| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 자기 나노 발진 소자 | KR1020160095364 | 2016-07-27 | KR101763073B1 | 2017-07-28 | 이경진; 이서원; 장평화 |
| 본발명의일 실시예에따른나노발진소자는, 제1 고정자성층; 상기제1 고정자성층상에배치된제2 고정자성층; 상기제1 고정자성층과상기제2 고정자성층사이에개재된자유자성층; 상기제1 고정자성층과상기자유자성층사이에개재된제1 비자성층; 및상기자유자성층과상기제2 고정자성층사이에개재된제2 비자성층을포함한다. 상기제1 고정자성층은고정된자화방향을가지고, 막면에대하여수직한방향으로자화되는물질로이루어진박막이다. 상기자유자성층은면 수직방향으로부터특정각도를유지하는방향으로정렬하는콘 상태(cone state)를가진다. 상기제2 고정자성층은고정된자화방향을갖고, 막면에대하여평행한방향으로자화되는물질로이루어진다. | ||||||
| 62 | 공유층을 구비한 STO 어레이 및 이의 제조방법 | KR1020130056751 | 2013-05-20 | KR1020140136599A | 2014-12-01 | 이석희; 백승헌 |
| 본 발명은 스핀토크 오실레이터의 조합체에 있어 소자를 구성하는 고정층을 공유하는 스핀토크오실레이터 어레이 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 병렬로 연결된 복수 개의 스핀토크오실레이터(STO)를 형성하는 스핀토크오실레이터 어레이에 있어, 고정된 자화방향을 갖고, 상기 복수 개의 스핀토크오실레이터에 대하여 단일 공유층으로 형성되는 고정층(Pinned layer)과; 가변적으로 회전되는 자화방향을 갖고, 상기 복수 개의 스핀토크오실레이터에 대하여 각각 개별적으로 분할되어 형성되는 구분된 자유층(Free layer)들과; 상기 고정층과 자유층 사이 그리고 인접한 상기 자유층들 사이에 형성되는 비자성층(Spacer)을 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 고정층 또는 편극층을 공유하여 주파수 특성을 동일하게 맞춘 STO 어레이를 제공할 수 있고, 제조 공정을 간소화하여 제조 비용이 저렴해지는 장점이 있다.
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| 63 | 위상 조정수단을 가진 스핀 발진기와 스핀 변조기, 그를 이용한 변조 방법 및 그 제작 방법 | KR1020120134979 | 2012-11-27 | KR1020140072236A | 2014-06-13 | 오인열; 박철순 |
| The present invention relates to a spin modulator with a phase control unit which includes: a spin array composed of spin oscillators of an m x n matrix (m>=1, n>=1); a selection control unit which selectively operates the spin oscillators according to an operation condition; and a phase control array composed of m x n phase control units to control the phase locked operations of the spin oscillators according to the change of the operation condition. | ||||||
| 64 | 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및 고주파 자기장 생성 소자 | KR1020110031858 | 2011-04-06 | KR101368298B1 | 2014-03-03 | 이경진; 서수만; 이현우; 정순욱 |
| 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 및 고주파 자기장 생성 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 고정 자성층 / 비자성층 / 자유 자성층 / 비자성층 / 감지 자성층 / 반강자성층으로 구성된 구조이며, 상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질로 이루어진 제 2 박막을 포함하고, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고 상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 보다 높은 전류에서도 자화회전이 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 고주파 소자는 고주파 교류신호를 생성할 수 있으므로, 이러한 고주파 영역에서 구동되는 Resonator, Oscillator, Band-path filter 등의 소자의 개발에 따라 기존 소자에 비해 보다 많은 정보를 빠른 시간에 전송 및 처리할 수 있으므로, 소자의 효율성을 증대시킬 수 있다. |
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| 65 | 스핀토크형 주입고정 발진기 및 그 설계 방법 | KR1020120126036 | 2012-11-08 | KR101359399B1 | 2014-02-10 | 조성준; 박철순 |
| The present invention relates to a spin transfer torque oscillator using an injection locking method and more particularly, to a spin torque type injection locking oscillator and a designing method thereof, capable of improving output and noise properties by locking phase by inserting an output signal of a spin transfer torque element with high noise properties into a spin transfer torque element with high power properties by using a pair of spin torque transfer elements with different power and noise properties. The present invention performs a nanoscale integration, reduces a size thereof, obtains high quality, reduces manufacturing costs, and performs mass production by providing the oscillator with high output power and phase noise properties. [Reference numerals] (301) Spin torque type element for high output power; (302) Spin torque type element for low noise; (303) Second power unit; (304) First power unit; (309) Current control injection oscillator; (310) Current control oscillator; (AA) Second oscillation signal; (BB) First oscillation signal | ||||||
