| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 在区域熔融提拉系统中生产单晶硅棒的装置和方法 | CN202280021438.0 | 2022-03-01 | CN116981800A | 2023-10-31 | P·莫斯 |
| 本发明涉及一种在用于区域熔融的提拉系统中提拉单晶硅棒的方法和装置，该方法包括以下步骤：(1)提供由硅制成的坯料棒，该坯料棒在一端包括方位凹槽；(2)附接下部部分，该下部部分包括三个夹持臂，每个夹持臂被成形为使得一端装配到所述坯料棒的方位凹槽中并且另一端可旋转地附接至该下部部分；(3)将下部部分与坯料棒一起悬置于上部部分上，该上部部分包括连接元件，该连接元件被连接到区域熔融提拉系统的提拉轴，使得上部部分和下部部分径向上彼此互锁地连接，上部部分包括用于径向定向的元件，三个长度可调的间隔元件被附接至上部部分，使得间隔元件向相应的夹持臂施加力；(4)移动用于径向定向的元件，使得坯料棒的在凹槽所处的端部处的旋转轴线对应于提拉轴的旋转轴线地定位；(5)设置长度可调的间隔元件，使得坯料棒的在远离凹槽的端部处的旋转轴线对应于提拉轴的旋转轴线；(6)提拉单晶棒的锥形部分；(7)提拉单晶棒的圆柱形部分。 | ||||||
| 2 | 一种垂直区熔下降法制备钛酸镧晶体的方法 | CN202111530746.X | 2021-12-14 | CN114182347A | 2022-03-15 | 金敏; 李泉; 袁海龙; 王昂 |
| 本发明涉及C30B晶体生长技术领域，更具体地，本发明提供了一种垂直区熔下降法制备钛酸镧晶体的方法。本发明以TiO2和La2O3作为初始原料，通过区域加热，严格控制结晶过程中保温时间、晶体生产的温度梯度、坩埚逐步下降的速度，制备得到钛酸镧晶体具有优异的纯度和产率，最重要的是本方案提出了对钛酸镧进行局部加热的技术，在保证钛酸镧晶体具有优异产率和纯度的基础上，显著降低了能源的消耗，绿色环保，符合节能减排的现代工业研发理念，适合工业级大规模的生产推广，在光学蒸镀材料领域具有潜在的应用价值。 | ||||||
| 3 | 用于半导体晶棒拉晶的区熔炉及拉晶区域熔炼方法 | CN202010654962.4 | 2020-07-09 | CN111748842B | 2022-02-22 | 阮秀清; 阮秀沧 |
| 本发明提供了一种用于半导体晶棒拉晶的区熔炉，包括：固定组件，用于将密封有半导体晶棒（16）的石英管（15）竖直悬空固定；环形的加热组件（14），其设置有一让所述石英管（15）穿过的通孔（141），所述加热组件（14）沿垂直方向的加热厚度为25±3mm；传动组件，用于在所述加热组件（14）工作时带动所述加热组件（14）从所述石英管（15）的底部匀速上升到顶部。本发明还提供一种半导体晶棒的拉晶区域熔炼方法。 | ||||||
| 4 | 单晶的制造方法和装置 | CN201780047576.5 | 2017-07-06 | CN109563637B | 2021-01-22 | 西冈研一 |
| 本发明的课题在于在基于FZ法的硅单晶的制造中防止切换为基于支撑机构的支撑之后产生晶体弯曲。解决方案为，具有：一边使以一点支撑晶种(2)的下端的晶轴(13)旋转，一边使单晶(3)向晶种(2)的上方生长的步骤；在单晶(3)生长为规定的晶体形状的阶段，使支撑机构与单晶(3)的锥形部(3b)的外周面抵接而由基于晶轴(13)的支撑切换为基于支撑机构的支撑的步骤；在完成切换为基于支撑机构的支撑的操作之后，以固定支撑机构的垂直方向的位置的状态使晶轴(13)下降而增强支撑机构对单晶(3)的压入的步骤；和一边以支撑机构支撑单晶(3)一边使单晶(3)生长的步骤。 | ||||||
| 5 | 在根据FZ方法结晶单晶期间支撑生长单晶的方法 | CN201510532939.7 | 2015-08-27 | CN105386120B | 2018-07-17 | K·尼德雷尔; H·泰罗德; J·贝格尔; G·迈斯特恩斯特; F·穆姆勒; S·齐特泽尔斯伯格 |
