由此，可以获得与记录极性无关的稳定的记录特性。 [0034] 在旋转扭矩振荡器的驱动电流大致为0的情况下，由磁阻效应引起的旋转扭矩振荡器的电阻变化相对于记录电流的极性为非对称，若使旋转扭矩振荡器的驱动电流增加、旋转注入层的磁化相对于记录电流的变化而反转，则由磁阻效应引起的旋转扭矩振荡器的电阻变化相对于记录电流的极性成为对称。由此，可以选择旋转扭矩振荡器适合的驱动电流。 [0035] 可以将高频辅助磁头的主磁极的与旋转扭矩振荡器相对的相对面的法线与旋转注入层的易磁化轴方向设为平行。旋转扭矩振荡器的驱动时的电流极性可以始终设为同一极性。 [0036] 另外，从上浮面侧观察的主磁极和与主磁极相对的尾端防护件之间的距离的平均值可以比旋转扭矩振荡器的膜厚大。由此，旋转扭矩振荡器可以以更高的效率振荡。 [0037] 可以将旋转扭矩振荡器的振荡层的饱和磁化Ms与膜厚t之积Mst设为25nmT以上且40nmT以下。由此，可以获得适于辅助效果的高频磁场强度。 [0039] 以下，参照附图，具体地说明实施方式。 [0040] 实施例1基于模拟的研究(平板类型记录头) [0041] 图1是对实施方式所涉及的磁记录再现头从偏离磁道方向观察时的主要部分截面图。 [0042] 图2是实施方式所涉及的磁头的一例的上浮面附近的截面图。 [0043] 磁头10包含：主磁极1；与主磁极1相对配置的尾端防护件2；通过从未图示电源施加电流而将主磁极1和尾端防护件2磁化的一对线圈3、3'；将线圈3及线圈3'连接的上下线圈连接部33；设于上浮面附近的主磁极1与尾端防护件2间的旋转扭矩振荡器4，主磁极1与旋转扭矩振荡器4相对的面具有相对于上浮面5垂直的形状。将具有这样的写间隙构造的磁头10定义为非锥形类型磁头。也可以包含图1和/或图2中所示的前导防护件6和/或未图示的侧防护件等其他辅助磁极。在主磁极1与尾端防护件2之间(写间隙)中构成的旋转扭矩振荡器(STO)4以振荡层(FGL)7和旋转注入层(SIL)9隔着间隔层8而层叠的结构作为其基本构造，进而通过电极11、12与主磁极1、尾端防护件2电连接。在图2中，从主磁极1朝向尾端防护件2的方向，依次构成电极12、SIL9、间隔层8、FGL7、电极11，如箭头100所示，从主磁极1向尾端防护件2流动旋转扭矩振荡器驱动电流。另外，旋转扭矩振荡器驱动电流的通电方向也可以相反，可以选择任一通电方向。 [0044] 另外，旋转注入层9的易磁化轴方向如箭头104所示，相对于与STO4相对配置的主磁极1的一个主面13大致垂直。STO4的层叠的顺序可以按照与图2所示顺序相反的顺序层叠。此时，从尾端防护件2向主磁极1流动旋转扭矩振荡器驱动电流。另外，旋转扭矩振荡器驱动电流的通电方向也可以相反，可以选择任一通电方向。 [0045] 在以下所示的条件下，进行基于模拟的STO振荡状态的研究。 [0046] 与主磁极1相对的尾端防护件2的距离(写间隙长度:WG)设为30nm。STO4的膜厚设为与写间隙长度相等。这里，写间隙长度定义为用主磁极的一个主面13的偏离磁道方向的宽度对从ABS面观察磁头时的主磁极与尾端防护件间的距离进行平均而得到的值。此时，在FGL的膜厚方向施加的间隙磁场(写间隙中的磁场强度)成为9kOe。FGL的膜厚设为13.0nm，饱和磁化(Ms)设为2.3T，此时，以FGL的膜厚与饱和磁化之积赋予的磁膜厚Mst设为29nmT，从主磁极1向尾端防护件2流动旋转扭矩振荡器驱动电流。由于从FGL产生的高频磁场强度理论上与FGL的磁膜厚大致成比例，所以一般优选使用具有更大的磁膜厚的FGL。关于SIL的各向异性磁场Hk为30kOe和22kOe这二种的情况进行了研究。例如作为SIL，使用MnGeGa合金。 [0047] 另外，以FGL膜厚方向为法线方向的面的面积对FGL、SIL都设为40x40nm2。 [0048] 进而，作为比较，对以下所示的2条件实施了模拟。 [0049] 比较例1 [0050] 除了主磁极与尾端间的距离(WG)为45nm、SIL的Hk为15kOe以外，与实施例1同样。 [0051] 比较例2 [0052] 除了主磁极与尾端间的距离(WG)为30nm、SIL的Hk为15kOe以外，与实施例1同样。 [0053] FGL振荡状态使用Bias Point(B.P.，偏置点)进行了评价。在将FGL磁化与SIL磁化的相对角度设为θ时，B.P.由以下的式(1)提供。 [0054] B.P.＝(1-cosθ)/2…(1) [0055] 即B.P.＝0(θ＝0度)表示FGL与SIL的磁化为同方向。B.P.＝1(θ＝180度)表示FGL与SIL的磁化处于反平行关系。另外，B.P.＝0.5表示SIL与FGL的磁化处于垂直关系，此时，从FGL产生的高频磁场强度成为最大。为了获得良好的辅助效果，效率高的FGL振荡不可或缺，作为B.P.，优选实现超出0.35、最好接近0.5的振荡。 [0056] 图3和图4关于实施例1的磁头，示出表示通过模拟求出的STO驱动电流密度与B.P.的关系的曲线图。 [0057] 分别地，图3表示SIL的各向异性磁场Hk为30kOe的情况，图4表示SIL的各向异性磁场Hk为22kOe的情况。 [0058] 图中，将相对于SIL的初始磁化方向在相同方向施加间隙磁场的情况定义为记录电流为正，图3中表示为曲线98，图4中表示为曲线105。另外，将相对于SIL的初始磁化方向在相反方向施加间隙磁场的情况定义为负，图3中表示为曲线99，图4中表示为曲线106。 [0059] 如图3及图4所示，在SIL的Hk为30kOe或者22kOe时，在STO驱动电流密度近似为0的情况下，SIL的顽磁力极高，依记录电流的极性，例如在记录电流为正时B.P.＝0，在记录电流为负时B.P.＝1，取2个状态。即，这表示SIL的磁化方向不依间隙磁场而变化。若STO驱动电流密度增加，则B.P.减小，若进一步增加，则不依赖记录电流的极性，呈现相同值。这表示与间隙磁场的极性变化相应地，SIL进行磁化反转。曲线98和曲线99在8 2 STO驱动电流密度为10×10A/cm以上时大致重叠，同样，曲线105和曲线106在STO驱动 8 2 电流密度为5×10A/cm以上时大致重叠。根据这里所示的条件，在STO驱动电流密度大的情况下，可以实现STO的杯式反转工作。杯式反转工作是指与记录电流的极性相应地，SIL的磁化进行反转的STO工作，在利用这样的杯式反转工作的STO中，即使在STO驱动电流始终设为同一极性的情况下，也可以实现不依赖于记录电流的极性的良好的磁记录。 [0060] 另外，在SIL的Hk为22kOe、30kOe中的任一种的情况下都通过使STO驱动电流密8 2 度增加，而B.P.增加，通过使STO驱动电流密度≧30x10A/cm，可获得B.P.≧0.35的良好的振荡状态，可以实现良好的磁记录。 [0061] 图5和图6关于比较例1及比较例2的磁头，示出表示通过模拟求出的STO驱动电流密度与B.P.的关系的曲线图。 [0062] 图5、图6中，曲线107、108、109、110都是SIL的Hk为15kOe的情形。曲线108、曲线109表示记录电流的极性为正的情况，曲线107、曲线110表示记录电流的极性为负的情况。在任一种情况下，在STO驱动电流密度大致为0的条件下，B.P.都不依赖于记录电流的极性而大约成为零。这表示即使在STO驱动电流密度大致为0的情况下，由于SIL的磁化因间隙磁场而反转，所以FGL和SIL的磁化相对于间隙磁场大致一致为平行。 [0063] 另外，在图5所示的曲线107、108中，虽然通过使STO驱动电流密度≧10x108A/2 cm，可以实现偏置(Bias)≧0.35，但是由于写间隙长度宽至45nm，所以难以实现高线记录密度。进而，在图6所示的曲线109、110中，虽然写间隙长度为30nm，但是即使提高STO驱动电流密度也无法实现超过0.35的B.P.，无法期待良好的辅助效果。这样，根据实施方式，由于在不驱动STO的状态下的记录能力高的磁头、即具有狭窄的WG的磁头中，可以获得高效率的振荡，所以相对于比较例1及比较例2，可以实现更高的线记录密度。 [0064] 图7是表示与实施方式所涉及的磁头和比较的磁头相关的STO的振荡频率的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0065] 图中，曲线111、112分别是实施方式1中的写间隙长度为30nm及SIL的各向异性磁场Hk为30kOe的情况，且曲线111表示记录电流为正的情况，曲线112表示记录电流为负的情况。曲线113、114分别是实施例1中的写间隙长度为30nm及SIL的各向异性磁场Hk为22kOe的情况，且曲线113表示记录电流为正的情况，曲线114表示记录电流为负的情况。 [0066] 另外，曲线115、116分别是比较例1中的写间隙长度为45nm及SIL的各向异性磁场Hk为15kOe的情况，且曲线115表示记录电流为正的情况，曲线116表示记录电流为负的情况。 [0067] 另外，曲线117、118分别表示比较例2中的写间隙长度为30nm及SIL的各向异性磁场Hk为15kOe的情况，且曲线117表示记录电流为正的情况，曲线118表示记录电流为负的情况。 [0068] 如曲线111、112、113、114所示，在可获得良好的振荡的实施例1的条件下，实现了对微波辅助有效的20～30GHz的振荡。 [0069] 图8是对于实施方式所涉及的磁头，表示使FGL的磁膜厚Mst变化时的STO驱动电流密度最佳值下的到达B.P.的曲线图。 [0070] 将SIL的Hk为22kOe的情况设为曲线119，将SIL的Hk为30kOe的情况设为曲线120。另外，为了进行比较，将与比较例2同样的SIL的Hk为15kOe的情况的B.P.示于曲线121。可以看出，在Hk＝15kOe的情况下，在25nmT以上的磁膜厚下，B.P.低于0.35，但是如曲线119、曲线120所示，在SIL的Hk为30kOe的情况下，即使是40nmT的磁膜厚，也可获得B.P.超出0.35的良好振荡。 [0071] 实施例2 [0072] 基于模拟的研究(锥形类型记录头) [0073] 图9表示实施方式所涉及的磁头的另一例的上浮面附近的截面图。 [0074] 除了下述方面以外，具有与图2同样的构成，这些方面是：上浮面5附近的主磁极25的尾端方向101侧的面26朝向上浮面方向具有锥形形状，包含在其上依次形成的旋转注入层29、中间层28及振荡层27的STO24、及在STO24的两侧配置的STO电极22、STO电极 21以及在STO电极21上设置的尾端防护件32也具有与之相适应的锥形形状。通过在主磁极25形成这样的构造，磁通在主磁极25前端处的集中效率得到改善，可以达到更高的线记录密度。将具有这样的写间隙构造的记录头20定义为锥形类型记录头。另外，作为与实施例1同样的构成，可以包含未图示的辅助磁极。STO24设置于主磁极25与尾端防护件32之间，另外，SIL29的易磁化轴方向如箭头23所示，设置为与相对的主磁极的面大致垂直。 [0075] 在以下所示的条件下，进行了模拟下的研究。 [0076] 主磁极与尾端防护件的距离(写间隙长度)设为30nm。此时的写间隙长度定义为主磁极与尾端防护件间的锥形面法线方向的长度。此时向FGL的膜厚方向施加的间隙磁场(写间隙中的磁场强度)成为11kOe。 [0077] 在图10及图11中关于实施例2的记录头，示出表示B.P.的STO驱动电流密度依赖性的曲线图。 [0078] 图10表示SIL的Hk为22kOe、WG为30nm的情况下的曲线图，曲线122表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为正，曲线123表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为负。 [0079] 图11表示SIL的Hk为30kOe、WG为30nm的情况下的曲线图，曲线124表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为正，曲线125表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为负。 [0080] 另外，作为比较，关于除了分别将SIL的Hk设为15kOe、将WG设为45nm以外具有与图9同样的构成的磁头(比较例3)及除了将Hk设为15kOe以外具有与图9同样的构成的磁头(比较例4)，在图12及图13示出B.P.的STO驱动电流密度依赖性。 [0081] 在图12中，曲线126表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为正，曲线127表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为负。 [0082] 在图13中，曲线128表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为正，曲线129表示相对于SIL的初始磁化方向，记录电流为负。 [0083] 作为结果，与实施例1所示的结果同样，在实施方式所涉及的构成中，在STO驱动电流密度大致为0的情况下，依记录电流的极性，B.P.取0或者1这2值，通过STO驱动电流密度的增加，B.P.降低，若STO驱动电流密度进一步增加，则不依赖于记录电流的极性，呈现大致相同的B.P.。另外，若将图11与图12比较，则与实施例1同样，通过将实施方式所涉及的STO应用于具有可以实现高线记录密度的狭窄写间隙长度的记录头，可以实现高效率的STO振荡，可以获得高的线记录密度。 [0084] 在图14中，关于实施例2所涉及的锥形类型记录头，示出表示到达B.P.相对于FGL磁膜厚的变化的图。 [0085] 分别地，曲线130表示SIL的Hk为30kOe、WG为30nm的情况，曲线131表示SIL的Hk为22kOe、WG为30nm的情况。另外，作为比较，在曲线132表示SIL的Hk为15kOe、WG为30nm的情况。 [0086] 可以看出，与实施例1同样，通过使用实施方式所涉及的磁头的构成，在广阔范围可见B.P.的改善，例如在曲线132所示的SIL的Hk为15kOe的情况下，在从25nmT到40nmT的范围的FGL磁膜厚(Mst)的范围，无法获得良好的振荡特性，但是如曲线130所示，在SIL的Hk为30kOe的情况下，在相同范围的FGL磁膜厚(Mst)的范围，达到0.35以上的B.P.。 [0087] 实施例3基于STO驱动电流的STO电阻的记录电流依赖性的变化 [0088] 由于实施方式所涉及的STO元件电阻与B.P.相应地变化，所以通过观测B.P.的记录电流依赖性，可知SIL反转的有无和/或杯式反转工作所需的STO驱动电流。 [0089] 在图15中示出表示STO驱动电流密度大致为0的情况下的STO元件电阻相对于记录电流的变化的一例的曲线图。 [0090] 在图16中示出表示通以STO驱动电流、产生STO振荡时的STO元件电阻相对于记录电流的变化的曲线图。此时STO的驱动电流始终在同一方向(在该实施例的情况下，从FGL朝向SIL流入电子的方向)通电。 [0091] 在测定中使用的磁头的构成与例如图2所示的同样。 [0092] 在实施方式所涉及的磁头构成中，在STO驱动电流密度大致为0的情况下，如图15所示，STO的元件电阻若除去由焦耳热引起的电阻变化量，则相对于记录电流的大小，如实线曲线134所示单调地变化，若由于记录电流增加从而主磁极饱和，则成为大致一定值。 [0093] 该STO电阻的单调变化是由基于FGL的磁化行为的磁阻效应导致的。箭头137表示曲线134中的记录电流W1时的FGL的磁化状态。箭头138表示曲线134中的记录电流W0时的FGL的磁化状态。箭头139表示曲线134中的记录电流W2时的FGL的磁化状态。 [0094] 在与SIL的初始磁化方向140大致平行的箭头135所示的方向，以间隙磁场变大的方式使记录电流增加的情况下，FGL的磁化如箭头137所示向SIL的磁化方向140和其相对角度变小的方向变化，STO电阻单调减小。