41 |
质子传导膜 |
CN200480036760.2 |
2004-12-08 |
CN100556939C |
2009-11-04 |
川井淳司; 椎桥透; 后藤幸平 |
本发明提供一种在低湿度、低温度下也具有足够的质子传导率的质子传导膜。该质子传导膜包括,含有离子传导性聚合物链段(A)及非离子传导性聚合物链段(B)的共聚物,该膜浸泡于90℃的水30分钟时,吸附的水中,熔解温度为-30~0℃的水的量为每1g共聚物中含有0.01~3.0g。上述共聚物具有:其主链通过结合基团将芳香环共价结合的构造。 |
42 |
含稠环的高分子电解质及其用途 |
CN200780022848.2 |
2007-06-19 |
CN101472971A |
2009-07-01 |
山田贵司; 佐佐木繁 |
本发明的高分子电解质以1~30重量%的重量分率具有下述通式(1)表示的结构单元。上述高分子电解质具有高离子传导率,并且耐水性优异。式中,A环、B环分别独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环或可以具有取代基的杂环,X1、X2分别独立地表示-CO-、-SO-、-SO2-中的任一种。n、m分别独立地表示0、1或2,n+m为1以上。需要说明的是,n为2时,2个X1可以相互相同,也可以不同。m为2时,2个X2可以相互相同,也可以不同。X表示直接连接或2价基团。 |
43 |
制备掺杂的有机半导体材料的方法以及在该方法中使用的配方物 |
CN200780009954.7 |
2007-03-21 |
CN101405884A |
2009-04-08 |
奥拉夫·蔡卡; 安德利亚·卢克斯; 迈克尔·利默特; 霍斯特·哈特曼; 安德烈·格吕辛; 安斯加尔·维尔纳; 马丁·安曼 |
本发明涉及用于制备掺杂的有机半导体材料的方法,所述方法包含如下步骤:(i)制备包含至少一种掺杂剂前体、至少一种待掺杂的有机材料和溶剂的溶液或悬浮液,(ii)将所述溶液或悬浮液施用于基材上并移除溶剂,(iii)通过施加活化能将掺杂剂前体转化为掺杂剂,其中所述掺杂剂前体是掺杂剂的二聚物、低聚物、聚合物、二螺化合物或多环,所述掺杂剂前体通过施加活化能解离为掺杂剂。 |
44 |
嵌段共聚物 |
CN200680053458.7 |
2006-12-25 |
CN101389685A |
2009-03-18 |
福岛大介; 东村秀之; 冈田明彦; 大内一荣; 安立诚 |
本发明提供一种嵌段共聚物,其为由2个以上的下式(1)所示嵌段构成的嵌段共聚物,其特征在于,该共聚物中存在的多个m中的至少2个表示5以上的数值,该共聚物的相邻2个嵌段的Ar互不相同,该共聚物在由2个上式(1)所示嵌段构成时具有两种Ar、在由3个上式(1)所示嵌段构成时具有两种以上的Ar、在由4个上式(1)所示嵌段构成时具有四种以上的Ar(式(1)中,Ar表示共轭系的二价基团,在同一嵌段内表示相同的二价基团,m表示存在于1个嵌段内的Ar的数均聚合度、表示1以上的数值)。 |
45 |
杂环的化合物,其用途、有机半导体材料和电子或光电元件 |
CN200710088908.2 |
2007-03-21 |
CN101134744A |
2008-03-05 |
迈克尔·利默特; 奥拉夫·蔡卡; 马丁·安曼; 霍斯特·哈特曼; 安斯加尔·维尔纳 |
本发明涉及杂环的自由基或双自由基,其二聚物,低聚物,聚合物,二螺化合物和多环,涉及有机半导体材料和电子和光电元件。 |
46 |
由基质和掺杂材料组成的混合物,及由其构成层的方法 |
CN200710089662.0 |
2007-03-21 |
CN101093874A |
2007-12-26 |
安斯加尔·维尔纳; 迈克尔·利默特 |
本发明涉及由至少一种基质材料和至少一种掺杂材料组成的混合物,用于制备由掺杂的有机材料构成的层,其中,所述掺杂材料是一种非活性的掺杂剂前体,并选自掺杂剂的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物或多环,其中,所述掺杂材料通过施加活化能量而被分解。 |
47 |
二卤化物、高分子化合物及其制造方法 |
CN200580001867.8 |
2005-02-15 |
CN1906227A |
2007-01-31 |
山本隆一; 福元博基; 麻生隆浩 |
本发明的目的在于提供可作为具有可溶性、耐热性、电化学活性与荧光性等的机能性材料用途的新颖的π共轭高分子化合物与其制造方法。二卤化物具有下述化学式所示的结构:式中,R1、R1’表示为卤素;R2、R2’表示烷基或具有取代基的硅烷基;R3、R3’表示氢或烷基。 |
