子分类：
- C30B1/00：直接自固体的单晶生长
- C30B3/00：共析材料的定向分层
- C30B5/00：凝胶的单晶生长
- C30B7/00：常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长
- C30B9/00：使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
- C30B11/00：正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
- C30B13/00：区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
- C30B15/00：熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
- C30B17/00：生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
- C30B19/00：液相外延层生长
- C30B21/00：共晶材料的定向凝固
- C30B23/00：冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
- C30B25/00：反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
- C30B27/00：保护流体下的单晶生长
- C30B28/00：制备具有一定结构的均匀多晶材料
- C30B29/00：以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
- C30B30/00：利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
- C30B31/00：单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
- C30B33/00：单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
- C30B35/00：未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 用于生长金刚石膜的基体结构及金刚石膜的制备方法 | CN202411532387.5 | 2024-10-30 | CN119877098A | 2025-04-25 | 黄江涛; 刘富成; 何斌; 韩培刚; 林立宇; 张宗雁 |
| 一种用于生长金刚石膜的基体结构及金刚石膜的制备方法，其中，基体结构包括基板、缓冲层、导热层和导热基板，基板的材料包括石墨；缓冲层包覆在基板的至少部分表面；缓冲层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括为生长面，第二表面包括导热面，生长面用于生长金刚石膜。导热层设置于导热面。导热基板设置于导热层远离缓冲层的一面，导热层的熔点不高于导热基板的熔点和缓冲层的熔点。本发明的基体结构各处热量传递快速，温度较为均一、热应力小，在生长金刚石膜时不发生膜裂，生长质量好，可达到较大的厚度。 | ||||||
| 82 | 一种流动式镓舟、HVPE设备及含镓气体源的制备方法 | CN202510280149.8 | 2025-03-11 | CN119877092A | 2025-04-25 | 徐琳; 张波; 李观超 |
| 本发明提供了一种流动式镓舟、HVPE设备及含镓气体源的制备方法，该流动式镓舟包括液态镓缓存机构与反应机构，液态镓缓存机构包括第一腔体、输入管路及输出管路，输入管路一端与第一腔体连通；另一端与第一腔体连通，其上设有气体注入口；反应机构包括第二腔体、排气管路及回流管路，第二腔体与输出管路的另一端连通；回流管路的一端连通第二腔体，另一端连接第一腔体。本发明不仅能够提高传输制备效率，而且可以实现气液充分接触，进而达到提高材料利用率以及产品质量稳定性的目的；此外，还能够将未反应的液态镓回收利用，避免材料浪费。相比于常规镓舟结构，本发明兼具高质量、高效率、高利用率以及高可控性等优势，能够用在氮化镓的生长领域。 | ||||||
| 83 | 一种降低背景掺杂的分子束外延装置及其使用方法 | CN202411175188.3 | 2024-08-26 | CN119877091A | 2025-04-25 | 吴进; 郭可升; 刘乔; 胡强 |
| 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种降低背景掺杂的分子束外延装置及其使用方法，分子束外延装置包括内部设置有源炉和衬底台的外延室腔体，源炉蒸发出的分子束流包括射向衬底台的有效束流和不经过衬底台的无效束流，其中，还包括低温管，低温管的两端暴露在外延室腔体之外，低温管在外延室腔体内的部分盘旋缠绕成遮挡无效束流的弯管。本申请提供分子束外延装置中，通过在外延室腔体内密封设置盘旋缠绕的低温管，外延时可通过低温吸附源炉溢出的未沉积在衬底台上的分子束流，有效降低装置内的背景杂质浓度，减少污染，帮助稳定外延室腔体内的真空度，有利于提高外延质量并便于清洗外延室腔体。 | ||||||