| 66 | 발진기 및 상기 발진기의 동작 방법 | KR1020100111000 | 2010-11-09 | KR1020120049641A | 2012-05-17 | 최현식; 김호정; 신재광 |
| PURPOSE: An oscillator and an operating method thereof are provided to form an oscillating part and an output terminal by using a CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) manufacturing process since an oscillator including the oscillating part and the output terminal is integrated on the same substrate. CONSTITUTION: An oscillator(1A) comprises an oscillating part(10) and an output terminal(20a). The output terminal comprises a primary amplification part(21a), a bias circuit(22a), and a second amplification part(23a). The oscillator includes one or more magnetic layers which have variable magnetization directions according to at least one of applied currents, applied voltages, and applied magnetic fields. The oscillating part generates oscillation signals having predetermined frequencies. The output terminal is integrated on the same substrate as the oscillating part. The output terminal provides output signals by differentially amplifying the oscillation signals. | ||||||
| 67 | 발진기 및 그 동작방법 | KR1020100082636 | 2010-08-25 | KR1020120022087A | 2012-03-12 | 피웅환; 서순애; 김기원; 황인준; 김광석; 이성철 |
| PURPOSE: An oscillator and an operating method thereof are provided to generate high frequency signals without application of external magnetism using phenomenon of a spin transfer torque. CONSTITUTION: The magnetic moment of a magnetic layer(FP1) applies current on an oscillator for precession. The current is applied from the magnetic layer to an anti- ferroelectric material layer(AF1). Electronics are applied from the anti- ferroelectric material layer through a pinned layer(FF1) to a free layer. The electronics passing through the pinned layer and flowing to the magnetic layer has the same spin direction as the pinned layer. The electronics can apply the spin torque on the magnetic layer. The magnetic moment of the magnetic layer can be perturbed by the spin torque. | ||||||
| 68 | 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및 고주파 자기장 생성 소자 | KR1020110031858 | 2011-04-06 | KR1020110058750A | 2011-06-01 | 이경진; 서수만; 이현우; 정순욱 |
| PURPOSE: A device for generating high frequency microwave and high frequency magnetic field using spin transfer torque are provided to perform big magnetization rotation by having a high threshold current. CONSTITUTION: In a device for generating high frequency microwave and high frequency magnetic field using spin transfer torque, the high frequency microwave generation device comprises a fixed magnetic layer(200), a first nonmagnetic layer(201), and a free magnetic layer(202). The high frequency microwave production device comprises a second nonmagnetic layer(203), a sensing magnetic layer(204), and an anti- ferroelectric material layer(210). The free magnetic layer comprises a first thin film(205) and a second thin film(206). The first thin film comprises a first soft magnetic member. The second thin film comprises a second soft magnetic member. The second material has a negative magnetic anisotropy constant. The fixed magnetic layer has the vertical magnetization characteristic of a thin film. A sensing magnetic layer has the vertical magnetization characteristic of the thin film. | ||||||
