1.一种磁性结构，包括：
第一磁性层，其具有第一磁化方向；
第二磁性层，其具有第二磁化方向；
耦合层，其插置在所述第一和第二磁性层之间，该耦合层包括：
至少一种非磁性元素，其选自由Ag、Cr、Ru、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si组成的组；以及
至少一种磁性元素，其选自由Ni、Co和Fe组成的组；
其中所述至少一种非磁性元素与所述至少一种磁性元素的原子比为(100-x):x；并且其中x是原子浓度参数，其使得或被选择成使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成非共线角度。
2.根据权利要求1或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述耦合层具有厚度tc，并且其中所述原子浓度参数x和所述耦合层厚度tc的组合使得或被选择成使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层。
3.根据权利要求1和2中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一磁性层具有厚度tm1，并且所述第二磁性层具有厚度tm2，而tm1和tm2各自被选择成使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层。
4.根据权利要求1至3中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中在没有外部磁场的情况下，所述非共线角度介于约5°和175°之间。
5.根据权利要求1至3中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述非共线角度在没有外部磁场的情况下是介于大约5°和85°之间或95°和175°之间的非正交非共线角度。
6.根据权利要求1至5中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层包括Co。
7.根据权利要求1至5中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层包括Ni。
8.根据权利要求1至5中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层包括选自由NiFe、CoFeB和CoNi组成的组的材料。
9.根据权利要求1至8中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种非磁性元素选自由Ru、Ir、Re、Rh和Cr组成的组。
10.根据权利要求1至8中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种非磁性元素选自由Ru、Ir和Rh组成的组。
11.根据权利要求1至8中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种非磁性元素包括Ru。
12.根据权利要求1至8中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种非磁性元素包括Ru和以下元素中的一种或多种：Ag、Cr、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si。
13.根据权利要求1至5中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种非磁性元素是Cr，而所述至少一种磁性元素选自由Co和Fe组成的组。
14.根据权利要求1至13中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一磁性层具有厚度tm1，所述第二磁性层具有厚度tm2，并且tm1和tm2大于0.3nm。
15.根据权利要求1至13中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一磁性层具有厚度tm1，所述第二磁性层具有厚度tm2，并且tm1和tm2介于2nm至8nm之间。
16.根据权利要求1至13中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一磁性层具有厚度tm1，所述第二磁性层具有厚度tm2，并且tm1和tm2各自约为2nm。
17.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Co；
X介于32到64之间；并且
tc大于0.4nm且小于1.8nm。
18.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Fe；
x介于70.5和94之间；并且
tc大于0.4nm且小于1.8nm。
19.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Fe；
x介于66和82之间；并且
tc大于0.4nm且小于1.8nm。
20.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Ni；
x在30到62之间；并且
tc大于0.4nm且小于1.8nm。
21.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Co和Fe；
X介于32和94之间且依赖于比例Co:Fe；并且
tc大于0.4nm且小于1.8nm。
22.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Ni和Fe；
X介于30和94之间并且依赖于比例Ni:Fe；并且
tc大于0.4nm且小于1.8nm。