在如箭头136所示向与SIL的磁化方向140大致反平行地以间隙磁场变大的方式使记录电流增加的情况下，由于FGL的磁化如箭头139所示向与SIL的磁化方向140相对角度变大的方向变化，所以STO电阻单调增加。因此，在STO驱动电流密度大致为0的情况下，相对于曲线134那样的记录电流的极性，产生非对称性的电阻变化。另外，在SIL的初始磁化方向140为这里所示方向的相反方向的情况下，产生虚线133那样的与曲线134相反极性的STO电阻的单调变化。 [0095] 另外，在图16中，箭头144表示在记录电流W3下的FGL的磁化状态。箭头145表示在记录电流W4下的FGL的磁化状态。箭头146表示在记录电流W5下的FGL的磁化状态。箭头147表示在记录电流W6下的FGL的磁化状态。 [0096] 在实施方式所涉及的磁头构成中，若使STO驱动电流密度增加、可以实现SIL的磁化反转，则STO的元件电阻如图16所示，如在W0-W4或者W0-W5所见那样减小。另外，在达到STO振荡的情况下，如该图一例所示，产生在W3、W6附近所示那样的电阻变化。产生这些电阻变化的记录电流比图15所示的磁极饱和的记录电流小。 [0097] 这里所示的SIL的磁化反转，由于伴随着STO驱动电流密度的增加，在从FGL向SIL方向流入的电子与SIL磁化之间产生旋转转移扭矩，由于该作用，SIL的实效的顽磁力降低，实现磁化反转。这样，通过使STO驱动电流变化来测定STO电阻的记录电流依赖性，可以选择适合的STO驱动电流。 [0099] 实施例4 [0100] 写间隙长度和STO膜厚 [0101] 在图17中示出从上浮面观察实施方式所涉及的磁头的又一例的构成的图。 [0102] 如图所示，磁头30包含：主磁极31；在主磁极31的周围隔着非磁性绝缘层36形成的辅助磁极35；在上浮面附近的主磁极31与辅助磁极35的尾端方向之间通过从未图示电源通以电流而驱动的STO34。STO34具有从主磁极31侧依次层叠了电极42、SIL39、中间层38、FGL37及电极41的构成。另外，层叠顺序也可以采用与这里所示的顺序相反的顺序。 [0103] 进而，该磁头30的写间隙的平均长度WG1(用图17的PW的宽度平均了的写间隙长度)比STO34的膜厚T1大。根据实施方式，通过使写间隙长度比STO膜厚大，能够实现更高的振荡效率。 [0104] 关于实施例1的平板型的写间隙构造与写间隙长度比STO膜厚大这一方案的组合，进行了基于模拟的STO振荡状态的研究。 [0105] 在图18中，关于实施例1所示的平板型的写间隙构造与写间隙长度比STO膜厚大这一方案的组合，示出表示通过模拟求出的STO驱动电流密度最佳值下的到达B.P.的FGL磁膜厚依赖性的曲线图。另外，写间隙的平均长度设为33.2nm，SIL的各向异性磁场Hk设为22kOe。STO构成使用了与实施例1同样的构成。在曲线151表示写间隙的平均长度比SIL的膜厚大的情况，在曲线152表示写间隙的平均长度与SIL的膜厚相等的情况(与实施例1所示相同)。可以看出，通过使写间隙的平均长度比SIL的膜厚大，可以在广阔区域达到更高的B.P.。此时，可以看出，在使用了Hk成为22kOe的SIL的情况下，也与实施例1的使用了Hk为30kOe的SIL的情况同样，在从25nmT到40nmT的范围，可以达到超过0.35的B.P.。同样，在图19中关于实施例2所示的锥形型的写间隙构造与写间隙长度比STO膜厚大这一方案的组合，示出表示通过模拟求出的STO驱动电流密度最佳值下的到达B.P.的FGL磁膜厚依赖性的曲线图。 [0106] 此时的写间隙的平均长度设为33.2nm，STO使用了同样的构成。另外，SIL的Hk设为22kOe。可以看出，在锥形型的写间隙构造中，也通过使写间隙的平均长度比SIL膜厚大，在广阔范围可见B.P.的进一步改善，在FGL磁膜厚25～40nmT的范围可获得超过0.35的B.P.，而该FGL磁膜厚25～40nmT的范围在Hk＝15kOe、WG＝30nm的情况下是0.35以下的B.P.的FGL磁膜厚范围。 |
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