子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途 | CN202410754351.5 | 2024-06-12 | CN118727144B | 2025-04-01 | 方忠庆; 张佳晨; 起晓燕; 余春莹; 姜秉成; 马婉茹 |
| 本发明公开了一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途，本发明利用激光加热基座法生长高热导率Er3+掺杂β‑Ga2O3晶体，解决β‑Ga2O3单晶生长的困境。此外，在β‑Ga2O3晶体共掺入去激活离子Eu3+解决Er3+(4I11/2→4I13/2)四能级系统激光通道下能级的阻塞，该高热导氧化镓激光晶体具有掺杂浓度适中、低声子能量、高热导率等激光特性，可作为2.6‑3μm波段中红外激光材料应用于全固态激光器中。 | ||||||
| 2 | N型超高纯锗单晶的制备方法 | CN202411828733.4 | 2024-12-12 | CN119710923A | 2025-03-28 | 赵青松; 顾小英; 牛晓东; 狄聚青; 罗旭 |
| 一种N型超高纯锗单晶的制备方法包括步骤：S1，采用区熔方法区熔超高纯锗，经低温霍尔检测，选合格产品A，其导电类型为P型、净载流子浓度|NA‑ND|≤1E10cm‑3；S2，采用正常的直拉法生长超高纯锗晶体，低温霍尔测试，选导电类型为N型、净载流子浓度|NA‑ND|在E11～E13cm‑3范围的作为区熔掺杂剂Y；S3，进行二次区熔，步骤S1的区熔产品A和步骤S2的区熔掺杂剂Y一起放入石英舟内多次区熔，得高纯锗多晶棒，低温霍尔测试，选导电类型为N型，净载流子浓度|NA‑ND|≤2E10cm‑3的部分作为晶体掺杂剂W；S4，进行N型超高纯锗单晶制备，步骤S1的区熔产品A和步骤S3的晶体掺杂剂W一起放入坩埚内进行正常的直拉法晶体生长，低温霍尔测试，得|NA‑ND|≤2E10cm‑3的N型超高纯锗单晶。 | ||||||
| 3 | 一种区熔炉连续拉晶装置 | CN202411050761.8 | 2024-08-01 | CN118996601B | 2025-03-14 | 胡动力; 黎志欣; 王人松; 贾新旺; 岳增可 |
| 本发明属于区熔炉拉晶技术领域，具体的说是一种区熔炉连续拉晶装置，包括升降式加热器，多晶材料的下端设置有籽晶，籽晶安装在底座上端，区熔炉炉体的最上端活动安装有炉顶，区熔炉炉体的内部安装有两个辅助拉晶装置，区熔炉炉体的内部开设有工作腔，通过工作腔顶部的高温气体会沿着内辅助腔与工作腔的间隙出进入到内辅助腔内部，这时高温气体处于内辅助腔的内顶部，升降组件下降，将内辅助腔内顶部的高温气体下压至与升降式加热器差不多的水平高度位置，此时这些高温气体通过集成板内部开设的透气孔进入到工作腔内部，且高温气体经过了升降式加热器，有高温气体的辅助下，可以让升降式加热器更快的熔融多晶材料。 | ||||||
| 4 | 一种用于区熔炉内轴稳定运行的连接装置 | CN202411658418.1 | 2024-11-19 | CN119593054A | 2025-03-11 | 付斌 |
| 本发明公开了一种用于区熔炉内轴稳定运行的连接装置。该连接装置设置于区熔炉内轴下端与外轴内壁之间的间隙处，包括压力轴承、滚针轴承、轴承隔环、轴承套、轴承压盖、卡簧、定位套；滚针轴承和压力轴承沿内轴轴向间隔配置，滚针轴承与压力轴承之间设置轴承隔环，轴承套设置在滚针轴承和压力轴承外部，轴承套下端通过压盖螺钉与轴承压盖固定连接；在压力轴承上端及轴承压盖下端与内轴连接处分别设有卡簧；轴承套外周通过定位套与外轴内壁紧配合。本发明能够提升单晶在生产中的稳定性，防止单晶在正常生长时因受自身重力和旋转阻力影响造成不可复的损耗，提高单晶的完整实收率，降低原料的损失，提高生产效率。 | ||||||
| 5 | 一种稀土掺杂镓酸钇激光材料及其制备方法与应用 | CN202411963123.5 | 2024-12-30 | CN119352160B | 2025-03-11 | 张会丽; 孙敦陆; 权聪; 程毛杰; 董昆鹏; 陈玙威; 王镇涛; 李泓沅; 豆世纪 |
| 本发明涉及一种稀土掺杂镓酸钇激光材料及其制备方法与应用，属于中红外激光增益材料技术领域。本发明所提供的稀土掺杂镓酸钇激光材料为RExY1‑xGaO3，其中RE为Er、Ho、Dy中的至少一种，x符合0＜x＜1。本发明还提供了上述激光材料的制备方法及其在中红外激光增益中的应用：通过设计合理的温场结构、生长工艺参数、掺杂浓度等，制备得到高光学质量的中红外激光晶体材料，该晶体材料实现的中红外波段激光在医疗、环境监测、国防及科学研究等领域有着重要的应用前景。 | ||||||
