子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 一种本征发光的闪烁晶体钽酸镁及其制备方法和用途 | CN201810018733.6 | 2018-01-09 | CN108221055A | 2018-06-29 | 马云峰; 蒋毅坚; 徐家跃 |
| 本发明提供了一种闪烁晶体钽酸镁，其化学式Mg4Ta2O9，属于六方晶系，具有钛铁矿结构，闪烁发光的光产额为16000photons/M eV，衰减时间为5μs，能量分辨率为6.2%，还提供了上述Mg4Ta2O9作为闪烁晶体材料的用途，还提供了其制备方法，即以MgO和Ta2O5为初始粉料，按摩尔比4.04:1混匀，做成原料棒并预烧得纯相、致密、均匀的多晶料棒，采用光学浮区法生长出大小为Φ4mm×L62mm的无色、透明棒状晶体。该方法具有熔区稳定、操作简便等优点，能有效抑制MgO挥发、保持组分均匀和结晶质量稳定。 | ||||||
| 82 | 通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 | CN201510940322.9 | 2015-12-16 | CN105714373B | 2018-06-19 | G·拉明; L·阿尔特曼绍夫尔; G·拉特尼科斯; M·默勒; F·幕莫勒 |
| 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。 | ||||||
| 83 | 一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法 | CN201610316212.X | 2016-05-11 | CN105755540B | 2018-05-01 | 杨新宇; 王盼; 张久兴; 胡可; 李志 |
| 本发明公开了一种采用光学区熔技术制备LaB6‑VB2共晶复合材料的方法，其特征在于：首先通过放电等离子烧结获得LaB6‑VB2共晶预制体，然后将LaB6‑VB2共晶预制体置于光学区熔炉中，以氙灯作为加热源，在氩气氛围下以1‑1000mm/h的抽拉速度定向凝固，制得高质量的LaB6‑VB2共晶复合材料。本发明通过光学区熔技术制备的LaB6‑VB2共晶复合材料，以LaB6为基体、以VB2为纤维，纤维间距在0.56‑6.51μm范围内。 | ||||||
| 84 | 热处理粒状硅的方法、粒状硅及制备硅单晶的方法 | CN201680048555.0 | 2016-07-01 | CN107922196A | 2018-04-17 | G·布伦宁格 |
| 本发明涉及热处理由多晶颗粒组成的粒状硅的方法，涉及在其过程中使用经热处理的粒状硅的制备硅单晶的方法，以及涉及经热处理的粒状硅。热处理粒状硅的方法包括：引导工艺气体沿着流动方向通过等离子室；在所述等离子室中产生等离子区；通过将微波辐射引入所述等离子室中而维持所述等离子区；通过所述工艺气体将所述粒状硅预热到不低于900℃的温度；与所述工艺气体的流动方向相反地，输送经预热的粒状硅通过所述等离子室和所述等离子区，其中暂时地使所述颗粒的外部区域熔化；及收集经等离子处理的粒状硅。 | ||||||
| 85 | 一种在感应式区熔炉生产高纯镉的工艺方法 | CN201711120284.8 | 2017-11-02 | CN107868978A | 2018-04-03 | 苏伟; 霍彦权 |
| 一种应用感应式区熔炉生产高纯镉的工艺方法，其步骤如下：将镉金属料置于石英舟内，再将石英舟放入石英管炉体中使之位于感应加热圈内，然后将石英管炉体的两端用不锈钢密封套密封；用吸真空装置将石英管炉体内腔抽真空，然后充气惰性气体；PLC触摸屏控制系统控制感应加热装置产生高频电流使感应加热圈产生强磁场发出高热，加热熔化石英舟内镉，控制感应加热圈移动速度与方向，使感应加热圈从石英舟的首端移动到尾端数次，将镉金属熔化成液态在石英舟中，杂质会富集在镉锭头部；冷却后，去掉棒料头部含杂部分，得到提纯后的高纯镉产品。该区熔炉结构简单，预热时间短，控温精准，熔区可控，节能环保，效率高，寿命长。 | ||||||
| 86 | 高通量化学气相沉积电极 | CN201680026810.1 | 2016-05-04 | CN107683345A | 2018-02-09 | 穆恩·春 |
| 本发明公开了用于制造可用作生长晶体硅材料直接原料的高通量、低成本管状多晶硅棒料的工艺和系统。在一个实例中，化学气相沉积(CVD)工艺包括在管状电极上沉积多晶硅以形成管状多晶硅棒料。所述管状多晶硅棒料可在浮区工艺中熔化以生长单晶硅材料。 | ||||||
