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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 一种用于读取磁性PUF的传感器阵列 | CN202080061933.5 | 2020-09-04 | CN114341659A | 2022-04-12 | 小詹姆斯·霍华德·埃利斯; 凯斯·布莱恩·哈丁 |
| 描述了一种磁传感器阵列器件，其由多个传感器构成，该传感器被集成在公共硅晶粒上，该晶粒被切割并被封装在晶圆级封装(WLP)中。该器件包括多轴磁传感器阵列，当该多轴磁传感器阵列被放置在电路卡上时，能够以高空间分辨率、减小的感测距离、更高的测量吞吐量、对运动的容忍、改进的温度测量、以及提高的良率来测量任意尺寸二维区域的多维磁场，该电路卡包括认证系统的一部分，该认证系统包括物理不可克隆函数(“PUF”)、衬底、随机分散在衬底中的多个磁化粒子、以及使用一个或更多个磁传感器阵列器件构造的PUF读取器，其中PUF读取器在紧邻磁化粒子的多个位置处测量磁场。可以将测量的磁场数据与先前登记的数据进行比较，以评估可靠性。 | ||||||
| 42 | 将金属纳米颗粒组合物从喷嘴分配到衬底上的方法 | CN202080054249.4 | 2020-07-28 | CN114206772A | 2022-03-18 | 马特乌什·扎亚测; 尤尔斯祖拉·诺瓦克; 彼得·科瓦尔蔡夫斯基; 菲利普·格拉内克; 扬·科塔尔斯基; 马西耶·泰贝尔; 西蒙·辛巴 |
| 披露了一种沿着衬底(110)上的轨迹分配金属纳米颗粒组合物的方法。首先，向喷嘴中的组合物施加初始压力以使组合物从出口流出。将喷嘴(200)定位在一定高度处使得组合物不会流到衬底上。其次，将喷嘴朝向衬底下降使得在出口与衬底(110)之间形成流体桥，并且向喷嘴(200)中的组合物施加经调整的压力。经调整的压力低于组合物继续从出口流出所需的压力。第三，从喷嘴(200)分配流体。向流体施加分配压力，同时使喷嘴沿着衬底(110)上的轨迹侧向移位。 | ||||||
| 43 | 基底的热引导的化学蚀刻及其实时监测 | CN202080034321.7 | 2020-03-19 | CN114041205A | 2022-02-11 | 杰里米·戈克里茨 |
| 控制基底蚀刻过程的方法(300)包括将基底的底表面或顶表面设置(301、302)成邻近一定体积的蚀刻流体，以产生蚀刻剂‑基底界面，以及经由空间受控的电磁辐射来加热(305)蚀刻剂‑基底界面。方法还包括将监测光束传输(303)穿过基底，基底和一定体积的蚀刻流体在监测光束的波长范围处是至少部分地透明的，以及在基底蚀刻过程期间，经由监测光束测量(304)基底表面的性质，以产生对于基底的实时测量性质。本文还公开了相应的蚀刻系统(100A‑100D)和计算机程序产品。 | ||||||
| 44 | 基板搬运装置 | CN202080045909.2 | 2020-02-28 | CN114008745A | 2022-02-01 | 吉田雅也; 田中佑治; 中原一 |
| 本发明的基板搬运装置具备：基座；臂；末端执行器，设置于臂的前端，并具有分支为两股的第1前端部和第2前端部；发光部；受光部；以及控制装置，控制臂的动作。控制装置控制臂的动作，使得在末端执行器的前端前进的光扫描容纳于FOUP的多张基板的边缘，并且根据在臂的动作中光与基板的相对的位置关系，比较在受光部连续地变化的输出值的测定波形的形状图案与比较用的基准波形的形状图案，并基于比较结果，诊断基板的状态、FOUP的状态以及末端执行器的状态中的至少一个状态。 | ||||||
| 45 | 使用胺-金属配合物和缓慢释放硫的前体合成发光2D层状材料 | CN201880008844.7 | 2018-01-25 | CN110300731B | 2021-11-30 | 史蒂文·丹尼尔斯 |
| 本发明公开了一种合成二维(2D)纳米粒子的方法，所述方法包括将第一纳米粒子前体和第二纳米粒子前体在一种或多种溶剂中混合以形成溶液，随后将溶液加热至第一温度，持续第一时间段，然后接着将溶液加热至第二温度，持续第二时间段，其中第二温度高于第一温度，以实现纳米粒子前体向2D纳米粒子的转化。在一个实施方案中，第一纳米粒子前体是金属‑胺配合物并且第二纳米粒子前体是缓释硫属元素源。 | ||||||
