| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | NL6503304A - | NL6503304 | 1965-03-16 | NL6503304A | 1965-09-17 | |
| 142 | A variable negative resistance | FR949228 | 1963-10-01 | FR1380554A | 1964-12-04 | |
| 143 | Electronic switch | DES0083418 | 1963-01-25 | DE1173131B | 1964-07-02 | SIEPMANN RICHARD |
| 144 | A method for generating a negative resistance in a semiconductor device | DEW0029089 | 1960-12-15 | DE1154879B | 1963-09-26 | DACEY GEORGE CLEMENT |
| 145 | Semiconductor oscillator | DEC0020907 | 1960-02-29 | DE1147992B | 1963-05-02 | BOK JULIEN |
| 146 | Solid state electrical circuit elements | GB1918359 | 1959-06-04 | GB918239A | 1963-02-13 | |
| 918,239. Semi-conductor devices. INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. June 4, 1959 [June 4, 1958], No. 19183/59. Class 37. Electrical apparatus comprises a semi-conductor circuit element maintained at a low temperature so that there are no thermallygenerated carriers and means for applying a variable magnetic or electric field to the element to render it switchable between conducting and substantially non-conducting conditions. An initial magnetic field may be used to establish a sufficient energy gap to prevent thermal carrier generation. The material may consist of germanium with about 10 |
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| 147 | Регенеративный делитель частоты | SU640647 | 1959-10-07 | SU131789A1 | 1959-11-30 | MAZUROV M E; PRUDNIKOV I N |
| 148 | Generators for electrical oscillations | DES0040421 | 1954-08-13 | DE1058574B | 1959-06-04 | DIPL-PHYS DR RER NAT FRIEDRICH |
| 149 | SE1131847 | 1947-12-08 | SE136524C1 | 1952-07-15 | ||
| 150 | Способ получения электромагнитных волн, лежащих в видимой части спектра | SU2239 | 1925-03-06 | SU2524A1 | 1927-03-31 | SELEZNEV A P |
| 151 | Устройство для генерирования электрических колебаний для радиопередачи | SU78708 | 1924-08-09 | SU1291A1 | 1924-09-15 | TEUMIN I I |
| 152 | Explosion chamber for gas turbines | DEH0089055 | 1921-11-02 | DE379859C | 1923-08-29 | |
| 153 | 이지 콘 이방성에 기반한 스핀 토크 오실레이터 | KR1020160145373 | 2016-11-02 | KR102638744B1 | 2024-02-21 | |
| 154 | 주파수 센서 | KR1020207018457 | 2018-11-28 | KR1020200094180A | 2020-08-06 | |
| 155 | 이지 콘 이방성에 기반한 스핀 토크 오실레이터 | KR1020160145373 | 2016-11-02 | KR1020170058849A | 2017-05-29 | 아팔코브,드미트로; 채플스키,로만; 니키틴,블라디미르 |
| 스핀토크오실레이터는, 고정된자화를갖는구동기준층, 비자성스페이서층, 및이지콘 자기이방성을보이는가변자화를갖는자유층을포함하되, 상기비자성스페이서층은상기구동기준층과상기자유층 사이에배치되고, 상기자유층의자기이방성에너지는축에따른극댓값, 상기축으로부터일 각도를이루는극솟값, 그리고상기극댓값과상이한최댓값을갖고, 상기각도는 0°보다크되, 상기스핀토크오실레이터는상기자유층의상기가변자화가상기축 주위를세차운동으로전진한다. | ||||||
| 156 | 트랜지스터와 결합하여 직접화한 고출력 스핀발진기 | KR1020140086057 | 2014-07-09 | KR101695468B1 | 2017-01-13 | 신민철; 강두형; 이재현 |
| 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다. | ||||||
| 157 | 발진소자 및 발진소자 제조방법 | KR1020137000485 | 2011-06-02 | KR101447131B1 | 2014-10-07 | 마에하라히로키 |
| 본 발명은 터널장벽층을 포함한 자기저항소자가 높은 발진출력 및 하이 Q 팩터 모두를 달성하는 발진소자; 및 상기 발진소자 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 발진소자(10)는 자화자유층(103), 자화고정층(105), 및 터널장벽층(102)을 갖는 자기저항소자를 포함한다. 보호층(101,102) 및 전극(151,152)이 부분적으로 보호층(102,103)과 전기 접촉하는 점접촉부(140)를 갖는 전극(151,152)이 자화자유층(103)에 제공된다. 전극 및 보호층들 간에 점접촉부(140)와는 다른 부분들에 전기접촉을 방지하기 위해, 전극과 보호층 간에 층간 절연막이 제공된다. 자화자유층(103) 및 터널장벽층(140) 간의 경계면 면적은 점접촉부(140)의 표면적보다 더 크다. 더욱이, 층간 절연막(150)과 접촉하는 보호층의 일부는 전극과 접촉하는 보호층의 일부보다 표면 법선방향으로 두께가 더 작다.