| 一种在根据FZ方法结晶单晶期间经由支撑本体在单晶的锥形区段的区域中支撑生长单晶的方法。所述方法包括在支撑本体的第一材料变软的温度下使支撑本体压靠生长单晶的锥形区段，并且继续使支撑本体压靠生长单晶的锥形区段，直到所述第一材料和支撑本体的在所述温度下仍然硬的第二材料触碰生长单晶的锥形区段。 | ||||||
| 6 | 区熔单晶炉下轴运动机构 | CN201210349359.0 | 2012-09-19 | CN102877118B | 2015-05-20 | 欧阳鹏根; 石刚; 傅林坚; 曹建伟; 陈明杰; 王丹涛; 邱敏秀 |
| 本发明涉及非金属晶体的制造设备，旨在提供一种区熔单晶炉的下轴运动机构。该下轴运动机构包括外轴、支撑框、驱动丝杆、丝杆驱动电机、驱动托盘、花键轴、花键轴驱动电机、外轴旋转皮带轮组、外轴轴承、轴承仓组件和轴承仓旋转皮带轮组。本发明采用内、外轴联动的形式，可实现外轴的旋转和升降运动、内轴的升降运动和与外轴同步的旋转运动，能够满足区熔单晶炉籽晶引晶、晶体生长和旋转运动等生长要求，且运动可靠平稳，密封性能好，为区熔炉稳定拉制单晶提供保证。 | ||||||
| 7 | 生产单晶的方法和设备 | CN200780052807.8 | 2007-04-13 | CN101680108A | 2010-03-24 | P·瓦本加德; A·尼尔森; T·L·拉尔森; J·E·彼德森; L·詹森 |
| 公开了一种用于生产单晶的方法，包括：使多晶棒(1)通过加热区域12)以产生熔融区(3)，向所述熔融区施加磁场，和通过熔融材料在单晶种(4)上的凝固而引发单晶(5)的生长。生长中的单晶以在顺时针和逆时针旋转方向之间交替的模式旋转。所述方法对于生产具有均匀电特性的硅单晶是有用的。也公开了用于实施所述方法的设备。 | ||||||
| 8 | 用于制造单晶棒的设备和方法 | CN200480004015.X | 2004-02-06 | CN1748049A | 2006-03-15 | L·延森; J·E·彼得森; P·瓦本加德 |
| 一种用于由多晶馈送棒(3)制造单晶棒(2)的设备(1)，所述设备(1)包括一个封闭的腔室(4)，馈送棒(3)位于该腔室(4)中，所述腔室(4)包括一个围绕馈送棒(3)设置的环形的能量供应装置(5)，用于使该棒的一端(23)熔融，用以制备单晶体，所述设备包括用于馈送棒(3)的轴向移动的第一移动装置(6)、和用于馈送棒(3)和环形能量供应装置(5)之间的相对旋转运动的第二移动装置(7)。该设备(1)包括：一个监视系统(8)，用于记录馈送棒(3)的表面(9)和与能量供应装置(5)相关的环形径向向内的参照面之间的距离；以及一个用于调整距离的第三移动装置(10)。因此，实现了能够用于不规则馈送棒的设备和方法，所述不规则馈送棒呈现出除理想的圆柱形形状之外的其它形状，所述设备和方法还能够用于具有不规则表面的弯曲的圆柱形和椭圆形的棒。 | ||||||
| 9 | 一种用于磷化铟单晶生长的装置及方法 | CN202110855053.1 | 2021-07-26 | CN113512760B | 2024-12-20 | 罗福敏; 柯尊斌; 王卿伟 |
| 本发明公开了一种用于磷化铟单晶生长的装置及方法，用于磷化铟单晶生长的装置，包括筒体、承接座、加热器、坩埚托和石英管；筒体侧壁的顶部和底部分别开设有上、下气孔；筒体内侧设有两根竖直、且相对设置的导轨；筒体的顶部和底部分别使用上、下法兰面密封；承接座设在筒体内的下法兰上；加热器为四区的圆柱形电阻加热器；加热器的两侧分别通过连接件滑动连接在两根导轨上；承接座上设有电机，电机驱动加热器沿导轨上下移动；坩埚托安装在承接座上、且从加热器底部伸入加热器内侧，加热器可相对坩埚托上下移动；石英管位于加热器内侧的坩埚托上，石英管的顶部用石英帽密封。本发明降低了单晶的生长温度，显著提高了单晶质量和成晶率。 | ||||||