| 46 | 氧族硅环戊烷 | CN202080027501.2 | 2020-03-23 | CN113710677A | 2021-11-26 | B·C·阿克尔斯; R·J·利伯拉托尔; Y·帕恩 |
| 描述了一种新的化合物，称为氧族硅环戊烷。这些化合物是含有硅‑硒键或硅‑碲键的五元环结构，如式(I)和(II)所示。在这些化合物中，硅和环碳上的取代基可以是氢、烷基、烷氧基、芳香族或醚基。氧族硅环戊烷化合物与羟基和其他质子官能团发生开环反应，可用于制备适用于ALD和CVD等薄膜沉积技术的基底。 | ||||||
| 47 | 用于形成多层水平NOR型薄膜存储器串的方法 | CN201980080340.0 | 2019-12-04 | CN113169170A | 2021-07-23 | S.B.赫纳; W-Y.H.钱; J.周; E.哈拉里 |
| 各种方法克服了局限性，并且通过以下来实现出色的缩放(i)用具有较低挑战性的纵横比的两个或更多个蚀刻步骤替换高度挑战性的高纵横比的单个蚀刻步骤，并且涉及更宽和机械稳定性更高的有源条带，(ii)在高纵横比蚀刻步骤和后续处理步骤中使用电介质支柱来支撑和保持结构稳定性，或(iii)使用多个遮蔽步骤以提供具有较低挑战性的纵横比的两个或更多个蚀刻步骤，并且涉及更宽且机械稳定性更高的有源条带。 | ||||||
| 48 | MTJ器件中的锥形通孔结构 | CN201980081245.2 | 2019-12-17 | CN113169032A | 2021-07-23 | N.马查克; B.多里斯; P.哈什米 |
| 用于MRAM或基于MTJ的存储器单元的底部电极结构包括锥形，使得底部CD小于顶部CD。制造底部电极接触结构的工艺包括使用具有增加的聚合度的等离子体化学物质来蚀刻电介质层。获得了通过该工艺制成的产品。 | ||||||
| 49 | 用于接合薄化基片的方法 | CN201480057663.5 | 2014-12-18 | CN105960706B | 2021-07-23 | A.费库里 |
| 本发明涉及用于使第一基片(4)与第二基片(4')接合的方法，其中，第一基片(4)和/或第二基片(4')在接合之前薄化。基片(4,4')可为晶片、半导体基片、金属基片、矿物基片，尤其是蓝宝石基片、玻璃基片或聚合物基片。第一基片(4)和/或第二基片(4')被固定以用于在尤其是具有环形框架(2)的载体(3,3')的载体表面(3o,3o')上薄化和/或接合。第一基片(4)和第二基片(4')在基于基片(4,4')的对应对准标记接合之前与彼此对准且随后尤其是磁性地预固定。基片固定相应地具有用于相应地固定基片(4,4')的基片固定表面(9)，以及相应地具有围绕基片固定表面(9)的载体固定表面(8)或载体固定区域以用于基片固定的相互固定，其中尤其是载体固定表面(8)或载体固定区域为磁化的或可磁化的，或作为备选基片固定可借助于粘合物、借助于夹具、借助于插销系统或者静电地固定至彼此。 | ||||||
| 50 | 具有显示均匀性的集成天线 | CN201680049227.2 | 2016-08-23 | CN108028470B | 2021-06-04 | 柴玫; 索基·塞伽伊格博; 布莱斯·D·霍林; 梁太荣; 李官镐; 哈利·G·斯金纳; 阿南德·S·康那穆尔 |
| 一种具有集成天线的显示器，其具有跨显示器基本上均匀的透明度和/或光。该显示器可以具有均匀性层，该均匀性层是天线的光学平衡，其中，均匀性层和天线具有提供跨显示器基本上均匀的透明度的相应的光学透明度。该显示器还可以具有背光，该背光具有与天线的光学平衡相对应的表面亮度强度，并且被配置为提供跨显示器基本上均匀的光。 | ||||||
| 51 | 创建具有分布掺杂的半导体晶片的方法和含分布场的晶片 | CN201580078308.0 | 2015-10-14 | CN107408490B | 2021-05-25 | R.荣茨克; B.D.克南; G.D.S.赫德尔森; A.M.罗伦斯; E.M.萨赫斯 |