48 |
质子传导膜及其制造方法 |
CN200480036769.3 |
2004-12-08 |
CN1890305A |
2007-01-03 |
川井淳司; 今野洋助; 后藤幸平 |
本发明提供了在低湿度、低温度下也具有足够的质子传导率的质子传导膜。该质子传导膜包括嵌段共聚物,该嵌段共聚物的离子传导性聚合物链段(A)及非离子传导性聚合物链段(B)的主链骨架具有通过结合基团将芳香环共价结合的结构,其特征是,(i)该膜的型态具有微相分离结构,(ii)离子传导性聚合物链段(A)形成连续相。 |
49 |
共轭共聚物、它们的制备及用途 |
CN200480023046.X |
2004-08-12 |
CN1835985A |
2006-09-20 |
海因里希·贝克尔; 埃斯特·布罗伊宁; 奥雷莉·法尔库; 阿米尔·帕勒姆 |
本发明涉及包括通过无规或者部分无规的链段连接的嵌段的共轭共聚物。本发明的材料显示出改进的效率、减少的工作电压和长的寿命。 |
50 |
用具有电子供体或受体官能团的噁唑啉衍生物将半导体模板粘结到基板上而制备的组合件 |
CN200480016947.6 |
2004-02-17 |
CN1809917A |
2006-07-26 |
O·M·穆萨; R·张 |
一种用组合物将半导体模板粘结到基板上而制备的组合件,其中所述的组合物包含具有噁唑啉官能团及电子受体或电子供体官能团的化合物。电子供体官能团包括苯乙烯基、肉桂基和乙烯基醚基团。电子受体官能团包括马来酰亚胺、丙烯酸酯、富马酸和马来酸基。代表性的化合物具有(1)式结构。 |
51 |
2,7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物 |
CN02108267.7 |
1996-07-26 |
CN1232488C |
2005-12-21 |
E·P·伍; M·英巴塞卡朗; W·R·史安格; G·R·鲁夫 |
本发明涉及2,7-取代的-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物。芴、低聚物和聚合物在9-位被两个烃基部分取代,这两个烃基可任意地被一个或多个硫、氮、氧、磷或硅杂原子取代;与芴环上的9-碳一起形成C5-20环结构或含一个或多个硫、氮或氧杂原子的C4-20环结构;或是烃亚基部分。在一个实例中,芴在2-和7-位被芳基部分取代,该芳基可被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基进一步取代。芴的聚合物和低聚物可在2-和7′-位被取代。芴的低聚物和聚合物的单体单元彼此在2-和7′-位连接。在端位的2,7′-芳基部分上的任意适于进行链延伸或交联的部分进行延伸或交联,使2,7′-芳基-9-取代的芴低聚物和聚合物可进一步彼此反应,生成更高分子量的聚合物。还公开了用于制备公开的化合物的方法。 |
52 |
高级金刚形烃的提纯方法和包括此类金刚形烃的组合物 |
CN02803774.X |
2002-01-17 |
CN1501900A |
2004-06-02 |
J·E·克尔; R·M·卡尔森 |
公开的是从含烃原料中回收和提纯高级金刚形烃的方法。具体地说,所公开的是获得富集了四金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分的金刚形烃组合物的多步骤回收方法。还公开的是一种组合物,它包括至少约10wt%的非电离的四金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分和至少约0.5wt%的非电离的五金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分,基于所存在的金刚形烃组分的总重量。 |
53 |
可聚合联芳基、其制备方法和其用途 |
CN97181381.7 |
1997-12-08 |
CN1127464C |
2003-11-12 |
H·斯普赖特泽; W·克里德尔; H·贝克尔; J·科莱瑟 |
一种制备可聚合联芳基衍生物的方法,包括将在1,4-位上带酯或苄OH基团的6-元环的芳烃与第二种芳烃进行钯催化交联-偶合反应得到联芳基并将酯或苄OH基团在一步或多步中转化为可聚合基团。获得的联芳基适合制备用作电荧光材料的聚合物。 |
54 |
2,7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物 |
CN02108267.7 |
1996-07-26 |
CN1376658A |
2002-10-30 |
