子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 一种上液桥柱可旋转式液桥生成器 | CN201610400782.7 | 2016-06-08 | CN105908253A | 2016-08-31 | 梁儒全; 李湛; 王奎阳; 赵俊楠; 张硕; 李晓媛; 朱林阳; 杨硕 |
| 本发明提供一种上液桥柱可旋转式液桥生成器，包括支架，支架上部安装电机，电机正下方的支架上设有上液桥柱安装孔和上液桥柱卡槽，支架下部设有下液桥柱安装孔和下液桥柱卡槽，上液桥柱和下液桥柱分别通过上液桥柱安装孔和下液桥柱安装孔垂直安装并保持中心相对；所述上液桥柱包括上液桥柱杆、上盘和与上液桥柱卡槽外径相同的上液桥柱卡环，上液桥柱杆和上盘之间通过螺纹连接，上液桥柱卡环焊接在上液桥柱杆上；所述下液桥柱包括下液桥柱上杆、下液桥柱下杆、下盘和与下液桥柱卡槽外径及高度相同的下液桥柱卡环，下液桥柱上杆和下盘之间通过螺纹连接，下液桥柱上杆和下液桥柱下杆的连接处焊接下液桥柱卡环；所述电机的转动轴与上液桥柱杆连接。 | ||||||
| 102 | 一种多功能温度可控式液桥生成器 | CN201610400788.4 | 2016-06-08 | CN105839174A | 2016-08-10 | 梁儒全; 赵俊楠; 李湛; 王奎阳; 张硕; 李晓媛; 闫付强; 杨硕 |
| 一种多功能温度可控式液桥生成器，由支架、液桥生成装置、温控装置和冷却水箱四部分组成，所述液桥生成装置包括垂直中心线位于同一直线上的上桥柱和下桥柱，以及观察套管；所述上桥柱和下桥柱分别在支架上部的上桥柱安装孔和支架下部的下桥柱安装孔垂直安装，上桥柱由上均匀送气套管和上盘焊接组装，下桥柱由下盘和下均匀送气套管焊接组装；所述观察套管同轴套装于上均匀送气套管和下均匀送气套管外表面并紧密贴合；所述上桥柱安装孔侧方支架上设置有紧固螺钉；所述温控装置包括加热槽、加热棒、热电偶、温度控制器、继电器和电源，其中加热槽焊接于支架上方的上均匀送气套管外部；所述冷却水箱焊接于下均匀送气套管外部。 | ||||||
| 103 | 一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法 | CN201510876795.7 | 2015-12-03 | CN105369345A | 2016-03-02 | 安俊超; 徐军; 周森安; 吴锋; 唐慧丽; 李县辉; 李豪 |
| 本发明涉及一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法，该坩埚包括顶端开口的坩埚本体及与坩埚本体相匹配的顶盖，所述顶盖与坩埚本体底部平行，且坩埚本体可相对顶盖所在平面平行移动，所述坩埚本体由方形主体与三角端部对接组成，三角端部的尖端设有顶尖，顶尖内可放置籽晶，方形主体及三角端部内可放置晶体生长物料；采用顶盖可防止发热体损坏时或者其他物质掉到坩埚本体内时影响蓝宝石单晶体的质量，坩埚本体从熔融区移动到结晶区时，已生长好的蓝宝石单晶体暴漏在结晶区的低温空间内；使制备的蓝宝石单晶体具有热交换均匀充分的优点，可减少制备的蓝宝石单晶体的退火时间，减短蓝宝石单晶体的制备周期，降低蓝宝石单晶体的生产成本。 | ||||||
| 104 | 锰掺杂铽铁氧化物的磁性温敏材料及其单晶和多晶的制备方法 | CN201510851586.7 | 2015-11-30 | CN105332055A | 2016-02-17 | 方依霏; 张金仓; 崔晓鹏; 康健; 曹世勋 |
| 本发明公开了一种锰掺杂铽铁氧化物的磁性温敏材料及其单晶和多晶的制备方法，由Tb4O7、MnO2和Fe2O3粉末以固相反应法合成TbFe1-xMnxO3多晶材料，再由多晶材料用光学浮区炉法生长成单晶材料。本发明磁性温敏材料无须外加磁场辅助，磁转变温度敏感度高，磁转变临界温度可调节且可达到室温的材料，应用于磁温敏器件。本发明磁性温敏材料可通过改变配比获得磁转变临界温度范围在-264.65℃到25.85℃的不同材料，这种相变使得磁转变速度比传统的居里温度附近发生磁转变迅速得多，且在临界温度以上具有自发磁化，因此转变前后无需外加磁场诱导，本发明材料优于传统的依赖于居里温度附近磁转变的磁敏温度器件材料。 | ||||||
| 105 | 一种热电材料及其制备方法 | CN201310393941.1 | 2013-09-02 | CN103436729B | 2016-01-20 | 蒋俊; 肖昱琨; 吴萌蕾; 杨胜辉; 徐静涛; 李志祥; 许高杰 |
| 本发明提供了一种热电材料，包括Sm与Te元素，Sm元素与Te元素的原子比为1:1～1:4，并且该材料具有层状结构。该热电材料具有晶粒取向良好、热导率较低、致密度高、热电性能较好的特点。当在其中掺杂微量元素或者复合第二相时，能够进一步提高其热电转换效果。实验证实，该热电材料制备工艺简单，热电性能良好，因此具有良好的应用前景。 | ||||||