| 87 | 一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法 | CN201510876795.7 | 2015-12-03 | CN105369345B | 2018-01-26 | 安俊超; 徐军; 周森安; 吴锋; 唐慧丽; 李县辉; 李豪 |
| 本发明涉及一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法，该坩埚包括顶端开口的坩埚本体及与坩埚本体相匹配的顶盖，所述顶盖与坩埚本体底部平行，且坩埚本体可相对顶盖所在平面平行移动，所述坩埚本体由方形主体与三角端部对接组成，三角端部的尖端设有顶尖，顶尖内可放置籽晶，方形主体及三角端部内可放置晶体生长物料；采用顶盖可防止发热体损坏时或者其他物质掉到坩埚本体内时影响蓝宝石单晶体的质量，坩埚本体从熔融区移动到结晶区时，已生长好的蓝宝石单晶体暴漏在结晶区的低温空间内；使制备的蓝宝石单晶体具有热交换均匀充分的优点，可减少制备的蓝宝石单晶体的退火时间，减短蓝宝石单晶体的制备周期，降低蓝宝石单晶体的生产成本。 | ||||||
| 88 | 一种制备La–Fe–Si系复相共生定向棒材的方法 | CN201710539776.4 | 2017-07-05 | CN107475773A | 2017-12-15 | 方跃; 徐智帅; 郑红星 |
| 本发明公开了一种制备La–Fe–Si系复相共生定向棒材的方法，其步骤：(1). 按比例配备镧、铁、硅原材料，采用中频感应熔炼方法熔炼La1+xFe13-ySiy母合金，熔炼后在原位浇注成直径为8mm～10mm，高为100mm～120mm的母合金多晶棒材；(2). 采用区域熔炼定向凝固方法对上述La1+xFe13-ySiy母合金多晶棒材进行区域重熔，晶体生长过程中，腔体内压力为8～10bar，保护气体为99.99%纯度的氩气，区域熔炼温度为1853～1893K，熔区高度为10～15mm，提拉速度为10～200μm/s；(3)将重熔后的复相共生定向棒材放在真空热处理炉中，于1373～1473K温度区间进行1小时等温水淬处理，制得La–Fe–Si系复相共生定向棒材。 | ||||||
| 89 | 一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法 | CN201710434825.8 | 2017-06-10 | CN107268070A | 2017-10-20 | 倪友保; 吴海信; 肖瑞春; 毛明生; 王振友 |
| 本发明涉及一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法。该方法采用温度梯度区域熔炼法，辅以合适助熔剂，在晶体相变点温度下生长，具体步骤包括：①生长坩埚预处理；②原料配置；③升温；④晶体生长；⑤降温；⑥清洗。采用本发明方法生长的磷锗锌单晶具有缺陷少、近红外残余吸收低等特点，解决了目前常规磷锗锌晶体生长方法中存在的生长温度高、近红外残余吸收大等问题。 | ||||||
| 90 | 一种单晶镁合金生物降解材料及其制备方法 | CN201410841415.1 | 2014-12-30 | CN104630895B | 2017-10-13 | 任政; 黄原定; 朱秀荣; 张潇; 谭锁奎; 连付奎 |
| 本发明涉及一种单晶镁合金生物降解材料，其特征在于：所述单晶镁合金生物降解材料为Mg‑X单晶生物植入材料，其中X为Zn、Ca、Gd、Dy、Y以及Sm中的一种，且X含量为0.05～25.3％，其余为Mg，镁合金单晶中杂质元素总量≤0.005％，且杂质元素中Fe≤0.0005％、Ni≤0.0005％、Cu≤0.001％；还涉及该单晶镁合金生物降解材料的制备方法。本发明单晶镁合金生物降解材料能消除合金晶界和析出相对合金腐蚀性能的影响，能够保持在治疗阶段镁合金生物材料的力学性能，降解过程中可以完全形成金属离子被人体吸收或排出体外，避免了金属化合物的降解困难，同时也为适应不同患者和不同部位生物器件提供了设计多样性。 | ||||||
| 91 | 大尺寸多元稀土六硼化物（La |
CN201710441728.1 | 2017-06-13 | CN107236990A | 2017-10-10 | 张久兴; 王衍; 杨新宇; 王盼; 宁舒羽; 胡可; 李志 |
| 本发明公开了大尺寸多元稀土六硼化物(La0.8Ce0.1Pr0.1)B6单晶体的制备方法，是采用放电等离子烧技术结合光学区熔法制备得到高质量、大尺寸的(La0.8Ce0.1Pr0.1)B6单晶体。本发明所得样品单一物相，没有杂质生成，且单晶质量良好没有出现孪晶现象。 | ||||||
