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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 使用呈混合物的氨基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷处理金属的方法 | CN00804819.3 | 2000-02-04 | CN1343237A | 2002-04-03 | K·布朗; E·B·比尼斯; J·孙; N·唐 |
| 本发明涉及一种改进金属耐腐蚀性的方法。所述方法包括在金属基体上涂覆含有一或多种氨基硅烷与一或多种多甲硅烷基官能化的硅烷混合的溶液,以形成长期耐腐蚀性涂层。所述方法特别适用于在冷轧钢、锌、铁、铝和铝合金表面上使用。 | ||||||
| 22 | 低K介电无机/有机复合薄膜及其制造方法 | CN99806506.4 | 1999-04-15 | CN1302254A | 2001-07-04 | P·罗斯; E·洛帕塔; J·费尔茨 |
| 公开了一种在半导体或集成电路衬底上的介电薄膜及其制造方法,其中,所述介电薄膜具有基本由无机基团和有机基团构成的骨架结构和结合在所述骨架结构上的有机侧基,形成一种无机和有机材料的复合材料,从而提供了具有小于4.0的介电常数并表现出在氮气中在400℃失重小于每小时2%的所述薄膜。所述介电薄膜通过等离子体CVD法沉积在位于支架(16)上的衬底(14)上,所述支架通过射频电源(18)偏置。通过气体进口(26)或(28)把有机硅前体引入到沉积室(11)中。 | ||||||
| 23 | 用于防反射表面的防污涂层及其制备方法 | CN98813320.2 | 1998-06-11 | CN1284105A | 2001-02-14 | J·M·英维; M·J·佩莱里特 |
| 本发明揭示了用于防反射表面(特别是防反射薄膜叠层的外表面)的防污涂层,上述的防污涂层包括氟化硅氧烷,该涂层较好通过涂布氟化硅烷的涂料组合物制得,上述氟化硅烷的数均分子量至少约为1000,且用通式(Ⅰ)Rf－[－R1－SiY3-xR2x]y表示,式中,Rf是单价或二价多氟聚醚基,R1是二价亚烷基、亚芳基、或它们的结合;R2是低级烷基,Y是卤素、低级烷氧基、或低级酰氧基;x是0或1;y是1或2。 | ||||||
| 24 | 聚二烷基硅烷的制造方法 | CN201380011211.9 | 2013-02-27 | CN104136501B | 2016-08-24 | 林谦一; 安原正道; 丰冈诚; 前川秀树 |
| 本发明提供一种聚二烷基硅烷的制造方法和聚二烷基硅烷，该聚二烷基硅烷的制造方法的特征在于，包括在含有碱金属的有机溶剂中，添加由式〔I〕(式中，R1和R2独立地表示烷基，X1和X2独立地表示卤素原子)表示的化合物〔I〕的工序，0.010[hr?1]≤化合物〔I〕的平均添加速度[摩尔·hr?1]/碱金属的量[摩尔]≤0.055[hr?1]。 | ||||||
| 25 | 聚二烷基硅烷的制造方法 | CN201380011211.9 | 2013-02-27 | CN104136501A | 2014-11-05 | 林谦一; 安原正道; 丰冈诚; 前川秀树 |
| 本发明提供一种聚二烷基硅烷的制造方法和聚二烷基硅烷，该聚二烷基硅烷的制造方法的特征在于，包括在含有碱金属的有机溶剂中，添加由式〔I〕(式中，R1和R2独立地表示烷基，X1和X2独立地表示卤素原子)表示的化合物〔I〕的工序，0.010[hr-1]≤化合物〔I〕的平均添加速度[摩尔·hr-1]/碱金属的量[摩尔]≤0.055[hr-1]。 | ||||||
| 26 | 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法 | CN201310718120.0 | 2013-12-23 | CN103910885A | 2014-07-09 | 裴镇希; 李汉松; 郭泽秀; 金古恩; 金补宣; 金相均; 罗隆熙; 朴银秀; 徐珍雨; 宋炫知; 林相学; 任浣熙; 洪承希; 黄丙奎 |
| 本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。 | ||||||
| 27 | 基于双(三烷氧基甲硅烷基烷基)胺的水性硅烷体系 | CN201210065425.1 | 2008-08-27 | CN102634025A | 2012-08-15 | P·艾伯特; E·朱斯特; C·瓦斯默; B·斯坦德克 |
