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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 用于处理管道中的气体的设备 | CN201580026860.5 | 2015-05-04 | CN106414800A | 2017-02-15 | 曾继兵; 布赖恩·T·韦斯特; 王荣平; 诺吉·A·贾金德拉 |
| 本申请提供一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备。在一些实施方式中，一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备包含：介电管，所述介电管被耦接至基板处理系统的管道以允许气体流动经过介电管，其中介电管具有圆锥形的侧壁；以及RF线圈，所述RF线圈被缠绕在介电管的圆锥形的侧壁的外表面的周围，RF线圈具有用以提供RF输入至RF线圈的第一端部，RF线圈的第一端部被设置在介电管的第一端部的附近，以及具有被设置在介电管的第二端部附近的第二端部。在一些实施方式中，RF线圈为中空的并包含冷却剂配件以将中空的RF线圈耦接至冷却剂供应器。 | ||||||
| 122 | 测试倒装芯片组合件背景中的集成电路的技术和结构 | CN201280036048.7 | 2012-07-18 | CN103703541B | 2017-02-08 | M·戴斯彻内斯; M·高温; E·吉谷尔瑞 |
| 这里公开了一种将从已有衬底（104）去除的IC管芯（102）重新接合到新衬底（106）的方法。在一实施例中，这样的方法包括：从IC管芯（102）研磨已有衬底（104）以产生暴露互连（202）和周围的底部填充材料（204）的基本平坦表面。提供具有从其突出的导电基座（300）的新衬底（106）。导电基座（300）定位成与暴露的互连（202）对准并且具有比互连（202）的熔点实质上更高的熔点。该方法将暴露的互连（202）安置为与导电基座300）接触。然后，该方法应用回流工艺以将暴露的互连（202）熔化并且电接合到导电基座（300）。还公开了该方法所产生的结构。 | ||||||
| 123 | 实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法 | CN201410663518.3 | 2014-11-19 | CN104362078B | 2017-02-01 | 许可; 戚爰伟; 侯静; 李孟歆; 张颖 |
| 本发明涉及纳米操作领域，具体地说是涉及一种实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法,其采用闭环实时检测装配方法，通过信号发生器对微电极施加交直流叠加的驱动信号，其中交流信号作为驱动信号，直流偏置信号作为检测信号；通过扫描直流偏置信号跳变实现实时反馈；本发明采用浮动电势介电泳技术，基于闭环控制思想，解决了纳电子器件有效装配效率低、难于自动化、规模化装配的难题，具有不破坏纳米管线本身物理、化学性质的特点，根据不同纳米材料独特的物理化学特性，可测出各种力的微小变化。 | ||||||
| 124 | 氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法 | CN201410134928.9 | 2014-04-04 | CN103972789B | 2017-01-11 | 王永进; 白丹; 朱刚毅; 李欣; 施政; 高绪敏; 陈佳佳 |
| 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔，使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空，非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接，实现微腔内部光全反射传播，最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。 | ||||||
| 125 | 半导体处理中用于K恢复及表面清洁的紫外线及还原处理 | CN201010539625.7 | 2010-11-09 | CN102074500B | 2016-12-28 | 巴德里·瓦拉达拉詹; 乔治·A·安东内利; 巴尔特·范施拉文迪杰克 |
| 本申请案涉及半导体处理中用于K恢复及表面清洁的UV及还原处理。借助UV辐射及还原剂处理含碳低k电介质实现工艺诱发损坏修复。此外，借助还原剂及UV辐射的处理对于通过从具有或不具有低k电介质的经处理晶片的经平面化表面移除金属氧化物(例如，氧化铜)及/或CMP浆液的有机残留物来清洁经处理晶片表面是有效的。本发明的方法尤其适用于镶嵌处理的背景中以恢复在处理(金属化前、平面化后或两者)期间损坏的电介质的损失的低k性质，及/或提供有效的平面化后的表面清洁以改进随后施加的电介质势垒层及/或其它层的粘附。 | ||||||
| 126 | EUV光刻装置及其曝光方法 | CN201480078178.6 | 2014-08-26 | CN106255922A | 2016-12-21 | 郑乐平; 许琦欣; 王帆; 吴飞 |