23.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Co；并且
其中：
对于37对于44对于50对于55对于6024.根据权利要求1至10中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中：
所述至少一种非磁性元素包括Ru；
所述至少一种磁性元素包括Co；并且
其中x和tc选自图11中的区域“C”内。
25.根据权利要求24或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中x和tc选自图11中的区域“C”内，且x介于37和59之间。
26.根据权利要求1至25中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构在至少100℃的温度下退火，并且在退火之后，所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层。
27.根据权利要求1至25中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构在至少200℃的温度下退火，并且在退火之后，所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层。
28.根据权利要求1至27中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构能够由模型表征，该模型包括双线性耦合强度参数J1和双二次耦合强度参数J2，并且其中对于所述磁性结构，J2>1/2|J1|。
29.根据权利要求28或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中J2大于0.1mJ/m2。
30.根据权利要求28或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中J2大于0.5mJ/m2。
31.根据权利要求1至30中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中选自由Pt和Pd组成的组的至少一种可极化元素代替所述至少一种磁性元素的一部分，使得所述原子浓度参数x反映所述至少一种磁性元素和所述至少一种可极化元素的组合原子浓度。
32.根据权利要求31或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种磁性元素的所述部分包括小于所述至少一种磁性元素的90％。
33.根据权利要求1至32中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中Mn代替所述至少一种磁性元素的至少一部分，使得所述原子浓度参数x反映Mn和所述至少一种磁性元素的组合原子浓度。
34.根据权利要求33或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述原子浓度参数x使得或被选择成使得所述第一磁性层非共线地且非正交地耦合到所述第二磁性层。
35.根据权利要求33-34中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种磁性元素与Mn的原子浓度比为(100-y):y。
36.一种磁性结构，包括：
第一磁性层，其具有第一磁化方向；
第二磁性层，其具有第二磁化方向；
耦合层，其插置在所述第一和第二磁性层之间，该耦合层包括：
至少一种非磁性组分，其选自由Ag、Cr、Ru、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si组成的组；以及
至少一种磁性组分，其选自由Ni、Co、Fe、NiPt、NiPd、CoPt、CoPd、FePt和FePd组成的组；
其中所述至少一种非磁性组分与所述至少一种磁性组分的原子比为(100-x):x；并且其中x是原子浓度参数，其使得或被选择成使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成非共线角度。
37.根据权利要求36所述的磁性结构，包括其他权利要求中的任意一项所述的任何特征。
38.一种磁性结构，包括：
第一磁性层，其具有第一磁化方向；
第二磁性层，其具有第二磁化方向；
耦合层，其插置在所述第一和第二磁性层之间，该耦合层包括：包括Ru的至少一种非磁性元素和包括Fe的至少一种磁性元素，其中所述至少一种非磁性元素与所述至少一种磁性元素的原子比是(100-x):x；并且
其中x是大于60且小于80的原子浓度参数，并且使得或被选择成使得所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成抗铁磁角度。
39.根据权利要求38或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述耦合层具有厚度tc，并且其中所述原子浓度参数x和所述耦合层厚度tc的组合使得或被选择成使得所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层。
40.根据权利要求38至39中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一磁性层具有厚度tm1，所述第二磁性层具有厚度tm2，并且tm1和tm2各自被选择成使得所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层。
41.根据权利要求38-40中任一项或任一权利要求所述的磁性结构，其中所述抗铁磁角度为180°±2°。
42.根据权利要求38至41中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层中的至少一个包括Co。