| 92 | 一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法 | CN201710340416.1 | 2017-05-15 | CN107177886A | 2017-09-19 | 高雪松 |
| 本发明的实施例提供了一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法，步骤包括：将CdWO4籽晶置于坩埚下端，将CdWO4多晶料填装到坩埚内；将所述坩埚放入陶瓷管中，所述坩埚与陶瓷管的间隙填入Al2O3粉，将所述陶瓷管安放在加热炉炉体中的升降台上；将所述炉体温度上升至设置温度，进行晶体生长前籽晶的熔接；启动所述升降台下降，同时用激光辐照所述固液界面；所述晶体生长结束后，降低炉温至室温，将晶体从坩埚中剥离，获得CdWO4单晶。本发明采用坩埚下降法生长CdWO4晶体，晶体生长同时用激光辐照生长的晶体和熔体之间的固液界面进行诱导，实现了CdWO4晶体的稳定生长，可获得均匀透明的CdWO4单晶，且单晶具有良好的光学质量。 | ||||||
| 93 | 一种溶质浓度毛细对流液桥生成器及其应用 | CN201710320775.0 | 2017-05-09 | CN106987896A | 2017-07-28 | 梁儒全; 刘铁; 肖松; 周进林; 张元元 |
| 本发明提供一种溶质浓度毛细对流液桥生成器及其应用，所述液桥生成器包括上盘和下盘，所述上盘固定安装在支架上；所述上盘内部中心处设有通孔，所述上盘底部沿盘沿设有一圈锥孔；所述液桥生成器还包括微型注液装置和高度调节装置，所述微型注液装置位于所述液桥生成器上方，所述微型注液装置包括微量注射器，所述微量注射器安装在微型注射泵上，所述微型注射泵连接微型注射泵控制器；所述高度调节装置包括微分头，所述微分头安装在所述下盘下方，所述微分头下方连接铜圆台。本发明可以研究两种不同液体接触时，浓度的变化对液桥界面形状产生的影响，综合考虑了浓度和液桥体积比因素对浮区法制备晶体的影响。 | ||||||
| 94 | 一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法 | CN201510377818.X | 2015-06-27 | CN104911693B | 2017-07-28 | 徐义库; 王丹丹; 肖君霞; 杨蕾; 于金丽; 郝建民 |
| 本发明公开了一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法，该方法为：一、制备EuPd共晶合金；二、按质量比Eu:Pd:Si＝(33.3+X):(16.7‑X):50称取钯粒、硅块和EuPd共晶合金，制备PdSi二元合金；三、将EuPd共晶合金和PdSi二元合金置于感应加热器中熔化均匀，得到熔体，然后将熔体铸成棒材；四、切割棒材得到籽晶棒和给料棒；五、将给料棒安装于晶体生长室内的上轴上，将籽晶棒安装于下轴上，通入高纯氩气，采用光悬浮区熔法生长晶体，待晶体生长结束并冷却后将晶体取出；六、线切割后得到稀土硅化物单晶晶体。本发明可制备得到获得少沉淀、无明显位错与孪晶、质量高的稀土硅化物单晶晶体。 | ||||||
| 95 | 掺锗氧化镓透明导电半导体单晶及其制备方法 | CN201610027421.2 | 2016-01-15 | CN106978626A | 2017-07-25 | 吴庆辉; 唐慧丽; 罗平; 吴锋; 钱小波; 徐军 |
| 本发明涉及掺锗氧化镓透明导电半导体单晶及其制备方法，所述掺锗氧化镓透明导电半导体单晶包括β-Ga2O3基质材料，所述单晶中锗的掺杂量为1at%～10at%。经测试表明β-Ga2O3:Ge单晶相比于纯β-Ga2O3单晶的吸收光谱，在红外部分有明显的吸收，而红外部分的吸收为自由载流子的吸收。 | ||||||
| 96 | 一种区熔炉反射环 | CN201410525307.3 | 2014-09-30 | CN104278318B | 2017-06-13 | 王遵义; 刘铮; 刘嘉; 冯啸桐; 孙昊; 刘琨; 王彦君; 赵宏波 |
| 本发明提供一种区熔炉反射环，包括反射环固定件,固定件包括圆环固定架和和夹持件,固定架位于夹持件的一端,固定架内固定一封闭圆环,封闭圆环的上半部开有若干U型槽。该反射环的设计，能够避免硅单晶在区熔保持过程中产生开裂的情况。 | ||||||
| 97 | 一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法 | CN201610850656.1 | 2016-09-27 | CN106381519A | 2017-02-08 | 胡忠武; 殷涛; 郭林江; 高选乔; 任广鹏; 李来平; 张文; 张平祥 |