| 半导体晶片在包含掺杂剂的模具上形成。掺杂剂对邻近模具的熔体区域进行掺杂。在那里，掺杂剂浓度高于熔体块体中的掺杂剂浓度。晶片开始凝固。掺杂剂在固体半导体中不良地扩散。在晶片开始凝固之后，掺杂剂不能进入熔体。之后，邻近晶片表面的熔体中的掺杂剂的浓度小于晶片开始形成的地方存在的掺杂剂的浓度。新的晶片区域从其掺杂剂浓度随时间的推移减少的熔体区域生长。这在晶片中建立了掺杂剂梯度，邻近模具具有较高浓度。能够修整梯度。梯度产生能够起漂移场或背表面场的作用的场。太阳能收集器能够在背表面上具有开放栅格导体和更好的光学反射器，固有的背表面场使所述更好的光学反射器变得可能。 | ||||||
| 52 | 监视系统 | CN202011180793.1 | 2020-10-29 | CN112786434A | 2021-05-11 | 金子翔太; 大野繁实; 相良典秀 |
| 本发明提供监视用壳体将基片处理装置密闭、将上述密闭的空间用规定的气体气氛充满的密闭装置的监视系统，其包括：将上述壳体与上述基片处理装置之间的空间中的、人能够进入的区域作为检测区域的激光传感器；和控制装置，其基于上述激光传感器的检测结果对上述基片处理装置或上述密闭装置输出控制信号，或者输出基于上述检测结果的通知信号。本发明用壳体将基片处理装置密闭，来提高用规定的气体气氛充满密闭的空间的密闭装置的安全性。 | ||||||
| 53 | 形成离子传感器的方法 | CN201980054471.1 | 2019-08-16 | CN112585459A | 2021-03-30 | P.瓦戈纳; J.欧文斯; S.帕克 |
| 一种用于制造传感器的方法包含：蚀刻安置于衬底上方的绝缘层以限定暴露安置于所述衬底上的传感器的传感器表面的开口，从而在所述传感器表面上形成自然氧化物；在含氢气氛中对所述传感器表面进行退火，以及在不大于400℃的温度下在氧气气氛中对所述传感器表面进行退火。此外，可以在传感器表面的顶部形成保形导电层，从绝缘层的顶表面上去除所述保形导电层的部分，从而形成杯形电极，可以在含氢气氛中对所述杯形电极的所述顶表面进行退火，以及在不大于400℃的温度下在氧气气氛中对所述杯形电极的所述顶表面进行退火。 | ||||||
| 54 | 超导块、超导纳米晶体、超导器件及其方法 | CN201980028962.9 | 2019-03-11 | CN112262330A | 2021-01-22 | A·潘迪; D·K·塔帕; S·K·萨哈 |
| 本发明提供一种超导块，包括一对核，所述核的材料在其常态下具有导电性。该对核以居间的质心距离嵌入在壳中，所述壳的材料在其常态下具有导电性。嵌入的一对核和壳被构造成具有超导性。本发明还提供至少具有超导块的超导纳米晶体。本发明还提供至少具有超导块和超导纳米晶体的超导器件。本发明还提供一种制造超导块和超导晶体的方法。本发明提供超导体(超导块、超导纳米晶体)，其可用于在高温下获得超导性，该高温对应于地球环境中的温度甚至更高的温度。 | ||||||
| 55 | 使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法 | CN201980034576.0 | 2019-04-01 | CN112219287A | 2021-01-12 | T.卡米卡瓦; S.甘德罗图拉; H.李 |
| 一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。 | ||||||
| 56 | 具有集成电路的用于发电的系统和设备 | CN201780058785.X | 2017-09-18 | CN109792228B | 2020-09-15 | 罗杰·克莱德·韦伯; 玛丽亚·安娜·韦伯 |
| 一种用于发电的设备，包括太阳能电池板，太阳能电池板具有多个光伏电池，太阳能电池板还具有单独的MPPT装置或具有与DC/AC逆变器结合的MPPT装置，其中DC/AC逆变器与MPPT装置直接连接；以及多个散热器片以及热交换器。散热器片布置在太阳能电池板和热交换器之间。热交换器连接至循环系统，循环系统使得冷却剂流体流经热交换器。每个散热器片具有与光伏电池的对应一者直接热接触的第一侧和与热交换器接触的相对的第二侧。热交换器具有多个邻近散热器片布置的冷却剂室。第一热交换器具有邻近所述MPPT装置和/或DC/AC逆变器布置的至少一个第二冷却剂室。 | ||||||