| 106 | 一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置 | CN201510679645.7 | 2015-10-19 | CN105200511A | 2015-12-30 | 孙昊; 刘铮; 涂颂昊; 郝大维; 王遵义; 刘琨; 郭宝川; 张雪囡; 由佰玲; 王彦君 |
| 本发明提供了一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置，包括外接压缩空气管道、内接压缩空气管道和清炉气盘，所述清炉气盘为一圆盘，所述圆盘一端面上设置有进气口，另一端面设置有若干个均匀分布的气孔，所述清炉气盘设置气孔的一端与炉体上设置的轴体一端固定连接，所述内接压缩空气管道一端与所述进气口相连，另一端固定在炉体上，所述外接压缩空气管道一端在所述炉体上与所述内接压缩空气管道相连，另一端与气源相连。本发明所述的用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置结构简单，操作方便，可快速清炉，提高了工时利用率，从而提高了产能，降低了成本，且清炉较彻底，为单晶品质的提升提供了基础保障。 | ||||||
| 107 | 一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置 | CN201510679643.8 | 2015-10-19 | CN105177697A | 2015-12-23 | 孙昊; 刘铮; 涂颂昊; 郝大维; 王遵义; 刘琨; 由佰玲; 张雪囡; 王彦君 |
| 本发明提供了一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，包括炉内底盘，夹持柱和拨柱轴尖；所述炉内底盘为一圆盘，所述圆盘上沿圆周边缘均匀开有若干组夹持柱固定孔，所述圆盘中部开有拨柱轴尖孔；所述拨柱轴尖包括轴尖、拨柱和连接轴，所述轴尖的侧壁顶端固定有拨柱，所述轴尖的下端面固定有连接轴；所述夹持柱包括支撑柱、夹持拨片和夹持片，所述支撑柱安装到所述夹持柱固定孔处，所述夹持拨片位于所述拨柱正下方。本发明所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置结构简单，操作方便，通过夹持片的设置改善了夹持面积，从而改善了夹持的稳定性，减少了因夹持不稳对单晶生长造成的影响，提高了工时利用率，且制造成本较低。 | ||||||
| 108 | SnSe基热电材料及其制备方法 | CN201510386988.4 | 2015-06-30 | CN105047809A | 2015-11-11 | 付亚杰; 蒋俊; 秦海明; 梁波; 王雪; 刘柱; 张烨; 江浩川 |
| 本发明公开了一种SnSe基热电材料及其制备方法，其中，SnSe基热电材料的制备方法包括以下步骤：S100，按照SnSe基热电材料的化学计量比称取反应原料；S200，利用熔炼法炼制所述反应原料，得到SnSe基热电材料铸锭；S300，将S200中得到的SnSe基热电材料铸锭置于区熔炉中，利用区熔法生长多晶SnSe基热电材料。本发明的制备方法得到的多晶SnSe基热电材料择优取向明显，具有较佳的热电性能；同时，与单晶SnSe基热电材料的制备相比，本发明的制备方法简单，生长周期短，成本低廉，可应用于大规模的工业生产。 | ||||||
| 109 | 一种向下拉制单晶硅的装置及拉制法 | CN201510528359.0 | 2015-08-19 | CN105040092A | 2015-11-11 | 张洪齐 |
| 本发明涉及一种向下拉制单晶硅的装置及拉制法。本装置由熔硅器、加热器、结晶器和托晶器等组成；本拉制法为；连续供料的熔硅，在结晶器内连续结晶，其连续生成的晶棒在托晶器支承下向下连续引出。本装置价低，本方法制备的单晶硅质量好、耗电少、成本低，可制方形晶棒。 | ||||||
| 110 | 一种TiAl基合金单晶的制备方法 | CN201510244072.5 | 2015-05-13 | CN104878444A | 2015-09-02 | 陈光; 王敏智; 彭英博; 祁志祥; 李沛 |
| 本发明公开了一种TiAl基合金单晶的制备方法。包括如下步骤：水冷铜坩埚电磁感应悬浮熔炼TiAl合金母合金锭，并运用真空非自耗电弧熔炼炉的重力铸造获得母合金棒材；采用四镜光学浮区定向凝固炉，将母合金棒材进行定向凝固，控制TiAl合金片层取向，并获得具有单一取向的TiAl基合金单晶。本发明制备的TiAl基合金材料避免了熔化过程中坩埚对TiAl合金的污染，克服了传统籽晶法对成分的局限以及成分性能不均匀、加工复杂的缺点，并克服了晶界对材料性能的损害，显著提高了TiAl基合金的性能。 | ||||||