| 6 | 一种用于区熔硅棒热应力消除的微波加热装置及工艺 | CN202411800829.X | 2024-12-09 | CN119530986A | 2025-02-28 | 陈辉; 员俊辉; 王炎涛; 聂冬冬; 孙金照 |
| 一种用于区熔硅棒热应力消除的微波加热装置及工艺，其在区熔硅棒的生产制备过程中，采用在特定阶段微波精细调控式加热的方式，在停炉后对区熔硅棒进行了有效地热应力消除，具有加热速度快、加热均匀、控制精确、安全环保等优势，可有效缩短生产周期、降低生产成本，并提高生产效率和产品质量。 | ||||||
| 7 | 一种稀土掺杂镓酸钇激光材料及其制备方法与应用 | CN202411963123.5 | 2024-12-30 | CN119352160A | 2025-01-24 | 张会丽; 孙敦陆; 权聪; 程毛杰; 董昆鹏; 陈玙威; 王镇涛; 李泓沅; 豆世纪 |
| 本发明涉及一种稀土掺杂镓酸钇激光材料及其制备方法与应用，属于中红外激光增益材料技术领域。本发明所提供的稀土掺杂镓酸钇激光材料为RExY1‑xGaO3，其中RE为Er、Ho、Dy中的至少一种，x符合0＜x＜1。本发明还提供了上述激光材料的制备方法及其在中红外激光增益中的应用：通过设计合理的温场结构、生长工艺参数、掺杂浓度等，制备得到高光学质量的中红外激光晶体材料，该晶体材料实现的中红外波段激光在医疗、环境监测、国防及科学研究等领域有着重要的应用前景。 | ||||||
| 8 | 一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法 | CN202411348730.0 | 2024-09-26 | CN119320991A | 2025-01-17 | 刘庆元; 帅世荣; 左林森; 李阳; 李俊; 蒋金秀; 魏源; 蒋行; 杨天颖; 刘进; 肖礼康 |
| 本发明公开了一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用高温高压光学浮区法生长石榴石Y3Fe5‑xGaxO12单晶，相比于传统助熔剂法，该方法可有效避免元素分凝现象对掺杂均匀性的影响，其制备的Y3Fe5‑xGaxO12单晶材料具有良好的掺杂均匀性，其饱和磁化强度一致性高，几乎不存在梯度分布，可应用于对单晶材料品质要求较高的YIG振荡器、磁光隔离器中。 | ||||||
| 9 | 一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途 | CN202410754351.5 | 2024-06-12 | CN118727144A | 2024-10-01 | 方忠庆; 张佳晨; 起晓燕; 余春莹; 姜秉成; 马婉茹 |
| 本发明公开了一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途，本发明利用激光加热基座法生长高热导率Er3+掺杂β‑Ga2O3晶体，解决β‑Ga2O3单晶生长的困境。此外，在β‑Ga2O3晶体共掺入去激活离子Eu3+解决Er3+(4I11/2→4I13/2)四能级系统激光通道下能级的阻塞，该高热导氧化镓激光晶体具有掺杂浓度适中、低声子能量、高热导率等激光特性，可作为2.6‑3μm波段中红外激光材料应用于全固态激光器中。 | ||||||
| 10 | 结晶制造方法、结晶制造装置及单晶 | CN202210252469.9 | 2022-03-15 | CN115125608B | 2024-09-03 | 川崎克己; 有马润; 藤田实; 平林润 |
| 本发明提供一种结晶制造方法，其中，首先，将具备前端变细的前端部(1A)的原料(1)配置于结晶生长区域(2U)的上方；接着，将前端部(1A)的侧面在维持前端部(1A)的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融，从该侧面熔融的材料将前端部(1A)的侧面和结晶生长区域(2U)的上表面物理连接。在结晶制造装置中，原料熔融用辐射热是从电阻加热器(R)放射的。 | ||||||
| 11 | 一种同步提升力学性能和热电性能的碲化铋基热电材料的制备方法 | CN202310972157.X | 2023-08-03 | CN117166039B | 2024-07-09 | 苏贤礼; 陈硕; 唐新峰; 李睿英; 郜顺奇 |