| 本发明提供了一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法，包括以下步骤：一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料；二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上，然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离，之后进行相对逆向旋转，接着进行熔接处理，将熔接后的多晶坯料和单晶籽晶相对电子枪运动，得到等径生长的大尺寸钼铌合金单晶棒材。利用本发明方法得到的大尺寸钼铌合金单晶棒材，其直径为20mm～40mm，长度为100mm～800mm，晶体取向与单晶籽晶一致，晶向偏离角不大于3°，杂质元素总浓度不高于70μg/g，直线度不大于1.0mm/m。 | ||||||
| 98 | 一种铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体的制备工艺 | CN201610506876.2 | 2016-06-30 | CN106087059A | 2016-11-09 | 赵洪阳; 蔡康; 马志斌; 黄志登; 邓全; 程振祥; 木村秀夫 |
| 本发明属于铁电功能晶体材料领域，具体涉及了一种铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体的制备工艺。所述制备工艺为：多晶料的制备；将多晶料研磨成粉后再次压成实块，进行二次烧结，打磨切割得到多晶原料棒；将多晶原料棒置于中空铂金管下部，置于晶体生长炉中，在氩气氛围下加热，使多晶原料棒熔化，引入铂金丝，进行晶体的形核和生长；待晶体生长结束后，将晶体缓慢移开熔融区间，稳定1～2h后取出铂金丝，得到铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体；最后将铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体置于高温退火。采用本发明所述工艺制备得到的K0.5Bi4.5Ti4O15晶体的均匀性较好，具有良好的铁电特性。 | ||||||
| 99 | 利用可消耗电极真空电弧冶炼工艺来精炼类金属 | CN201280041741.3 | 2012-08-15 | CN103764880B | 2016-10-26 | 雷蒙·J·罗伯茨 |
| 通过CEVAR精炼工艺来精炼预加热的硅电极的形式的类金属诸如硅，该CEVAR精炼工艺在利用低矮CEVAR底部打开式坩埚在CEVAR熔炉系统中熔融预加热的电极之后，通过受控加热和冷却来生产铸块。 | ||||||
| 100 | 铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法 | CN201610328071.3 | 2016-05-18 | CN105969354A | 2016-09-28 | 冯鹤; 肖丰; 张志军; 徐展; 赵景泰 |
| 本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法，其材料的化学式为(Gd1‑x‑y‑zKxCeyMz)2Si2O7，其中：K=La、Lu、Y、Sc的一种或多种的组合，M=Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+的一种或多种的组合，0≤x≤0.995，0.00001≤y≤0.05，0≤z≤0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸钆中额外添加Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+主族离子，制备了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉，与不掺杂主族离子的焦硅酸钆发光材料相比，掺杂主族离子的铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的荧光衰减时间明显减小，优化了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的闪烁性能。 | ||||||
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