43.根据权利要求42或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层中的至少一个包括Co，并且x大于60且小于74。
44.根据权利要求43或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层包括Co，并且x大于60且小于74。
45.根据权利要求38至41中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层包括Ni。
46.根据权利要求45或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述第一和第二磁性层包括Ni并且x大于60且小于80。
47.根据权利要求38至46中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种磁性元素包括至少一种磁性合金，其中所述至少一种磁性合金包括Fe合金。
48.根据权利要求38至47中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构能够由模型表征，该模型包括双线性耦合强度参数J1和双二次耦合强度参数J2，并且其中对于所述磁性结构，J2≤1/2|J1|。
49.根据权利要求48或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中J1大于0.3mJ/m2，而J2大于0.1mJ/m2。
50.根据权利要求48或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中J1大于0.6mJ/m2，而J2大于0.2mJ/m2。
51.根据权利要求38-50或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构在至少100℃的温度下退火，并且在退火之后，所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层。
52.根据权利要求38-50或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构在至少200℃的温度下退火，并且在退火之后，所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层。
53.根据权利要求38-52中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中选自由Pt和Pd组成的组的至少一种可极化元素代替所述至少一种磁性元素的一部分，使得所述原子浓度参数x反映所述至少一种磁性元素和所述至少一种可极化元素的组合原子浓度。
54.根据权利要求53或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种磁性元素的所述部分包括小于90％的所述至少一种磁性元素。
55.根据权利要求38-52中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中Mn代替所述磁性元素的至少一部分，使得所述原子浓度参数x反映Mn和所述至少一种可极化元素的组合原子浓度。
56.根据权利要求38至55中任一项所述的磁性结构，包括其他权利要求中的任意一项所述的任何特征。
57.一种磁性结构，包括：
第一磁性层，其具有第一磁化方向；
第二磁性层，其具有第二磁化方向；
耦合层，其插置在所述第一和第二磁性层之间，该耦合层包括：
包括Ru的至少一种非磁性元素和至少一种第二非磁性元素，该第二非磁性元素选自由Ag、Cr、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si组成的组；以及选自由Ni、Co和Fe组成的组的至少一种磁性元素；
其中所述至少一种非磁性元素和所述至少一种第二非磁性元素的组合与所述至少一种磁性元素的原子比为(100-x):x，并且所述至少一种非磁性元素与所述至少一种第二非磁性元素的原子比为(1-y):y，其中y小于80；并且
其中x是原子浓度参数，其使得或被选择成使得所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成抗铁磁角度。
58.根据权利要求57或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述至少一种第二非磁性元素选自由Ru、Ir、Re、Rh和Cr组成的组。
59.根据权利要求57至58中任一项所述的磁性结构，包括其他权利要求中的任意一项所述的任何特征。
60.一种磁性结构，包括：
第一磁性层，其具有第一磁化方向；
第二磁性层，其具有第二磁化方向；
耦合层，其插置在所述第一和第二磁性层之间，该耦合层包括：
至少一种非磁性元素，其选自由Cr、Ir，Rh和Re组成的组；以及
磁性元素，其选自由Fe、Ni和Co组成的组；
其中所述至少一种非磁性元素与所述至少一种磁性元素的原子比为(100-x):x；并且其中x是原子浓度参数，其使得或被选择成使得所述第一磁性层抗铁磁地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成抗铁磁角度。
61.根据权利要求60的磁性结构，包括本申请所述任一其他权利要求的任何特征。
62.根据权利要求1至61中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构通过一种制造方法制造，所述制造方法包括：
将所述耦合层沉积在所述第一磁性层上，并且其中将所述耦合层沉积在所述第一磁性层上包括使用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)过程；以及将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上。