| 10 | 单晶的制造方法和装置 | CN201780047576.5 | 2017-07-06 | CN109563637A | 2019-04-02 | 西冈研一 |
| 本发明的课题在于在基于FZ法的硅单晶的制造中防止切换为基于支撑机构的多点支撑之后产生晶体弯曲。解决方案为，具有：一边使以一点支撑晶种(2)的下端的晶轴(13)旋转，一边使单晶(3)向晶种(2)的上方生长的步骤；在单晶(3)生长为规定的晶体形状的阶段，使支撑机构(16a)与单晶(3)的锥形部(3b)的外周面抵接而由基于晶轴(2)的支撑切换为基于支撑机构(16a)的支撑的步骤；在完成切换为基于支撑机构(16a)的支撑的操作之后，以固定支撑机构(16a)的垂直方向的位置的状态使晶轴(13)下降而增强支撑销(16a)对单晶(3)的压入的步骤；和一边以支撑机构(16a)支撑单晶(3)一边使单晶(3)生长的步骤。 | ||||||
| 11 | 一种蓝宝石晶体生长炉及制备蓝宝石晶体的方法 | CN201510978870.0 | 2015-12-24 | CN105350069A | 2016-02-24 | 周森安; 李豪; 徐军; 吴锋; 唐慧丽; 安俊超; 李县辉 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及制备蓝宝石晶体的方法，包括炉体、真空机组及发热体，真空机组与炉体内部连通，发热体设置在炉体内，炉体内还设有隔热屏、温区分隔板、温度传感器、料盘及传动机构，本发明通过温区分隔板将隔热屏围成的空间分割成多个相对独立的温区，每个温区独立加热、独立测温、独立控制，通过不同温区的温度控制实现炉膛在水平或竖直方向上呈现一定的温度梯度，通过移动坩埚，或在坩埚、发热体、晶体都不动的情况下控制不同温区的温度实现温场的温度梯度不断移动，从而满足晶体长晶界面温度梯度的需要并实现晶体不断生长，可以制备大尺寸板状单晶，且晶体生长周期短、成品率高、生产成本低。 | ||||||
| 12 | 结晶设备、结晶方法及制造有机发光显示装置的方法 | CN201110344773.8 | 2011-11-04 | CN102554459B | 2015-07-22 | 朴喆镐 |
| 本发明提供一种结晶设备、结晶方法及制造有机发光显示装置的方法。所述结晶设备使用连续横向固化(SLS)并使形成在基板上的非晶硅层结晶，所述结晶设备包括激光产生装置、第一光学系统、第二光学系统以及路径切换构件。所述激光产生装置被配置为发射激光束。所述第一光学系统被配置为处理从所述激光产生装置发射的激光束并将处理后的激光束照射到所述基板上。所述第二光学系统与所述第一光学系统平行，并且被配置为处理从所述激光产生装置发射的激光束并将处理后的激光束照射到所述基板上。所述路径切换构件被配置为切换从所述激光产生装置发射的激光束的路径并将所述激光束交替分配到所述第一光学系统和所述第二光学系统。 | ||||||
| 13 | 具备水冷却功能的区熔炉上轴 | CN201210349312.4 | 2012-09-19 | CN102912419B | 2015-05-20 | 傅林坚; 曹建伟; 陈明杰; 王丹涛; 石刚; 欧阳鹏根; 邱敏秀 |
| 本发明涉及一种非金属晶体制造设备，旨在提供一种具备水冷却功能的区熔炉上轴。该区熔炉上轴包括圆柱状主轴和挂料盘，所述主轴呈中空状，其上端部设上端盖，其下端部设主轴内芯；主轴内芯的底边与主轴的底边相接，其主体部分伸入至主轴内部且与主轴的内壁之间紧密配合；主轴内芯的底部由下端盖封闭，一个护套芯轴穿过下端盖中心，其一端接至主轴内芯的中心，另一端则接至挂料盘的中心；所述上端盖上设有进水通道和出水通道，进水通道或出水通道与一根通水钢管相接，通水钢管的另一端延伸至主轴内芯上端。本发明具有优良的水冷系统，可保证上轴运动的平稳，还可有效降低拉晶时熔融多晶料对上轴温度的影响，保护密封件。 | ||||||
