序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
81 芳族接枝聚合物 CN200680025215.2 2006-06-09 CN101218278A 2008-07-09 大内一荣; 东村秀之; 安立诚
一种芳族接枝聚合物,其包含一种以上的由右式(1)表示的重复单元。(在式中,Ar1表示带有由下式(2)表示的侧链的π-共轭环状化合物的二价残基,并且所述侧链与包含在由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基的环结构中并且具有sp2杂化轨道的原子结合:(其中,Ar2表示具有π-共轭环状化合物的二价残基的基团;X1表示直接键合或选自NQ1-、-PQ2-和-BQ3-中的二价基团,其中Q1至Q3各自独立地表示取代基;Z表示直接键合或二价连接基团;k是3以上的整数;并且E1表示氢原子、卤素原子或一价有机基团,前体是当存在两个以上Ar2、X1和Z时,它们各自可以相同或不同,并且当存在两个以上由式(2)表示的侧链时,它们可以相同或不同。)
82 共轭聚合物的制造方法 CN200680017838.5 2006-05-18 CN101180339A 2008-05-14 津田义博; 森下芳伊; 野村理行; 星阳介; 舟生重昭
发明以提供可缩短反应时间的共轭聚合物的制造方法为目的。本发明的共轭聚合物的制造方法,其特征为,在通过铃木偶合法制造共轭聚合物的方法中,使用微波照射。共轭聚合物优选为作为有机电子材料使用的聚合物,更优选为作为电致发光材料使用的聚合物。
83 制备聚合物的方法 CN200580045338.8 2005-12-24 CN101094718A 2007-12-26 尼尔斯·舒尔特; 埃丝特·布罗伊宁; 赫伯特·施普赖策
发明涉及通过过渡金属催化缩聚制备聚合物的方法。这些聚合物特别是在快速增长的有机半导体领域中是极其重要的。与根据常规方法得到的聚合物相比较,通过本发明方法能够以更大的再现性和更高的纯度制备得到聚合物。
84 五噻吩基-芴共聚物 CN200580008122.4 2005-03-01 CN1968986A 2007-05-23 D·J·布伦南; D·M·威尔士; 陈宇; J·M·萧
发明涉及具有由式(I)所示结构单元的五噻吩基-芴共聚物:这里,R和R′各自独立地是取代基或H。本发明也涉及含有此共聚物的晶体管。本发明通过提供具有格外低滞后的电活化装置试图解决本领域的问题。
85 可自由基固化树脂组合物 CN200580019245.8 2005-04-06 CN1968985A 2007-05-23 约翰·弗朗兹·格拉迪·安东尼厄斯·詹森; 马尔科·马库斯·马特乌斯·德里森; 迈克尔·阿尔芬斯·科尼利斯·约翰尼斯·范迪克
发明涉及用于自由基固化树脂组合物,所述组合物包括包含反应性碳不饱和基团的组分(I)和包含XH基团的组分(II),其中X不是C或O,所述树脂组合物(a)基本上没有光引发剂;(b)组分(I)的反应性碳碳不饱和基团的平均数大于2;(c)组分(II)的XH基团的平均数等于或大于2,XH组分的XH基团中的至少一个是硫醇基;且,(d)从而,(b)和(c)的平均数中的至少一个大于2;(e)至多5mol%的反应性不饱和基团能够进行均聚;(f)分别以单烯官能亚基的形式存在;(g)XH基团和反应性不饱和基团的摩尔比为4∶1~1∶4,但条件是,RU组分不是三-(降片-5-烯-2-羧基)丙基丙烷。本发明还涉及用于固化上述树脂组合物的方法,具体通过冷固化。最后,本发明还涉及一种用于合成环戊二烯Diels-Alder加合物和包含遥爪碳碳不饱和基团的树脂组合物的新方法。所述树脂组合物能够提供具有通过快速可调自由基固化的具有不粘表面的建筑材料,并且没有所谓的氧抑制问题。适当应用在化学锚接、屋顶、地板、(再生)衬里、SMC和BMC领域中。
86 电荷输送性化合物、电荷输送性材料、电荷输送性清漆、电荷输送性薄膜及有机电致发光元件 CN200480032242.3 2004-10-29 CN1875054A 2006-12-06 山田智久; 吉本卓司; 小野豪
通过在电荷输送性薄膜中使用包含在被具有芳香环或杂环的基取代的芴衍生物的9位上连接着高分子主链的聚合物的电荷输送性化合物,例如,上述式(1)所示的化合物,可以实现有机EL元件的电压化、高辉度化、超寿命化及无缺陷化。
87 高级金刚形的提纯方法和包括此类金刚形烃的组合物 CN02803774.X 2002-01-17 CN1286784C 2006-11-29 J·E·达尔; R·M·卡尔森
公开的是从含原料中回收和提纯高级金刚形烃的方法。具体地说,所公开的是获得富集了四金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分的金刚形烃组合物的多步骤回收方法。还公开的是一种组合物,它包括至少约10wt%的非电离的四金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分和至少约0.5wt%的非电离的五金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分,基于所存在的金刚形烃组分的总重量。