63.根据权利要求62或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中使用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)过程将所述第一磁性层沉积在衬底上。
64.根据权利要求62至63中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中将所述耦合层沉积在所述第一磁性层上包括重复沉积过程，该沉积过程包括沉积所述至少一种非磁性元素的子层，随后沉积所述至少一种磁性元素的子层。
65.根据权利要求62到64或任一其他权利要求中任一项所述的磁性结构，其中将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上包括使用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)过程。
66.根据权利要求62至65中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中该制造方法包括在将所述耦合层沉积在所述第一磁性层上并将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上之后对所述磁性结构进行退火。
67.根据权利要求62至65中任何一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中该制造方法包括加热所述耦合层和所述第一磁性层，同时在所述第一磁性层上沉积所述耦合层。
68.根据权利要求67或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中该制造方法包括加热所述第一磁性层、所述耦合层和所述第二磁性层，同时将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上。
69.根据权利要求67和68中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中加热包括加热至高于150℃。
70.根据权利要求1至61中任一项或任一其他权利要求所述的磁性结构，其中所述磁性结构通过一种制造方法制造，所述制造方法包括：
在所述第一磁性层上沉积包括所述至少一种非磁性元素的中间层；
在所述中间层上沉积所述第二磁性层；以及
对包括所述第一磁性层、所述中间层和所述第二磁性层的所得结构进行退火，从而将所述至少一种磁性元素从所述第一和第二磁性层扩散到所述中间层中，以形成所述耦合层。
71.根据权利要求62至70中任一项所述的磁性结构，包括其他权利要求中的任意一项所述的任何特征。
72.一种制造磁性结构的方法，该方法包括：
在具有第一磁化方向的第一磁性层和具有第二磁化方向的第二磁性层之间层叠耦合层，该耦合层包括：
至少一种非磁性元素，其选自由Ag、Cr、Ru、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si组成的组；以及
至少一种磁性元素，其选自由Ni、Co和Fe组成的组；
其中所述至少一种非磁性元素与所述至少一种磁性元素的原子比为(100-x):x；并且选择x使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成非共线角度。
73.根据权利要求72或任一其他权利要求所述的方法，其中所述耦合层具有厚度tc，并且所述方法包括选择tc使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层。
74.根据权利要求73或任一其他权利要求所述的方法，包括选择x和tc，使得所述第一磁性层以期望的非共线角度或接近期望的非共线角度非共线地耦合到所述第二磁性层。
75.根据权利要求72至74中任一项所述的方法，其中在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间层叠所述耦合层包括：
在所述第一磁性层上沉积所述耦合层，并且其中在所述第一磁性层上沉积所述耦合层包括使用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)过程；以及将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上。
76.根据权利要求75或任一其他权利要求所述的磁性结构，包括使用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)过程在衬底上沉积所述第一磁性层。
77.根据权利要求75和76中任一项或任一其他权利要求所述的方法，其中在所述第一磁性层上沉积耦合层包括重复沉积过程，该沉积过程包括沉积所述至少一种非磁性元素的子层，随后沉积所述至少一种磁性元素的子层。
78.根据权利要求75至77中任一项或任一其他权利要求所述的方法，其中将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上包括使用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)过程。
79.根据权利要求75至78中任一项或任一其他权利要求所述的方法，其中该制造方法包括在将所述耦合层沉积在所述第一磁性层上并将所述第二磁性层沉积在所述耦合层上之后对所述磁性结构进行退火。
80.根据权利要求72至74中任一项或任一其他权利要求所述的方法，其中在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间层叠耦合层包括：
在所述第一磁性层上沉积包括所述至少一种非磁性元素的中间层；
在所述中间层上沉积所述第二磁性层；以及