| 本发明涉及基于双(三烷氧基甲硅烷基烷基)胺的水性硅烷体系。具体地，本发明涉及双氨基官能的硅化合物的水性组合物，其基本上不含有机溶剂，并且甚至在交联时也基本上不再释放醇，及其制备方法，以及其用途，例如用于使金属表面或玻璃表面疏水化。 | ||||||
| 28 | 聚合物颗粒及其制造方法 | CN201110055372.0 | 2011-03-08 | CN102190780A | 2011-09-21 | 间瀬畅之; 佐古猛; 冈岛泉; 森俊介; 水野慧士; 山内祥敬; 根本太一; 田中千秋; 关口圣之; 石塚润 |
| 本发明涉及聚合物颗粒及其制造方法。所述制造方法包括：(A)在压缩流体中在表面活性剂的存在下使用催化剂使能开环聚合的单体聚合和造粒，或(B)在压缩流体中在有机硅表面活性剂的存在下使能加成聚合的单体聚合和造粒。 | ||||||
| 29 | 紫外线吸收剂组合物 | CN200980133990.3 | 2009-08-31 | CN102137910A | 2011-07-27 | 古川和史; 木村桂三; 竹岛洋一郎 |
| 本发明提供一种紫外线吸收剂组合物，其包含紫外线吸收剂A和硅化合物，其中，所述紫外线吸收剂A的最大吸收波长为350nm-400nm，半值宽度为55nm或更小，并且在最大吸收波长处的摩尔消光系数为20000或更大。 | ||||||
| 30 | 可由双聚合获得的低K电介质 | CN200980114788.6 | 2009-04-28 | CN102017015A | 2011-04-13 | A·克里普; A·郎格; H-J·黑内尔 |
| 本发明涉及一种具有3.5或更小的介电常数的介电层，其包含可由至少一种双单体聚合得到的电介质，所述至少一种双单体包含：a)包含金属或半金属的第一单体单元，以及b)通过化学键连接至该第一单体单元的第二单体单元，其中所述聚合包括通过使该化学键断裂并形成包含该第一单体单元的第一聚合物及包含该第二单体单元的第二聚合物而使该双单体聚合，且其中该第一单体单元及该第二单体单元通过相同机理聚合。 | ||||||
| 31 | 含硅膜形成用材料、以及含硅绝缘膜及其形成方法 | CN200880004682.6 | 2008-02-12 | CN101611043A | 2009-12-23 | 中川恭志; 野边洋平; 加藤仁史; 石附健二; 小久保辉一 |
| 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数。) | ||||||
| 32 | 硅烷涂布材料以及生产硅烷涂层的方法 | CN200780038197.6 | 2007-09-10 | CN101589117A | 2009-11-25 | S·赛皮尔; N·拉耶; C·瑟恩; G·施里克 |
| 本发明涉及硅烷涂布材料以及生产硅烷涂层的方法。为提供根据前文所述的避免上述缺陷的硅烷涂布材料，根据本发明推荐一种生产硅烷涂层的方法，其中用反应物掺混一种或多种未预缩合或仅略微预缩合的硅烷，随后将由此得到的涂布材料施涂至基底上并固化。表现出令人惊奇的是，经过该较高分子量和仅略微预交联的硅烷和合适反应物的反应，可以制得一种新的涂布材料。根据现有技术的状况，通过溶胶－凝胶法处理硅烷，其中是从经预缩合的物质出发。根据本发明的方法则相反，在不存在适用期限制方面是有利的，此外，还得到更好的涂布材料性能，尤其是高耐划伤性。 | ||||||
| 33 | 有机无机混合绝缘膜的形成方法 | CN200410081695.7 | 2004-12-28 | CN100446193C | 2008-12-24 | 青井信雄 |
| 具有低介电率、高热安定性、高机械强度及高铜扩散防止性的层间绝缘膜，在不使制造装置工作效率降低的情况下廉价形成。具有硅氧烷键的有机硅化合物，例如1、3-二苯基-1、1、3、3-四甲基二硅氧烷等作为热解化学气相沉积法原料使用，不需要将该原料进行热聚合而是汽化后以单体的状态导入反应室，通过使其离子聚合，在衬底上形成具有硅氧烷部位和有机分子部位相互成键结构主链的有机无机混合绝缘膜。 | ||||||
| 34 | 含有机钛酸酯和/或锆酸酯的水分散体防腐蚀涂层组合物 | CN200580004766.6 | 2005-02-10 | CN1918248A | 2007-02-21 | 安东尼奥·弗朗切斯科·扬多利·埃斯皮诺萨 |