| 69 | 반도체 장치의 이엠아이 감소 회로 | KR1019990035466 | 1999-08-25 | KR1020010019184A | 2001-03-15 | 윤영환 |
| PURPOSE: A circuit of reducing EMI(Electronic Magnetic Interference) for a semiconductor apparatus is provided to reduce EMI caused by the effect of spectrum diffusion by producing an output signal with a varied pulse width. CONSTITUTION: In a circuit reducing EMI, a divider(10) produces a divided clock signal(CLKD) by dividing an externally input signal(CLK) by a preset division factor. A level shifter(20) increases the pulse width of voltage of the divided signal(CLKD). First and second filters(30,40) filter the width-increased divided signal from the level shifter(20). The first output driver(50) produces the input signal(CLK) as the first output signal(OUT1). The second output driver(60) produces the signal filtered through the filters(30,40) as the second output signal(OUT2). Thereby, EMI by a spectrum diffusion effect decreases by producing a varied pulse width output(OUT2). | ||||||
| 70 | 호울 소자를 이용한 신호 취출 회로 | KR1019890016557 | 1989-11-15 | KR1019910010825A | 1991-06-29 | 히라하라시게오시 |
| 내용 없음 | ||||||
| 71 | 이지 콘 이방성에 기반한 스핀 토크 오실레이터 | KR1020160145373 | 2016-11-02 | KR102638744B1 | 2024-02-21 | |
| 72 | 주파수 센서 | KR1020207018457 | 2018-11-28 | KR1020200094180A | 2020-08-06 | |
| 73 | 이지 콘 이방성에 기반한 스핀 토크 오실레이터 | KR1020160145373 | 2016-11-02 | KR1020170058849A | 2017-05-29 | 아팔코브,드미트로; 채플스키,로만; 니키틴,블라디미르 |
| 스핀토크오실레이터는, 고정된자화를갖는구동기준층, 비자성스페이서층, 및이지콘 자기이방성을보이는가변자화를갖는자유층을포함하되, 상기비자성스페이서층은상기구동기준층과상기자유층 사이에배치되고, 상기자유층의자기이방성에너지는축에따른극댓값, 상기축으로부터일 각도를이루는극솟값, 그리고상기극댓값과상이한최댓값을갖고, 상기각도는 0°보다크되, 상기스핀토크오실레이터는상기자유층의상기가변자화가상기축 주위를세차운동으로전진한다. | ||||||
| 74 | 트랜지스터와 결합하여 직접화한 고출력 스핀발진기 | KR1020140086057 | 2014-07-09 | KR101695468B1 | 2017-01-13 | 신민철; 강두형; 이재현 |
| 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다. | ||||||
| 75 | 발진소자 및 발진소자 제조방법 | KR1020137000485 | 2011-06-02 | KR101447131B1 | 2014-10-07 | 마에하라히로키 |
| 본 발명은 터널장벽층을 포함한 자기저항소자가 높은 발진출력 및 하이 Q 팩터 모두를 달성하는 발진소자; 및 상기 발진소자 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 발진소자(10)는 자화자유층(103), 자화고정층(105), 및 터널장벽층(102)을 갖는 자기저항소자를 포함한다. 보호층(101,102) 및 전극(151,152)이 부분적으로 보호층(102,103)과 전기 접촉하는 점접촉부(140)를 갖는 전극(151,152)이 자화자유층(103)에 제공된다. 전극 및 보호층들 간에 점접촉부(140)와는 다른 부분들에 전기접촉을 방지하기 위해, 전극과 보호층 간에 층간 절연막이 제공된다. 자화자유층(103) 및 터널장벽층(140) 간의 경계면 면적은 점접촉부(140)의 표면적보다 더 크다. 더욱이, 층간 절연막(150)과 접촉하는 보호층의 일부는 전극과 접촉하는 보호층의 일부보다 표면 법선방향으로 두께가 더 작다.
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| 76 | 위상 조정수단을 가진 스핀 발진기와 스핀 변조기, 그를 이용한 변조 방법 및 그 제작 방법 | KR1020120134979 | 2012-11-27 | KR101413527B1 | 2014-07-07 | 오인열; 박철순 |
| 본 발명은 mxn 행렬의 스핀 발진기들로 구성된 스핀 어레이(m ≥ 1 , n ≥1); 동작 조건에 따라 상기 스핀 발진기들을 선택적으로 동작시키기 위한 선택제어수단; 및 상기 동작 조건의 변동에 따라 상기 스핀 발진기들의 위상 동기 동작을 조정하기 위한 mxn 위상 조정수단들로 구성된 위상조정 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 조정수단을 가진 스핀 변조기에 관한 것이다.