| 一种EUV光刻装置及其曝光方法。所述装置的掩模台(300)承载多个反射式掩模(400a，400b)，处于曝光位的反射式掩模(400a)在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模(400b)可同时进行面型和位置测量。多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，提高产率。掩模台(300)也可承载多个相同的反射式掩模，通过切换掩模的方式交替使用进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。 | ||||||
| 127 | 具有线形翅片场效应结构的电路 | CN201380013824.6 | 2013-01-13 | CN104303263B | 2016-12-14 | S.T.贝克; M.C.斯梅林; D.甘地; J.马利; C.朗贝尔; J.R.匡特; D.福克斯 |
| 第一晶体管具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域。所述第一扩散翅片从衬底的表面突出。所述第一扩散翅片在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到第二端。第二晶体管具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域。所述第二扩散翅片从所述衬底的所述表面突出。所述第二扩散翅片在第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到第二端。所述第二扩散翅片被定位成挨着所述第一扩散翅片并且与所述第一扩散翅片间隔开。所述第二扩散翅片的所述第一端或所述第二端被定位在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的所述第一端与所述第二端之间。 | ||||||
| 128 | 基板液体处理装置以及基板液体处理方法 | CN201010513671.X | 2010-10-15 | CN102044412B | 2016-12-14 | 田中裕司; 南辉臣; 川渕洋介; 伊藤规宏; 上村史洋; 薮田贵士; 小佐井一树; 乌野崇; 关口贤治; 藤井康 |
| 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。 | ||||||
| 129 | 使用电子转移剂制备纳米晶的方法 | CN200980148625.X | 2009-10-02 | CN102239107B | 2016-11-16 | E.塔尔斯基; J.巴特尔; J.特里维 |
| 提供用于制备核纳米晶的组合物和方法，该方法使用失配的前体和两种或多种电子转移剂以独立地控制粒子形成的成核与生长阶段。 | ||||||
| 130 | 裸芯预剥离设备和方法 | CN201180037753.4 | 2011-06-21 | CN103098170B | 2016-11-02 | 邱进添; H.塔基亚尔; 刘宁; 张记东; 吕忠; 邰恩勇; N.艾丽帕拉卡尔 |
| 公开了一种将贴附在切片带（200）上的半导体裸芯（212）由所述切片带预剥离的设备（100）和方法。该设备（100）包括腔体（110），所述腔体具有底部基底（112）、顶部开口（114）和从基底（112）的周边向上延伸的环形侧壁（116）。侧壁（16）具有大致平的顶部表面。该设备（100）还包括设置在腔体（110）之上的盖子（120）。盖子（120）具有中心开口。该设备（100）还包括设置在基底（112）中的至少一个入口（118），和经由该至少一个入口（118）连接至腔体（110）的压强调节器（150）。切片带（200）被布置在盖子（120）和侧壁（116）的顶部表面之间，以气密密封腔体（110）的顶部开口（114）。半导体裸芯（212）位于腔体（110）的顶部开口（114）的正上方。 | ||||||
| 131 | 具有轻度掺杂的排出装置的化学敏感的传感器 | CN201180040544.5 | 2011-06-30 | CN103168341B | 2016-10-05 | K.G.法伊夫 |
| 一种具有轻度掺杂的区域的化学敏感的传感器，所述轻度掺杂的区域会影响化学敏感的传感器的栅和电极之间的重叠电容。所述轻度掺杂的区域在化学敏感的传感器的栅区域的下面且邻近地延伸。通过操纵在电极下面的轻度掺杂的区域，实现对化学敏感的传感器的增益的修改。 | ||||||
| 132 | 半导体的选择性电化学蚀刻 | CN201580007817.4 | 2015-02-10 | CN105981131A | 2016-09-28 | 拉金德拉·P·达哈尔; 伊什瓦拉·B·巴特; 周达成 |
| 提供了用于促成半导体结构制造的方法，包括：提供包括半导体层的多层结构，该半导体层包括掺杂物并且具有增大的电导率；使用电化学处理，至少部分地选择性增大半导体层的孔隙度，选择性增大孔隙度利用了半导体层的增大的电导率；和借助选择性增大的孔隙度从多层结构中至少部分地除掉半导体层。作为例子，选择性增大孔隙度可以包括至少部分地对多层结构的半导体层有选择地进行阳极氧化。 | ||||||
| 133 | 包含绝缘体上硅的半导体封装体 | CN201280050797.5 | 2012-08-12 | CN103890904B | 2016-09-28 | R.K.威廉斯 |
| 来自绝缘体上硅（SOI）芯片的热传递通过在半导体封装体中以引线框上凸块方式安装芯片而得到改善，连接SOI芯片的有源层到金属引线的焊料或其它金属凸块用于将封装体安装在印刷电路板或其它支撑结构上。 | ||||||