| 111 | 一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法 | CN201310067179.8 | 2013-03-03 | CN103160911B | 2015-08-26 | 王越; 邸大伟; 马云峰; 蒋毅坚 |
| 一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Fe2O3、Bi2O3和CoO按BiFe1‐xCoxO3化学计量比进行配料，其中x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09或0.11，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空10～15min，等静压下制成素坯棒；将素坯棒置于浮区炉中，以30～50℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为10～15mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为5～6mm、长60～100mm外观光亮深黑色的BiFe1‐xCoxO3系列晶体，成晶质量较高，简化了工艺，效率高。 | ||||||
| 112 | 一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法 | CN201010565725.7 | 2010-11-30 | CN102108554B | 2015-06-10 | 郑俊辉; 陈果; 郑艳丽; 张卫华 |
| 本发明公开一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和锑块为原料，经过去氧化层、粉碎后，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔化、区熔生长、退火，得到p型碲化铋基热电半导体晶棒。在30~300℃下，平均ZT值达0.75以上。所使用的原料廉价易得、无毒环保、设备工艺简单、能耗低、产量大、可大规模工业化生产。 | ||||||
| 113 | 一种石榴石结构复合激光晶体的制备方法 | CN201210016934.5 | 2012-01-19 | CN102560666B | 2015-04-22 | 张怀金; 武奎; 于浩海; 王继扬 |
| 本发明涉及一种具有石榴石结构复合激光晶体的制备方法，复合激光晶体结构通式为(1)两段石榴石复合晶体：Re3B2C3O12/(LnxRe1-x)3B2C3O12；(2)三段石榴石复合晶体：Re3B2C3O12/(LnxRe1-x)3B2C3O12/Re3B2C3O12；其中Ln＝Nd或Yb或Tm或Ho；Re＝Lu，Y或Gd；B＝Sc，Al或Ga；C＝Al或Ga。本发明石榴石复合晶体采用光浮区法生长，根据通式化学计量比配料，分段制成多晶料棒，并装入光学浮区炉中生长。本发明的方法生长速度快，周期短，并且复合分段明显，工艺简单，通过一次晶体生长过程获得复合石榴石激光晶体，所得晶体具有高透明性，开裂少；可作为激光材料、增益介质用于制作激光器件。 | ||||||
| 114 | 一种大直径区熔硅单晶的生长方法 | CN201410523050.8 | 2014-09-30 | CN104328482A | 2015-02-04 | 沈浩平; 王彦君; 张雪囡; 靳立辉; 高树良; 刘嘉; 王遵义; 刘铮; 赵宏波; 刘琨; 郝大维; 吴峰; 楚占斌 |
| 本发明提供一种大直径区熔硅单晶的生长方法，包括装炉、抽空、充气、预热、化料、引晶、生长细颈、扩肩、保持、等径生长、收尾、降温、拆清炉。通过控制发生器输出功率及多晶料下行速度等参数的方法，克服了原有工艺及方法条件下，大直径多晶料熔化困难，容易造成堆料的问题，工艺重复性差、扩肩过程中产生位错等问题造成的成晶率低的问题，提高了大直径区熔硅单晶的成晶率和合格率，降低了人员劳动强度，可重复性可复制性好。 | ||||||
| 115 | 一种用于易挥发元素合金的区域熔化定向凝固方法 | CN201310308215.5 | 2013-07-22 | CN103343238B | 2014-11-12 | 黄裕金; 李建国; 胡侨丹; 张端锋 |