| 57 | 具有含不同数量的纳米线或2D材料带的晶体管的存储单元和逻辑单元 | CN201580044065.9 | 2015-06-23 | CN106663594B | 2020-08-25 | J·卡瓦; V·莫洛兹 |
| 集成电路设计工具包括单元库。单元库包括用于多个单元的实体，单元库中的实体包括计算机可执行语言的特定单元的规格。单元库中的至少一个实体可以包括具有多个晶体管的存储单元的物理结构和定时参数的规范，多个晶体管中的至少一些晶体管具有包括一个或多个纳米线或2D材料带的相应集合的沟道，并且其中多个晶体管中的一个晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量不同于多个晶体管中的另一晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量。描述了包括存储单元的集成电路。 | ||||||
| 58 | 一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门 | CN201811390465.7 | 2018-11-21 | CN111207214A | 2020-05-29 | 不公告发明人 |
| 本发明提供一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门，阀门包括门体及设置在所述门体上的密封圈，门体的边缘具有凹槽，凹槽的底部宽度大于其开口部的宽度；密封圈设置在门体的凹槽中，密封圈为全氟化橡胶，密封圈的横截面具有使其与所述凹槽紧密配合的榫型结构。密封圈的密封本体的底部宽度大于门体凹槽的开口部宽度，密封圈会被箍在凹槽内，不易脱落。密封圈可以承受更高的工作极限温度，高温下不软化，不分解，低温下不硬化，不脆裂；使得半导体制造设备进入待机状态，再次开启阀门时，密封圈不会因高温软化、分解等粘结在腔室上与阀门脱离。上述密封圈结构简简单，体积较小，所需的安装空间较小，无需特殊的安装工具，使用相对方便。 | ||||||
| 59 | 含镓和氮激光源的智能可见光 | CN201880064002.3 | 2018-09-25 | CN111164732A | 2020-05-15 | 迈尔文·麦克劳林; 詹姆斯·W·拉林; 保罗·鲁迪; 弗拉德·诺沃特尼 |
| 一种被配置用于可见光通信的智能光源。所述光源包括控制器，所述控制器包括调制解调器，该调制解调器被配置为接收数据信号并基于该数据信号生成驱动电流和调制信号。此外，所述光源包括光发射器，所述光发射器被配置为泵浦光装置，以接收驱动电流，用于产生具有紫外或蓝色波长范围内的第一峰值波长的定向电磁辐射，使用调制信号调制所述定向电磁辐射，以携带数据信号。此外，所述光源包括：路径，被配置为引导定向电磁辐射；以及波长转换器，光学耦合到所述路径，以接收定向电磁辐射并输出白色光谱。此外，所述光源包括光束整形器，所述光束整形器被配置为引导白色光谱，以照明感兴趣目标并传输数据信号。 | ||||||
| 60 | 集成电路单元中的纳米线或2D材料带互连件 | CN201580044064.4 | 2015-06-23 | CN106663593B | 2020-05-08 | V·莫洛兹; J·卡瓦 |
| 集成电路设计工具包括单元库。单元库包括用于多个单元的实体，单元库中的实体包括计算机可执行语言的特定单元的规格。单元库中的至少一个实体可以包括具有多个晶体管的存储单元的物理结构和定时参数的规范，多个晶体管中的至少一些晶体管具有包括一个或多个纳米线或2D材料带的相应集合的沟道，并且其中多个晶体管中的一个晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量不同于多个晶体管中的另一晶体管的沟道具有的纳米线或2D材料带的数量。描述了包括存储单元的集成电路。 | ||||||
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