| 134 | 一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法 | CN201210252143.2 | 2012-07-19 | CN103570001B | 2016-09-07 | 解婧; 张阳; 罗巍; 李超波; 夏洋 |
| 本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；（2）对绝缘衬底的表面和/或待转移至绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；（3）将绝缘衬底与体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从体材料表面剥离下来，覆盖到绝缘衬底的表面。使用本发明制备的二维薄膜材料铺展均匀，并可避免多次转移以及中间层材料造成的缺陷以及环境污染等问题。同时，本发明与硅基器件大规模制造工艺通融，可使高性能二维薄膜材料器件的制造研发沿用大规模平面印刷工艺，工艺流程简单可控，重复性好，可用于自动化宏量生产。 | ||||||
| 135 | 微器件的制备方法 | CN201180009957.7 | 2011-02-13 | CN102804333B | 2016-08-24 | 俞昌 |
| 本发明公开了制备应用于生物与医疗领域的新型微器件的方法。这些方法利用了微电子工艺技术和新工艺流程来制备微器件，该微器件在微观水平具有更好的性能、灵活性和检测和治疗疾病的能力。与现有的医疗方法中的传统疗法和设备相比，这些微器件降低了成本。应用本发明的纳米技术制备的微器件在许多领域相对于现有的传统方法有显著改善。这些改善包括但不仅限于，降低总体成本、疾病早期检测/诊断、靶向给药、靶向治疗疾病和降低治疗过程中的侵袭性。与现有的、传统的方法相比，本发明的方法更微观、更灵敏、更精确、更准确、更灵活、更有效。这个新颖的方法和现有方法相比能够达到更好的治疗效果。 | ||||||
| 136 | 用于半导体处理的具有二极管平面加热器区域的加热板 | CN201280045744.4 | 2012-09-17 | CN103946423B | 2016-08-17 | 基思·威廉·加夫; 基思·科门丹特 |
| 一种用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的加热板，其包括以可扩展多路复用布局布置的多个独立控制的平面加热器区域，以及电子器件以独立控制平面加热器区域和为所述平面加热器区域供电。每个平面加热器区域使用至少一个二极管作为加热器元件。其中包括有加热板的衬底支撑组件包括静电夹持电极和温度控制基板。用于制造所述加热板的方法包括将具有平面加热器区域、功率供给线、功率返回线和通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。 | ||||||
| 137 | 具有低热阻的引线框架上凸块半导体封装体 | CN201280050858.8 | 2012-08-12 | CN103918057B | 2016-08-17 | K.H.林; R.K.威廉斯 |
| 在引线框架上凸块半导体封装体中，集成电路芯片上形成的金属凸块用于利于半导体衬底中产生的热传递到金属散热块，并且然后传递到外部安装表面。包括热过孔阵列的结构可用于从半导体衬底传递热量到金属凸块。 | ||||||
| 138 | 曝光菜单建立方法 | CN200910189542.7 | 2009-11-24 | CN102074452B | 2016-08-10 | 黄旭鑫 |
| 本发明涉及一种曝光菜单建立方法，建立曝光菜单时，使晶圆的槽口方向与光掩膜版长边方向垂直。本发明操作简单，缩短了工作时间，有效地减少了有效芯片的损失，降低了成本，极大的满足了客户的需求。 | ||||||
| 139 | 电子元件生产用密封容器 | CN201210594491.8 | 2012-12-31 | CN103151243B | 2016-08-03 | 王振荣; 黄春杰; 刘红兵 |
| 本发明公开了一种电子元件生产用密封容器，其特征在于，包括：槽体，所述槽体设置有容腔，所述容腔用于盛放处理液以对晶圆进行处理；槽盖，所述槽盖设置在所述槽体上端盖住所述容腔且可相对于所述槽体移动地设置，所述槽盖移动后打开所述容腔。本发明使用的电子元件生产用密封容器，采用驱动器推动连杆带动槽盖沿槽体圆周打开或闭合，代替了高强度的人工操作，提高了工作效率及生产合格率，同时在槽盖完全打开后，与槽壁平行放置在槽体外侧，缩小了因槽盖打开而占用的竖直空间，大大提高了生产装置的空间利用率。 | ||||||
| 140 | 灯单元 | CN201110005343.3 | 2011-01-05 | CN102184837B | 2016-08-03 | 山森贤治 |
| 提供一种灯单元(20)，即使在光源中具备全长1800mm以上的大型的准分子灯(40)，也能够在中间部和端部保持一定的水准的处理效果。该灯单元通过灯保持体(26)支撑准分子灯(40)的两端而在筐体(21)内配置有准分子灯(40)，该准分子灯(40)在放电容器(41)的上壁面(42)及下壁面(43)的外表面设置有电极(46、47)并在放电容器内封入有氙气，在该放电容器内产生准分子放电，所述灯单元的特征在于，在所述准分子灯(40)的长边方向的中间部下方配置有中间支撑体(50)，从下侧支撑准分子灯(40)。 | ||||||
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