| 14 | 一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置 | CN201210050673.9 | 2012-02-29 | CN102534754B | 2014-11-12 | 欧阳鹏根; 石刚; 傅林坚; 曹建伟; 陈明杰; 王丹涛; 邱敏秀; 蒋庆良 |
| 本发明涉及非金属晶体的制造设备，旨在提供一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置。该装置包括反射环和主炉室窗口法兰；反射环外侧环设空心冷却管，冷却管的两端接至窗口法兰上的金属密封接头；金属密封伸出窗口法兰的外壁作为冷却水进出口；冷却管固定在位于竖直光轴上的支架一端；支架上还设有啮合的竖直提升丝杆，传动轴与提升丝杆通过锥齿轮对实现连接。本发明实现了区熔炉炉膛内部反射环的升降运动，运动可靠平稳，并能实现前后调整，方便反射环和加热线圈的对心，能够在熔区下形成有利的热场，提高单晶质量。通过调整反射环位置能够对单晶起到保温作用，降低晶体内部热应力，防止单晶因过冷而出现裂纹等缺陷。 | ||||||
| 15 | 一种用于区熔炉的内轴运动装置 | CN201210338650.8 | 2012-09-13 | CN102912421A | 2013-02-06 | 周鹏; 张继宏; 徐振斌; 王军 |
| 本发明涉及内轴运动装置，特别涉及一种用于区熔炉的内轴运动装置，其特征在于，包括：外轴，其里侧有内孔；固定导向套，其与外轴内孔固定；轴承座，其位于固定导向套的下端，内装有调心球轴承；内轴，其穿过固定导向套与轴承座上端连接；滚珠花键轴，其与轴承座下端连接；滚珠丝杠轴，其上端与滚珠花键轴连接，下端与旋转同步带连接；其中，内轴的旋转由外轴的旋转驱动。本发明中当一台电机带动外轴旋转时，内轴随之旋转；另一台电机驱动旋转同步带进而带动滚珠丝杠轴转动，滚珠丝杠轴将转动变成直线运动，使滚珠花键轴移动，带动内轴轴向直线移动。本发明通过增加阻尼以减小震动，提高内轴运动的稳定性，改善内轴和外轴的同心度，更有利于成晶。 | ||||||
| 16 | 具备水冷却功能的区熔炉上轴 | CN201210349312.4 | 2012-09-19 | CN102912419A | 2013-02-06 | 傅林坚; 曹建伟; 陈明杰; 王丹涛; 石刚; 欧阳鹏根; 邱敏秀 |
| 本发明涉及一种非金属晶体制造设备，旨在提供一种具备水冷却功能的区熔炉上轴。该区熔炉上轴包括圆柱状主轴和挂料盘，所述主轴呈中空状，其上端部设上端盖，其下端部设主轴内芯；主轴内芯的底边与主轴的底边相接，其主体部分伸入至主轴内部且与主轴的内壁之间紧密配合；主轴内芯的底部由下端盖封闭，一个护套芯轴穿过下端盖中心，其一端接至主轴内芯的中心，另一端则接至挂料盘的中心；所述上端盖上设有进水通道和出水通道，进水通道或出水通道与一根通水钢管相接，通水钢管的另一端延伸至主轴内芯上端。本发明具有优良的水冷系统，可保证上轴运动的平稳，还可有效降低拉晶时熔融多晶料对上轴温度的影响，保护密封件。 | ||||||
| 17 | 一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置 | CN201210050673.9 | 2012-02-29 | CN102534754A | 2012-07-04 | 欧阳鹏根; 石刚; 傅林坚; 曹建伟; 陈明杰; 王丹涛; 邱敏秀; 蒋庆良 |