88 聚合物 CN200480008649.2 2004-05-28 CN1768093A 2006-05-03 保罗·华莱士
发明涉及新的半导体聚合物,其制造方法及其在薄膜电子和光学器件中的应用,例如有机发光二极管(OLED)和光电器件,如太阳能电池和光电探测器。
89 2,7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物 CN96196008.6 1996-07-26 CN1229415C 2005-11-30 E·P·伍; M·英巴塞卡朗; W·R·史安格; G·R·鲁夫
发明涉及2,7-取代的-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物。芴、低聚物和聚合物在9-位被两个基部分取代,这两个烃基可任意地被一个或多个硫、氮、、磷或原子取代;与芴环上的9-一起形成C5-20环结构或含一个或多个硫、氮或氧杂原子的C4-20环结构;或是烃亚基部分。在一个实例中,芴在2-和7-位被芳基部分取代,该芳基可被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基进一步取代。芴的聚合物和低聚物可在2-和7′-位被取代。芴的低聚物和聚合物的单体单元彼此在2-和7′-位连接。在端位的2,7′-芳基部分上的任意适于进行链延伸或交联的部分进行延伸或交联,使2,7′-芳基-9-取代的芴低聚物和聚合物可进一步彼此反应,生成更高分子量的聚合物。还公开了用于制备公开的化合物的方法。
90 具有增强的模量分析数据的聚芳撑组合物 CN00816023.6 2000-10-31 CN1165564C 2004-09-08 J·P·戈德沙尔克斯; K·J·布鲁斯; Q·S·J·牛; C·H·卡明; P·H·汤森三世
发明提供了一种聚芳撑组合物,其中树脂在大于300℃硫化处理过程中,模量并不经历显著的降低。该特征使得在多孔薄膜形成时,可以避免孔塌陷和/或应用更广泛的生孔材料。
91 含有杂螺原子的共轭聚合物以及将其用于场致发光材料的用途 CN97193834.2 1997-04-07 CN1116376C 2003-07-30 W·克鲁德; D·鲁泊; J·萨尔贝克; H·施恩克; T·斯泰林
一种共轭聚合物含有式(I)的重复单元,其中的符号和系数具有下述含义:ψ为周期表中第4主族除以外的元素;D,E,F1,G可以相同或不同,并且为-CR1R2-,-O-,-S-,-NR3-或为一个化学键;U1为-CR4=CR5-或为一个化学键;V1定义如U或者为-CR1R2-,-O-,-S-,-NR3-,-iR1R2-,-SO2-,-SO-,-CO-;A可以相同或不同且为H,还可含有杂原子的C1-C20-基;T为-O-,-S-,-NR3-,-CR1R2-,-CH=N-,-CA=CA-,-CH=CA-,-CH=CF-或-CF=CF-;K1,Q为相同或不同的烃基,该烃基可含有杂原子和共轭电子体系;M,L为H或具有1-22个碳原子的直链或支链的烷基,Br,Cl,F,CN,NO2或CF3;m,n可以相同或不同并且为0,1,2,3或4;适宜于作为场致发光材料。
92 含螺原子聚合物和其作为电致发光材料的用途 CN97193838.5 1997-04-07 CN1104453C 2003-04-02 W·克鲁伊德; H·斯伯莱泽
一种含有通式(I)的结构单元的共轭聚合物,适合作为电致发光材料,其中的符号和系数具有如下含义:D、E、F1、G为相同或不同的,为-CR1R1-、-O-、-S-、-NR3-或化学键;Ar1、Ar2为环或杂环;U1、V1为相同或不同的,为-CR5=CR6-、=CR7R8-、-CR9R10-CR11CR12、-NR13-、-SiR14R15-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-CO-或化学键;Ar5、Ar6、X、Y1为相同或不同的,为环状或无环的共轭,X和/或Y1也可为H或R1;m为1、2、3或4;n、p为相同或不同的,为0、1、2、3或4。
93 乙炔基取代的芳族化合物,其合成,聚合物及其用途 CN96197525.3 1996-09-11 CN1103329C 2003-03-19 D·A·巴布; D·W·小史密斯; S·J·马丁; J·P·戈德歇尔克斯
具有结构式(I)的乙炔基芳族化合物形成热稳定性高的聚合物:其中各Ar为芳族基团或惰性取代的芳族基团,各R独立地为氢,烷基,芳基或惰性取代的烷基或芳基;L为共价键或将一个Ar与至少另一个Ar相连的基团;n和m为至少2的整数;以及q为至少1的整数。该单体可用于涂敷许多种物质,如希望耐热性高的介电涂层,包括电子元件如计算机芯片。
94 杂螺环化合物及其作为场致发光材料的应用 CN95196941.2 1995-11-22 CN1101843C 2003-02-19 W·克里德; D·鲁波; J·萨尔贝克; H·申克; T·斯特林