| 本发明涉及基于水分散体中颗粒金属的金属部件用防腐蚀涂层组合物，包含在水相中或在有机相中相容的有机钛酸酯或锆酸酯、任选的硅烷基粘合剂、和水。本发明还涉及由根据本发明的涂层组合物得到的金属部件防腐蚀涂层以及提供有该防腐蚀涂层的金属基材。本发明还涉及用于制备水分散体形式的金属基材涂层组合物的C1－C8四烷基钛酸酯的水性组合物，以及制备该组合物的方法。 | ||||||
| 35 | 共聚物膜的制作方法、通过该形成方法制作的共聚物膜、及利用共聚物膜的半导体装置 | CN02804213.1 | 2002-07-01 | CN1269866C | 2006-08-16 | 林喜宏; 川原润 |
| 本发明提供当用作构成半导体装置的层间绝缘膜时，在与其下表面、上表面接触的其它半导体材料的界面上具有高附着性，另外膜整体的有效介电常数可以进一步降低的有机聚合物膜的制作方法。具体地，将气体的多种有机单体穿过在反应室内生成的等离子后喷射到加热的衬底表面上，形成含有由多种有机单体单元构成的骨架的共聚物膜。在该方法中，通过在膜生长的进程中变化各有机单体的相对供给量，从而连续生长层间绝缘膜，其中具有优良的机械强度及附着性、富含硅氧烷结构的膜设置在界面附近(91a、c，92a、c或93a、c)，并且具有低堆积密度的膜设置在它们中间作为中间层(91b、92b或93b)。 | ||||||
| 36 | 金属的防腐 | CN03826421.8 | 2003-09-23 | CN1771096A | 2006-05-10 | P·阿尔伯特; E·米; E·尤斯特 |
| 本发明涉及一种金属防腐的涂层，包括下列的层序列：(i)金属表面，(ii)基于含硅化合物的溶胶的层，(iii)基于至少一种有机硅烷的层，(iv)如果需要，一种或多种涂层膜。本发明还涉及上述涂层的制备方法及其用途。 | ||||||
| 37 | 使用呈混合物的氨基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷处理金属的方法 | CN00804819.3 | 2000-02-04 | CN1250656C | 2006-04-12 | K·布朗; E·B·比尼斯; J·孙; N·唐 |
| 本发明涉及一种改进金属耐腐蚀性的方法。所述方法包括在金属基体上涂覆含有一或多种氨基硅烷与一或多种多甲硅烷基官能化的硅烷混合的溶液，以形成长期耐腐蚀性涂层。所述方法特别适用于在冷轧钢、锌、铁、铝和铝合金表面上使用。 | ||||||
| 38 | 有机无机混合绝缘膜的形成方法 | CN200410081695.7 | 2004-12-28 | CN1655329A | 2005-08-17 | 青井信雄 |
| 具有低介电率、高热安定性、高机械强度及高铜扩散防止性的层间绝缘膜，在不使制造装置工作效率降低的情况下廉价形成。具有硅氧烷键的有机硅化合物，例如1、3－二苯基－1、1、3、3－四甲基二硅氧烷等作为热解化学气相沉积法原料使用，不需要将该原料进行热聚合而是汽化后以单体的状态导入反应室，通过使其离子聚合，在衬底上形成具有硅氧烷部位和有机分子部位相互成键结构主链的有机无机混合绝缘膜。 | ||||||
| 39 | 新型含氟化合物及其制造方法和它的聚合物 | CN01810525.4 | 2001-05-30 | CN1199928C | 2005-05-04 | 柏木王明; 尾川元; 佐藤正邦; 大春一也; 金子勇; 杉山德英; 立松伸 |
| 本发明提供了用作耐热性佳的光学树脂材料的新型聚合物、和用于制得该聚合物的新型单体等。CF2＝CF(CF2)nC(CF3)ROCF＝CF2(条件是，式中的R表示氟原子或三氟甲基、n表示1～3的整数)所表示的含氟二烯烃和它的聚合物。 | ||||||
| 40 | 使用呈混合物的脲基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷处理金属的方法 | CN00805195.X | 2000-02-04 | CN1164690C | 2004-09-01 | K·布朗; E·B·比尼斯; J·孙; N·唐 |
| 本发明涉及一种金属处理方法，特别是改进耐腐蚀性的金属处理方法。所述方法包括在金属基体上涂覆含有一或多种脲基硅烷与一或多种多甲硅烷基官能化硅烷混合的溶液。所述方法特别适用于冷轧钢、锌、铁、铝和铝合金表面。 | ||||||
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