E·P·伍; M·英巴塞卡朗; W·R·史安格; G·R·鲁夫 |
本发明涉及2,7-取代的-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物。芴、低聚物和聚合物在9-位被两个烃基部分取代,这两个烃基可任意地被一个或多个硫、氮、氧、磷或硅杂原子取代;与芴环上的9-碳一起形成C5-20环结构或含一个或多个硫、氮或氧杂原子的C4-20环结构;或是烃亚基部分。在一个实例中,芴在2-和7-位被芳基部分取代,该芳基可被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基进一步取代。芴的聚合物和低聚物可在2-和7′-位被取代。芴的低聚物和聚合物的单体单元彼此在2-和7′-位连接。在端位的2,7′-芳基部分上的任意适于进行链延伸或交联的部分进行延伸或交联,使2,7′-芳基-9-取代的芴低聚物和聚合物可进一步彼此反应,生成更高分子量的聚合物。还公开了用于制备公开的化合物的方法。 |
55 |
可聚合组合物,交联聚合物的制备方法和可交联聚合物 |
CN96191858.6 |
1996-01-29 |
CN1092213C |
2002-10-09 |
A·穆莱巴克; A·哈夫纳; P·A·万德沙夫 |
组合物,含有(a)催化量的用于换位聚合的单组分催化剂和(b)单独的或与张紧的环烯烃混合的至少一种经二价桥基在聚合物主链中结合有张紧的环烯烃基的聚合物。该组合物可通过换位聚合进行热或光化学聚合并适于制备成型体,涂层和浮雕图案。聚合物(b)同样是被要求保护的。 |
56 |
用作电致发光材料的含氮聚合物 |
CN95195962.X |
1995-09-28 |
CN1066163C |
2001-05-23 |
W·克勒德; H-H·霍罗德; H·罗斯特 |
本发明涉及含有式(Ⅰ)结构单元的含氮聚合物,式中的符号和标记有下述含义:Ar1、Ar2、Ar3相同或不同,为单核和/或多核的、必要时通过一个或多个桥连接的、和/或稠合的芳基和/或杂芳基,它们可任选被取代;X为一个单键、-O-、-S-、-SO-、-SO2、NR3、-CR4R5-、-CO-、-CR6=CR7、CR8R9-CR10R11或SiR12R13;R1-R13为相同或不同,为H、一个有1-22个碳原子的烷基或Ar4,其中Ar4与Ar1相同或不同,有与Ar1相同的含义;n为1、2或3。 |
57 |
降倾点剂及其应用 |
CN96111187.9 |
1996-09-05 |
CN1060798C |
2001-01-17 |
M·B·德塔; G·L·希伯特 |
通过将有效数量的降倾点剂加到含石蜡烃的液体中来降低该液体的倾点,所述降倾点剂是在烃基取代基中有大于30个数均碳原子的烃基取代的酚与有1至约12个碳原子的醛或其前体的反应产物。该降倾点剂特别适用于处理初始倾点为4℃或4℃以上的原油。 |
58 |
水杨酸树脂的多价金属盐及其制备方法 |
CN94113270.6 |
1994-12-21 |
CN1052491C |
2000-05-17 |
田边良满; 来田丈太郎; 长谷川清春; 中塚正胜; 古屋政幸; 西村雄 |
本发明公开了水杨酸树脂的多价金属盐的制备方法,它包括以下步骤:于-20℃或更高温度但低于40℃的温度在硫酸存在下,将水杨酸或其衍生物与苯乙烯或其衍生物反应,然后使得到的反应产物与多价金属化合物反应;所述树脂的多价金属盐分散在水中的水性分散体;和使用了该水杨酸树脂的多价金属盐的显色片。 |
59 |
含有水杨酸树脂的多价金属盐的水性分散体和显色片 |
CN99101701.3 |
1994-12-21 |
CN1229032A |
1999-09-22 |
田边良满; 中塚正胜; 来田丈太郎; 古屋政幸; 长谷川清春; 西村雄 |
本发明公开了水杨酸树脂的多价金属盐的制备方法,它包括以下步骤:于-20℃或更高温度但低于40℃的温度在硫酸存在下,将水杨酸或其衍生物与苯乙烯或其衍生物反应,然后使得到的反应产物与多价金属化合物反应;所述树脂的多价金属盐分散在水中的水性分散体,和使用了该水杨酸树脂的多价金属盐的显色片。 |
60 |
具有电极保护的场致发光元件 |
CN97196867.5 |
1997-07-29 |
CN1227040A |
1999-08-25 |
卡尔·皮希勒; 卡尔·汤 |
一种具有阳极(4)和阴极(10),并在阳极(4)和阴极(10)之间安排光发射层(8)的场致发光元件的生产方法,还包含阳极保护层(6),它保护阳极(10)不受初始聚合物转换为半导体共轭聚合物的影响,其中该转换构成了光发射层(8)。已经发现这样增加了装置的亮度和半衰期。 |