| 本发明涉及热电半导体材料领域，针对区熔法制备的碲化铋基热电材料热电性能和力学性能较差的问题，提供了一种同步提升热电性能和力学性能的碲化铋基热电材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备均匀性良好的高性能区熔棒材；(2)将步骤(1)得到的区熔棒材在450‑500℃进行热成型，得到热挤压的前驱体；(3)将步骤(2)得到的挤压前驱体在400‑550℃进行热挤压。本发明避免了区熔棒材的破碎过程，有效避免类施主效应的发生，材料制备过程在空气中进行，简化了材料的生产工艺，节约生产成本；而且，本发明中的热挤压棒材晶粒细化，压缩强度和弯曲强度大幅提升，材料的加工性能良好，由于缺陷结构的引入和晶粒的细化，材料的热导率降低，热电性能显著提高。 | ||||||
| 12 | Sb掺质β-Ga2O3晶体材料、其制备方法和用途 | CN202211650798.5 | 2022-12-21 | CN118223126A | 2024-06-21 | 夏长泰; 齐红基; 李百中; 陈端阳 |
| 材Sb本发明提供料的掺质分子式β‑GaSb2O为掺质3晶体(Sbβ‑x材GaGa料21O‑含x3)晶体材料2有O3Sb，其5+中，、所述2其制备方法和×10Sb‑掺9≤质xβ≤‑0.01。在掺质离子进入晶格浓度相同的前提下，相比掺质其他元素，本发明的Sb掺质β‑Ga2O3晶体材料可以获得更高的载流子浓度。 | ||||||
| 13 | 检测块状多晶硅杂质的装置及其用途、检测方法 | CN202210553776.0 | 2022-05-20 | CN114808110B | 2024-06-14 | 神干; 李明峰; 田新; 蒋文武; 张天雨 |
| 本发明公开了检测块状多晶硅杂质的装置及其用途、检测方法。该装置包括区熔炉，区熔炉包括硅棒基底、硅棒底座、第一籽晶旋转固定件、加热线圈和旋转支撑部。硅棒基底上部设有凹槽；硅棒底座设在所述硅棒基底下部并支撑所述硅棒基底；第一籽晶旋转固定件包括第一螺杆和第一籽晶夹头，设在区熔炉上部；加热线圈设在第一籽晶旋转固定件与硅棒基底之间，且加热线圈在水平面上的投影位于硅棒基底在水平面上的投影区域外；旋转支撑部设在所述区熔炉底部并支撑所述硅棒底座。该装置结构简单、操作方便，能够实现块状多晶硅向多晶硅棒的转变，进而通过对多晶硅棒杂质含量进行检测能获得块状多晶硅的杂质含量，具有检测结果准确度高且易于实现的优点。 | ||||||
| 14 | 多晶硅棒及多晶硅棒的制造方法 | CN202311388769.0 | 2023-10-25 | CN118005019A | 2024-05-10 | 吉田敦; 星野成大; 石田昌彦; 青山武; 山岸成俊; 金子良夫 |
| 本发明的一种多晶硅棒的直径为120mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为100％以下。本发明的另一种多晶硅棒的直径为140mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为150％以下。 | ||||||
| 15 | 一种铌酸锶钡晶体生长及退火工艺与其相变热释电能量转换应用 | CN202311759958.4 | 2023-12-20 | CN117779196A | 2024-03-29 | 张晨波; 张帆; 宋青松; 彭效通; 王无敌; 徐军; 唐慧丽; 薛艳艳; 王庆国 |
| 本发明属于热释电材料技术领域，涉及一种铌酸锶钡晶体及其制备方法与应用，制备方法包括：将锶源、钡源、铌源混合，固相烧结，冷等静压，二次烧结，光学浮区法加热，退火，得到铌酸锶钡晶体；其中，所述光学浮区法加热中，升温速率为70‑80℃/min至熔化形成悬浮熔区，晶体生长速率为3‑8mm/h；所述退火中，退火温度为1000‑1200℃，退火时间为8‑12h，退火气氛为空气或氧气。与现有技术相比，本发明中SrxBa1‑xNb2O6晶体材料能实现50～90℃温度范围内废热的电能转换。其相变热释电品质因子相较已有材料最高提升至14.92(μC)2·J‑1·cm‑1·K‑1，且工艺优化后漏电流密度较优化前大幅降低，可应用于废热利用与能源再生等领域。 | ||||||
| 16 | 一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用 | CN202210444405.9 | 2022-04-25 | CN114775056B | 2024-02-27 | 徐军; 李健达; 董建树; 王庆国; 唐慧丽; 薛艳艳 |