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| 77 | 저전력 이완 발진기 | KR1020120087258 | 2012-08-09 | KR1020140021822A | 2014-02-21 | 김영한; 정철호 |
| A relaxation oscillator according to one embodiment of the present invention comprises: a power supply unit for supplying electric power to the relaxation oscillator; a current mirroring unit connected to the power supply unit and outputting mirrored current; a first switching circuit unit connected to the current mirroring unit and switched according to the mirrored current and a voltage of a first switching input terminal to output a first input voltage; a second switching circuit unit connected to the current mirroring unit and switched according to the mirrored current and a voltage of a second switching input terminal to output a second input voltage; a Schmitt trigger unit connected to the first switching circuit unit and the second switching circuit unit, converting the first input voltage and the second input voltage into one pair of digital signals, and outputting the one pair of digital signals; and an SR latch unit connected to the Schmitt trigger unit determining outputs of a first output terminal and a second output terminal by SR latch operation with the one pair of digital signals, wherein the first output terminal of the SR latch unit is connected to the first switching input terminal and the second output terminal is connected to the second switching input terminal. | ||||||
| 78 | 스핀 밸브 소자의 구동 방법 및 스핀 밸브 소자 | KR1020107008380 | 2008-08-28 | KR101291778B1 | 2013-07-30 | 카와카미,하루오; 오기모토,야스시 |
| 스핀 밸브 소자에 인가하는 외부 자장을 약하게 하거나, 혹은 전혀 이용하지 않고 구동하여 마이크로파를 발진시키기 위해서, 한 쌍의 강자성층의 각 층의 보자력이 서로 상이한 스핀 밸브 소자로부터 전자 신호를 얻는 스핀 밸브 소자의 구동 방법 또는 그러한 스핀 밸브 소자. 한 쌍의 강자성층 중 보자력이 큰 강자성층인 고정층을 고정층의 막면에 거의 수직이 되는 방향으로 자화하여, 한 쌍의 강자성층의 일방으로부터 타방으로 중간층을 통과시켜 전류를 흘린다. 구동시, 외부 자장의 크기의 값과 스핀 밸브 소자에 흐르는 전류의 값으로 이루어진 값의 세트를 소정의 조건을 만족하도록 한다. 혹은, 한 쌍의 강자성층 중 보자력이 작은 강자성층인 프리층의 물성을 이러한 조건을 실현할 수 있는 것으로 한다.
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| 79 | 발진소자 및 발진소자 제조방법 | KR1020137000485 | 2011-06-02 | KR1020130043653A | 2013-04-30 | 마에하라히로키 |
| The present invention provides: an oscillator element in which a magnetoresistive element including a tunnel barrier layer achieves both a high oscillation output and a high Q factor; and a method for producing the oscillator element. An oscillator element (10) according to one embodiment of the present invention includes a magnetoresistive element having a magnetization free layer (103), magnetization fixed layer (105), and a tunnel barrier layer (102). Provided on the magnetization free layer (103) are a protection layer (101, 102) and an electrode (151, 152) having a point contact section (140) where the electrode (151, 152) is partially in electrical contact with the protection layers (102, 103). In order to prevent electrical contact at portions other than the point contact section (140) between the electrode and the protection layers, an interlayer insulating film (150) is provided between the electrode and the protection layer. The area of the interface between the magnetization free layer (103) and the tunnel barrier layer (104) is larger than the surface area of the point contact section (140). Moreover, a portion of the protection layer in contact with the interlayer insulating film (150) has a smaller thickness in a surface normal direction than the portion of the protection layer in contact with the electrode. | ||||||
| 80 | 발진기와 그 제조방법 및 동작방법 | KR1020100117522 | 2010-11-24 | KR1020120056019A | 2012-06-01 | 이성철; 피웅환; 김기원; 김광석 |
| PURPOSE: An oscillator and an operation method and a manufacturing method thereof are provided to increase a quality factor and output power by greatly reducing the phase noise. CONSTITUTION: One or more oscillation units(U1) are formed on a base free layer(100). The oscillation unit includes a free layer element(10), a separation layer element(20), and a pinned layer element(30) successively laminated on the base free layer. The free layer element is contacted with the base free layer. The pinned layer element is separated from the free layer element. The separation layer element is formed between the free layer element and the pinned layer element. The oscillation unit can be a dot type having a certain shape. A width of the free layer element can be smaller than that of the base free layer. The widths of the pinned layer element and the separation layer element can be smaller than that of the base free layer. | ||||||
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