| 本发明涉及非金属晶体的制造设备，旨在提供一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置。该装置包括反射环和主炉室窗口法兰；反射环外侧环设空心冷却管，冷却管的两端接至窗口法兰上的金属密封接头；金属密封伸出窗口法兰的外壁作为冷却水进出口；冷却管固定在位于竖直光轴上的支架一端；支架上还设有啮合的竖直提升丝杆，传动轴与提升丝杆通过锥齿轮对实现连接。本发明实现了区熔炉炉膛内部反射环的升降运动，运动可靠平稳，并能实现前后调整，方便反射环和加热线圈的对心，能够在熔区下形成有利的热场，提高单晶质量。通过调整反射环位置能够对单晶起到保温作用，降低晶体内部热应力，防止单晶因过冷而出现裂纹等缺陷。 | ||||||
| 18 | 用于制造单晶棒的设备和方法 | CN200480004015.X | 2004-02-06 | CN1328416C | 2007-07-25 | L·延森; J·E·彼得森; P·瓦本加德 |
| 一种用于由多晶馈送棒(3)制造单晶棒(2)的设备(1)，所述设备(1)包括一个封闭的腔室(4)，馈送棒(3)位于该腔室(4)中，所述腔室(4)包括一个围绕馈送棒(3)设置的环形的能量供应装置(5)，用于使该棒的一端(23)熔融，用以制备单晶体，所述设备包括用于馈送棒(3)的轴向移动的第一移动装置(6)、和用于馈送棒(3)和环形能量供应装置(5)之间的相对旋转运动的第二移动装置(7)。该设备(1)包括：一个监视系统(8)，用于记录馈送棒(3)的表面(9)和与能量供应装置(5)相关的环形径向向内的参照面之间的距离；以及一个用于调整距离的第三移动装置(10)。因此，实现了能够用于不规则馈送棒的设备和方法，所述不规则馈送棒呈现出除理想的圆柱形形状之外的其它形状，所述设备和方法还能够用于具有不规则表面的弯曲的圆柱形和椭圆形的棒。 | ||||||
| 19 | 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置 | CN202310206227.0 | 2023-03-02 | CN116121847B | 2024-11-26 | 田庆华; 何志强; 许志鹏; 郭学益 |
| 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置，区熔过程的气氛为氢气气氛或氢气和惰性气体混合气氛；沿碲锭长度方向依次设置三个加热器，位于两侧的加热器的加热温度为630℃‑660℃，位于中间的加热器的加热温度为680℃‑710℃；采用根据区熔次数改变熔区移动速率。本发明还包括所述实施区熔制备超高纯碲的方法的生产装置，本发明采用变熔区移动速率的操作方式，提高了碲区熔过程中杂质的脱除效率，同时缩短了提纯周期。产品纯度达到7N碲标准；在该区熔过程中采用三加热器协同控温，使熔区界面平整。提高了区熔过程中杂质的迁移效率，从而杂质脱除率得到有效提高。 | ||||||
| 20 | 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置 | CN202310206227.0 | 2023-03-02 | CN116121847A | 2023-05-16 | 田庆华; 何志强; 许志鹏; 郭学益 |
| 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置，区熔过程的气氛为氢气气氛或氢气和惰性气体混合气氛；沿碲锭长度方向依次设置三个加热器，位于两侧的加热器的加热温度为630℃‑660℃，位于中间的加热器的加热温度为680℃‑710℃；采用根据区熔次数改变熔区移动速率。本发明还包括所述实施区熔制备超高纯碲的方法的生产装置，本发明采用变熔区移动速率的操作方式，提高了碲区熔过程中杂质的脱除效率，同时缩短了提纯周期。产品纯度达到7N碲标准；在该区熔过程中采用三加热器协同控温，使熔区界面平整。提高了区熔过程中杂质的迁移效率，从而杂质脱除率得到有效提高。 | ||||||
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