对包括所述第一磁性层、所述中间层和所述第二磁性层的所得结构进行退火，从而使所述至少一种磁性元素从所述第一和第二磁性层扩散到所述中间层中，以形成所述耦合层。
81.根据权利要求72至80中任一项所述的方法，包括其他权利要求中的任意一项所述的任何特征。
82.一种制造磁性结构的方法，该方法包括：
通过在具有第一磁化方向的第一磁性层和具有第二磁化方向的第二磁性层之间层叠耦合层而形成初始磁性结构，该耦合层包括：
至少一种非磁性元素，其选自由Ag、Cr、Ru、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si组成的组；
所述第一和第二磁性层各自包括至少一种磁性元素，其选自由Ni、Co和Fe组成的组；
在超过100℃的温度下对所述初始磁性结构进行退火，以使得所述第一和第二磁性层中的所述至少一种磁性元素中的至少一些扩散到所述耦合层中，使得在所述耦合层中所述至少一种非磁性元素与所述至少一种磁性元素的原子比是(100-x):x；以及
继续对所述初始结构进行退火，直到x使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成非共线角度。
83.根据权利要求82或任一其他权利要求所述的方法，包括在超过200℃的温度下对所述初始磁性结构进行退火。
84.根据权利要求82和83中任一项或任一其他权利要求所述的方法，其中在退火之前，所述耦合层中的所述至少一种非磁性元素与所述耦合层中包含的任何磁性元素的原子比为(100-y):y，其中y小于x。
85.根据权利要求84或任一其他权利要求所述的方法，其中y等于0。
86.一种磁传感器，包括：
根据权利要求1至85中任一项所述的磁性结构；
第三磁性层，其具有第三磁化方向；
磁阻层，其插置在所述第三磁性层和所述第二磁性层之间；以及
电路，其连接到所述第三磁性层和所述第一磁性层，以确定横跨所述第三磁性层、所述磁性结构和所述磁阻层的阻抗变化，所述阻抗变化至少部分地基于由外部磁场引起的所述第三磁化方向和所述第二磁化方向之间的角度关系的变化。
87.一种磁传感器，包括：
根据权利要求1至85中任一项所述的磁性结构；以及
电路，其连接到所述第二磁性层和所述第一磁性层，以确定横跨所述第三磁性层、所述磁性结构和所述磁阻层的阻抗变化，所述阻抗变化至少部分地基于由外部磁场引起的所述第三磁化方向和所述第二磁化方向之间的角度关系的变化。
88.一种磁性温度传感器，包括：
根据权利要求1至85中任一项所述的磁性结构；
第三磁性层，其具有第三磁化方向；
磁阻层，其插置在所述第三磁性层和所述第二磁性层之间；以及
电路，其连接到所述第三磁性层和所述第一磁性层，以确定横跨所述第三磁性层、所述磁性结构和所述磁阻层的阻抗变化，所述阻抗变化至少部分地基于由温度变化引起的所述第三磁化方向和所述第二磁化方向之间的角度关系的变化。
89.一种磁性温度传感器，包括：
根据权利要求1至85中任一项所述的磁性结构；以及
电路，其连接到所述第二磁性层和所述第一磁性层，以确定横跨所述第三磁性层、所述磁性结构和所述磁阻层的阻抗变化，所述阻抗变化至少部分地基于由外部磁场引起的所述第三磁化方向和所述第二磁化方向之间的角度关系的变化。
90.一种磁存储器装置，包括：
根据权利要求1至85中任一项所述的磁性结构，其中所述第一磁化方向是固定的，而所述第二磁化方向是自由的，以响应于施加到存储器装置的电流而在第一状态角和第二状态角之间移动；
第三磁性层，其具有第三磁化方向；
磁阻层，其插置在所述第三磁性层和所述第二磁性层之间；以及
电路，其连接到所述第二磁性层和所述第一磁性层，以确定横跨所述第三磁性层、所述磁性结构和所述磁阻层的阻抗，该阻抗至少部分地基于所述第三磁化方向和第二磁化方向之间的角度关系，使得所述阻抗响应于所述第二磁化方向从所述第一状态角到所述第二状态角的变化而变化。
91.根据权利要求90或任一其他权利要求所述的磁存储器装置，其中所述第一磁化方向由通过第二耦合层耦合到所述第一磁性层的第四磁性层固定，所述第二耦合层包括根据权利要求1至85中任何一项所述的耦合层的任何特征。
92.一种振荡器装置，包括：
根据权利要求1至85中任一项所述的磁性结构，其中所述第二磁化方向是自由的，以响应于施加到所述振荡器装置的电流而相对于所述第一磁化方向以第一角度进动；
第三磁性层，其具有第三磁化方向；
磁阻层，其插置在所述第三磁性层和所述第二磁性层之间；以及
电路，其连接到所述第二磁性层和所述第一磁性层，以横跨所述第三磁性层、所述磁性结构和所述磁阻层施加直流电，以产生振荡信号，该振荡信号至少部分地基于所述第三磁化方向和所述第二磁化方向之间的角度关系。
93.根据权利要求92或任一其他权利要求所述的振荡器装置，其中所述原子浓度比x被选择成使得所述非共线角度与所述第二磁性层的进动角度对准。
94.根据权利要求92和93中任一项或任一其他权利要求所述的振荡器装置，其中所述耦合层具有厚度tc，并且所述耦合层厚度tc被选择成使得所述非共线角度与所述第二磁性层的进动角度对准。
95.根据权利要求92和94中任一项或任一其他权利要求所述的振荡器装置，其中所述第一磁性层具有厚度tm1，所述第二磁性层具有厚度tm2，并且tm1和tm2各自被选择成使得所述非共线角度与所述第二磁性层的进动角度对准。
96.根据权利要求92和95中任一项或任一其他权利要求所述的振荡器装置，其中所述第一磁化方向是固定的。
97.根据权利要求92和95中任一项或任一其他权利要求所述的振荡器装置，其中所述第一磁化方向是自由的。
98.一种装置，包括两个或多个根据权利要求86至97所述的装置的组合。
99.一种用于磁性结构的制造方法，所述磁性结构具有其他权利要求中的任意一项所述的特征。
100.一种设备，其具有本申请所述的任何新的和创造性的特征、特征的组合或特征的部分组合。
101.一种方法，其具有本申请所述的任何新的和创造性的步骤、动作，步骤和/或动作的组合或步骤和/或动作的部分组合。