| 本发明公开了一种用于易挥发元素合金的区域熔化定向凝固方法。根据合金成分，选择金属原料进行配比，熔炼成合金初始棒材，放入定向凝固坩埚，合金初始棒材与定向凝固坩埚的间隙中填充满造渣剂；定向凝固坩埚放入定向凝固装置，通过感应线圈加热，使合金初始棒材与造渣剂区域熔化，熔化的造渣剂阻止了合金中易挥发成分的挥发，同时造渣剂与合金中杂质反应形成熔渣；定向凝固装置相对感应线圈向下运动，完成整个合金初始棒材的区域熔化和定向凝固，熔渣不断形成并上浮，最终留在合金顶部后除去。采用这种定向凝固方法，大幅降低了合金在凝固过程中易挥发元素的挥发损耗，同时去除杂质和气孔，获得了成分接近设计成分且轴向分布均匀的合金。 | ||||||
| 116 | 一种多段掺杂浓度梯度的石榴石复合晶体及其生长方法 | CN201210016919.0 | 2012-01-19 | CN102534790B | 2014-11-05 | 张怀金; 武奎; 于浩海; 王继扬 |
| 本发明涉及一种多段掺杂浓度梯度的石榴石复合晶体及其生长方法，其结构通式为：(Lnx1Re1-x1)3B2C3O12/(Lnx2Re1-x2)3B2C3O12/(Lnx3Re1-x3)3B2C3O12/..../(LnxnRe1-xn)3B2C3O12；其中Ln＝Nd或Yb或Tm或Ho，0＜x1＜1，0＜x2＜1，0＜x3＜1，0＜xn＜1，n＞3；Re＝Lu，Y或Gd；B＝Sc，Al或Ga；C＝Al或Ga；石榴石结构。该复合晶体采用光浮区法生长，根据通式化学计量比配好原料，按照预先设计好的分段和长度制成多晶料棒，并装入光学浮区炉中生长。本发明的方法速度快，周期短，晶体生长不需要坩埚，减少对晶体的污染，并且梯度浓度分段明显，工艺比较简单，而且生长的晶体具有高透明性，开裂较少，适合生长浓度梯度石榴石复合晶体。 | ||||||
| 117 | 激光激活离子掺杂浓度梯度的钒酸盐复合晶体及其制备方法 | CN201210016920.3 | 2012-01-19 | CN102534791B | 2014-10-22 | 张怀金; 武奎; 于浩海; 王继扬 |
| 本发明涉及激光激活离子掺杂浓度梯度的钒酸盐复合晶体及其制备方法。该钒酸盐复合晶体结构通式I为：Lnx1Re1-x1VO4/Lnx2Re1-x2VO4/Lnx3Re1-x3VO4/...../Lnx(n-1)Re1-x(n-1)VO4/LnxnRe1-xnVO4，n＞3，Ln＝Nd、Yb或Tm或Ho；Re＝Lu、Y或Gd；本发明的复合晶体采用光浮区法生长，根据通式化学计量比配好原料，按照分段和长度要求制成多晶料棒，并装入光学浮区炉中生长。本发明的方法速度快，周期短，晶体生长不需要坩埚，减少对晶体的污染，并且梯度浓度分段明显，生长的晶体具有高透明性，开裂少，用于制作激光器件。 | ||||||
| 118 | 一种高压光学区熔生长易挥发材料高取向晶体的方法 | CN201410187585.2 | 2014-05-06 | CN103993356A | 2014-08-20 | 郑红星; 余金科; 任建; 李宏伟 |
| 本发明涉及一种高压光学区熔生长易挥发材料高取向晶体的方法，其特征如下：将电弧熔炼吸铸的原始棒材进行表面打磨后放入两端开口的高纯氧化铝陶瓷管中，然后陶瓷管固定在下料棒轴轴套上，随后封闭炉腔，机械泵抽真空后，返充入高纯氩气。接着预加热钛棒除去炉腔内残余的氧气，随后加热棒材待获得稳定熔区后按照设定的工艺参数进行晶体生长，将生长好的晶体进行金相、EBSD和成分分析以检测晶体的取向和成分均匀性。 | ||||||
| 119 | 稀土正铁氧体单晶的生长方法及应用 | CN201410193630.5 | 2014-05-09 | CN103993348A | 2014-08-20 | 王冠伟; 袁淑娟; 张金仓; 曹世勋 |
| 本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a,b,c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。 | ||||||
| 120 | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法 | CN201210539425.0 | 2012-12-13 | CN103866376A | 2014-06-18 | 李明飞; 刘志伟; 闫志瑞; 陈海滨; 付斌; 黄龙辉 |
| 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其中：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单，实用，可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。 | ||||||
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