发明涉及式(I)杂螺环化合物在场致发光器件中的应用:其中ψ表示元素周期表第4主族除之外的元素,优选Sn、Ge或Si,尤其Ge或Si,和K1和K2相互独立表示共轭系统。式(I)化合物在常规有机溶剂中具有良好的溶解性,并具有改善的成膜特性和显著降低的结晶倾向。
95 高度稳定的组装基片和溴化的1,2-二氢化茚衍生物 CN00815580.1 2000-09-14 CN1390238A 2003-01-08 T·F·麦卡锡; M·W·瓦加曼; D·施温德
一种生产高度稳定的组装基片的方法,在这种方法中制备具有第一种主链和第一个乙炔基的第一种母体,和具有第二种主链和第二个乙炔基的第二种母体。此外还提供一种具有第一和第二个反应性基的交联剂。将第一种母体、第二种母体、交联剂、和溶剂施加到表面上,以形成一种电绝缘层。在第一个-碳键生成反应中,使第一个乙炔基与第一个反应性基反应,在第二个碳-碳键生成反应中,使第二个乙炔基与第二个反应性基反应,将第一种主链与第二种主链交联,从而制成组装基片。在另一个步骤中除去溶剂。
96 芳基取代的聚对芳撑乙烯撑 CN01800962.X 2001-02-09 CN1386123A 2002-12-18 A·J·M·博恩特森; H·F·M·肖; H·F·J·J·范通格伦
包括具有式(C1)的重复单元的芳基取代的聚对芳撑乙烯撑,其中,一个或多个未被取代的芳族原子可以被氮原子替代,-OCm和-OCn是烷基,m和n是2到6的整数且m+n=8,p为0、1、2或3而其中的R为CN、Cl、F、CF3、NO2或SO3Z,其中Z是单价阳离子如Na+,或R为-XR1,其中单元-X-表示一个单键、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO-、-SO2-、-N(R2)-或-N(R2)CO-,而其中R1和R2相同或不同并形成一个直链、支链或环状的C1-C20烷基或一起形成C1-C20烷撑基,其中C1-C20烷基或C1-C20烷撑基的一个或多个氢原子任选地被F或C4-C12芳基取代和/或一个或多个不相邻的-CH2-单元任选地被C4-C12芳撑、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO-、-SO2-、-N(R3)-或-N(R3)CO-取代,其中R3是C1-C20烷基,或R为可以被取代或可以不被取代的C4-C12芳基,聚合物具有至少与所述芳基取代的聚对芳撑乙烯撑的粘度相等的粘度并且有机电场致发光器件包括上述聚合物。
97 可聚合组合物,交联聚合物的制备方法和可交联聚合物 CN96191706.7 1996-01-18 CN1092212C 2002-10-09 A·米勒巴克; A·哈夫纳; P·A·宛·德·沙弗
组合物,含有(a)催化量的用于换位聚合的单组分催化剂和(b)单独的或与张紧的环烯混合的至少一种在聚合物中结合有张紧的亚环烯烃基的聚合物。该组合物可通过换位聚合进行热或光化学聚合并适于制备成型体,涂层和浮雕图案。
98 具有螺中心的共轭高聚物以及它们的应用 CN95117268.9 1995-10-11 CN1069659C 2001-08-15 W·科略德; D·卢博; J·萨伯克; H·森克; T·思特林
含有下列式(1)重复单位的共轭高聚物;其中A、B、C、D可以是相同或不同的基团,各自是由一至十五个相同或不同的亚芳基和/或亚杂环芳基和/或1,2-亚乙烯基所组成,并且像上述螺双芴骨架本身那样,可以是未取代的或带有取代基;s是相同或不同的取代基;m、n的值为0或1。具有上述式(1)的本发明化合物适合于用作电发光材料,并且它的特点是所发射的光有很高的颜色纯度。
99 蜡状倾点下降剂的分散体 CN96121729.4 1996-11-20 CN1063218C 2001-03-14 J·S·马格亚
一种液态倾点下降剂组合物,包括:在室温是固态并且其数均分子量至少为500的倾点下降剂,和此倾点下降剂物料在室温下基本上不溶于其中的液体介质。这种倾点下降剂组分分散在液态介质中。
100 含芴聚合物及由其制成的场致发光器件 CN99800587.8 1999-04-09 CN1263542A 2000-08-16 E·P·伍; M·T·比尼厄斯; M·印巴斯卡兰; 吴唯实
包含10—90wt%式(Ⅰ)基团和10—90wt%选自式(Ⅱ)、(Ⅲ)和(Ⅳ)基团及其混合物的共聚物。其中,R1分别独立地为H,C1-C20基或含一个或多个S、N、O、P或Si原子的C1-C20烃基,C4-C16烃基羰基基,C4-C16芳基(三烷基烷氧基),或者两个R1可与芴环上的9位原子形成C5-C20脂肪环结构或含一个或多个S、N或O杂原子的C4-C20脂肪环结构;R2分别独立地为C1-C20烃基、C1-C20烃氧基、C1-C20硫醚、C1-C20烃基羰基氧基或氰基;R3分别独立地为羧基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基或式为-CO2R4的基团,其中R4为C1-C20烷基;a和b分别独立地为0至3的整数。
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