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| 158 | 위상 조정수단을 가진 스핀 발진기와 스핀 변조기, 그를 이용한 변조 방법 및 그 제작 방법 | KR1020120134979 | 2012-11-27 | KR101413527B1 | 2014-07-07 | 오인열; 박철순 |
| 본 발명은 mxn 행렬의 스핀 발진기들로 구성된 스핀 어레이(m ≥ 1 , n ≥1); 동작 조건에 따라 상기 스핀 발진기들을 선택적으로 동작시키기 위한 선택제어수단; 및 상기 동작 조건의 변동에 따라 상기 스핀 발진기들의 위상 동기 동작을 조정하기 위한 mxn 위상 조정수단들로 구성된 위상조정 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 조정수단을 가진 스핀 변조기에 관한 것이다.
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| 159 | 저전력 이완 발진기 | KR1020120087258 | 2012-08-09 | KR1020140021822A | 2014-02-21 | 김영한; 정철호 |
| A relaxation oscillator according to one embodiment of the present invention comprises: a power supply unit for supplying electric power to the relaxation oscillator; a current mirroring unit connected to the power supply unit and outputting mirrored current; a first switching circuit unit connected to the current mirroring unit and switched according to the mirrored current and a voltage of a first switching input terminal to output a first input voltage; a second switching circuit unit connected to the current mirroring unit and switched according to the mirrored current and a voltage of a second switching input terminal to output a second input voltage; a Schmitt trigger unit connected to the first switching circuit unit and the second switching circuit unit, converting the first input voltage and the second input voltage into one pair of digital signals, and outputting the one pair of digital signals; and an SR latch unit connected to the Schmitt trigger unit determining outputs of a first output terminal and a second output terminal by SR latch operation with the one pair of digital signals, wherein the first output terminal of the SR latch unit is connected to the first switching input terminal and the second output terminal is connected to the second switching input terminal. | ||||||
| 160 | 스핀 밸브 소자의 구동 방법 및 스핀 밸브 소자 | KR1020107008380 | 2008-08-28 | KR101291778B1 | 2013-07-30 | 카와카미,하루오; 오기모토,야스시 |
| 스핀 밸브 소자에 인가하는 외부 자장을 약하게 하거나, 혹은 전혀 이용하지 않고 구동하여 마이크로파를 발진시키기 위해서, 한 쌍의 강자성층의 각 층의 보자력이 서로 상이한 스핀 밸브 소자로부터 전자 신호를 얻는 스핀 밸브 소자의 구동 방법 또는 그러한 스핀 밸브 소자. 한 쌍의 강자성층 중 보자력이 큰 강자성층인 고정층을 고정층의 막면에 거의 수직이 되는 방향으로 자화하여, 한 쌍의 강자성층의 일방으로부터 타방으로 중간층을 통과시켜 전류를 흘린다. 구동시, 외부 자장의 크기의 값과 스핀 밸브 소자에 흐르는 전류의 값으로 이루어진 값의 세트를 소정의 조건을 만족하도록 한다. 혹은, 한 쌍의 강자성층 중 보자력이 작은 강자성층인 프리층의 물성을 이러한 조건을 실현할 수 있는 것으로 한다.
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