| 本发明涉及一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用，该晶体的化学式为Y(Sc1‑xCrx)O3，其中x的取值范围为0.00001‑0.3，该晶体属于立方晶系，晶胞参数为a＝b＝c＝10.18802，具有高的熔点(＞2000℃)、低的声子能量(400cm‑1)和优异的机械性能，采用浮区法或者导模法生长。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效可调谐和超快激光输出，通过啁啾脉冲放大(CPA)技术可使超短脉冲激光的峰值功率达到几十个拍瓦，几十亿电子伏特，甚至几万亿电子伏特的能量，是目前人类认知中最亮的光源。在这样的激光特性下，激光与物质的相互作用将会进入一个从未有过的强相对论性和高非线性的领域，将在激光聚变、离子加速、高能物理等方面有极大的应用潜力和价值。 | ||||||
| 17 | 一种悬浮区熔定向凝固装置及其方法 | CN202311685642.5 | 2023-12-11 | CN117385447B | 2024-02-23 | 张忠华; 冯绍; 凌继贝; 杨平 |
| 本发明涉及晶体生长领域,具体的为一种悬浮区熔定向凝固装置及其方法,其中一种悬浮区熔定向凝固装置包括炉体、多晶棒、籽晶柱和若干数量的高频线圈,炉体的横截面为圆形且炉体竖直设置,多晶棒插设于炉体中,多晶棒能够绕第一方向所在的直线转动。本发明设置了炉体、高频线圈、籽晶柱和限位机构,在多晶棒定向凝固成单晶棒的过程中,初次定向凝固后的单晶棒会被其经过的高频线圈再次区熔,从而使得最后从炉体底部获取到的单晶棒内部杂质更少,内部结构更加均匀,而且本方法更利于生产出较大长度的单晶棒,能够显著的提高生产效率。 | ||||||
| 18 | 一种基于免模具叠镦的p型多晶碲化铋基热电材料的制备方法 | CN202210836847.8 | 2022-07-15 | CN115287753B | 2024-02-02 | 胡晓明; 韩学武; 胡浩; 樊希安 |
| 本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，特别是一种基于免模具叠镦的p型多晶碲化铋基热电材料的制备方法。本发明通过铜辅助叠镦成型工艺，使得p型碲化铋基热电材料在不依靠模具的情况下，完成完整且均匀的定向塑性成形，实现高性能p型碲化铋基热电材料的制备，且制备所得产品力学与热电性能远高于定向凝固的单晶产品、常规粉末冶金制备的热压烧结产品。 | ||||||
| 19 | 锗器件及其制备方法 | CN202311380141.6 | 2023-10-23 | CN117431617A | 2024-01-23 | 王同波; 王云鹏; 娄花芬; 崔丁方; 莫永达; 孙燕; 子光平; 王苗苗; 伍晓菁; 李腾飞; 张姣 |
| 本发明提供了一种锗器件及其制备方法。该制备方法包括：将区熔锗原料在650～800℃下进行成型处理，得到锗器件。锗在室温下为脆性材料，难以通过塑性变形加工制备。本发明创新性探索出区熔锗材料的高温塑性成形温度窗口650～800℃，发现在该温度区间内锗具有优良的塑性，从而可以根据实际需要加工成任意形状的锗器件，有效避免传统工艺的加工效率低、高能耗、尺寸难以精确控制、产品致密度低、产品质量稳定性差等问题，进而极大地拓展了锗金属的应用范围，并提高了加工效率、降低了加工锗器件的成本。 | ||||||
| 20 | 一种利用硅切割废料和含铬废渣制备高纯Si-Cr合金的方法 | CN202311079408.8 | 2023-08-25 | CN117070755A | 2023-11-17 | 雷云; 李建周; 李展超; 龚哲; 马文会 |
| 本发明涉及一种利用硅切割废料和含铬废渣制备高纯Si‑Cr合金的方法，属于固废资源回收利用和材料制备技术领域。含铬废渣和造渣剂混合均匀的混合物，将混合物和硅切割废料在惰性气氛下进行高温还原熔炼，熔炼温度高于1803K，经渣金分离后分别得到Si‑Cr中间合金和无毒无害残渣；将得到的Si‑Cr中间合金加热到熔融状态，经真空或惰性气氛下进行电磁定向结晶或区域熔炼分离和提纯Si‑Cr中间合金，得到高纯Si和共晶Si‑Cr合金，或者高纯CrSi2和共晶Si‑Cr合金。本发明不仅能够同时处理硅切割废料和含铬废渣这两个固废资源得到Si‑Cr中间合金，而且能将Si‑Cr中间合金中的Si和Cr分离得到高纯CrSi2和共晶Si‑Cr合金，或者高纯Si和共晶Si‑Cr合金等高附加值产品，具有良好的综合社会效益和产业化前景。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