| 84 | 一种重掺磷衬底高阻值外延片生产设备 | CN202510369386.1 | 2025-03-27 | CN119877089A | 2025-04-25 | 徐新华 |
| 本发明公开了一种重掺磷衬底高阻值外延片生产设备，具体涉及外延设备技术领域，包括设备主体、气体混合部和放置部，所述设备主体包括外壳，所述外壳内设有加热机构和升降平台，所述气体混合部包括四通管，所述四通管的一端设有混合筒，所述混合筒自由端设有搅拌机构，所述搅拌机构下部设有出气管，所述出气管上设有多个喷头，所述放置部包括转轴，所述转轴由驱动机构驱动，所述转轴上设有底座，所述底座侧面设有多个托盘。本发明通过气体混合结构、均匀的气体分布设计、灵活的操作方式和稳定耐用的结构材料，有效解决了外延生长过程中气体混合不均的问题，提高了外延生长的均匀性和生产效率。 | ||||||
| 85 | 一种晶棒加工产线及其生产工艺 | CN202510079247.5 | 2025-01-17 | CN119877083A | 2025-04-25 | 孙川; 赖詹; 郎海东 |
| 本发明涉及一种晶棒加工产线及其生产工艺，属于晶棒加工技术领域。原料提纯线：用于对准备好的晶棒生产原料进行提纯；晶棒生成线：用于将高纯度多晶硅熔炼最终生成晶棒；头尾去除线：用于将生成的晶棒头部和尾部裁切掉；取样检测线：用于对掐头去尾的晶棒切片取样、检测；研磨线：用于对晶棒外径研磨；打码线：用于对晶棒进行打码；晶棒缓存线：用于对打码完成的晶棒进行存储。本发明的晶棒加工产线及其生产工艺是一个复杂而精细的生产过程，具有先进的设备、自动化加工、严格的管理和质量控制手段来确保产品质量和生产效率，以确保生产过程的稳定性和可控性，确保产品的质量符合使用要求，产品的一致性好，使得加工成品率有效提高。 | ||||||
| 86 | 一种α-MoO3晶体生长助熔剂及晶体生长方法 | CN202510074844.9 | 2025-01-17 | CN119877080A | 2025-04-25 | 朱显超; 窦光裕 |
| 本发明提供一种α‑MoO3晶体生长助熔剂及晶体生长方法，采用α‑MoO3为原料，ZnO‑TeO2体系作为助熔剂，采用助熔剂法进行晶体生长。晶体生长温度在550～600℃之间，生长体系的挥发度较小，晶体生长过程中无杂晶出现，体系稳定性较高；同时生长期间高温溶液澄清透明，可以实时观察晶体生长状况，便于调整生长参数。本发明的方法设备和过程简单、重复性好，成本较低，操作稳定可靠。本发明方法制备的α‑MoO3晶体具有形貌规则、大尺寸、高产率、高晶体质量等优点，同时，本发明方法制备的α‑MoO3晶体在光催化、电极材料、光电探测器、气体传感器、场效应晶体管等领域具有广泛应用。 | ||||||
| 87 | 掩膜层的制备方法、单晶硅片及制备方法、太阳能电池 | CN202311347604.9 | 2023-10-17 | CN119876901A | 2025-04-25 | 郑正明; 马菁; 任永伟 |
| 本发明涉及一种掩膜层的制备方法、单晶硅片及制备方法、太阳能电池。上述掩膜层的制备方法采用CVD工艺在单晶硅片上形成氮化硅掩膜层和/或氧化硅掩膜层。其中，制备氮化硅掩膜层时通入一定流量的硅烷及氨气，并在高温、高压条件下进行沉积一定时间，制备氧化硅掩膜层时通过高温、高氧量、高压的工艺条件沉积一定时间，在单晶硅片的表面长出掩膜层，上述掩膜层有较高的致密度，能够耐受较长时间的碱洗，并使碱洗后掩膜层下方单晶硅经碱洗后为理想的绒面状态。 | ||||||
| 88 | 石墨坩埚及其制备方法与应用 | CN202510369421.X | 2025-03-27 | CN119874408A | 2025-04-25 | 欧阳鹏根; 胡建荣; 汪传勇; 唐永刚; 陈永峰 |
| 本申请提供了一种石墨坩埚及其制备方法与应用。所述制备方法包括如下步骤：在加热条件下将碳源、一元醇与水混合，制备混合浆料；所述加热的温度为30℃~95℃；将所述混合浆料转移至石墨坩埚基体的内壁表面，经干燥处理制备所述石墨坩埚；其中，所述碳源、所述一元醇和所述水的添加量之比为（200g~1500g）：（200mL~1200mL）：（0mL~500mL）。上述制备方法，在高温条件下碳源与一元醇中的C‑H键和O‑H键基于氢键的作用通过自组装形成有序的超分子结构；将包含该超分子结构的混合浆料转移至石墨坩埚基体内，干燥后形成隔离层；在合成碳化硅粉体时，其能够隔离石墨坩埚和碳化硅粉体，使二者之间不易粘连。 | ||||||
| 89 | 一种高性能单晶多孔大核心NCM高镍三元前驱体的制备方法 | CN202411945704.6 | 2024-12-27 | CN119873909A | 2025-04-25 | 史春阳; 吉同棕; 郑斌; 荀瑞芝; 杨帆; 张黎明; 吴有志; 周子贵; 黄亚帆 |
| 本发明属于高镍三元前驱体技术领域，涉及一种高性能单晶多孔大核心NCM高镍三元前驱体的制备方法。所述方法是首先将金属盐混合溶液、络合剂溶液和沉淀剂溶液进行精密过滤；随后利用料液在不同流场中的混合形式和强度、颗粒在不同气氛中的生长特点，实现颗粒成核、生长准确控制，使得材料长成具有单晶形貌、多孔大核心结构特征的高镍三元前驱体材料。本发明制得的单晶多孔大核心NCM高镍前驱体具有形貌优异、晶型清晰、结晶性高、孔容高、且具有较高的比容量、良好的循环稳定性和热稳定性。 | ||||||
| 90 | 一种拉晶无氧输灰系统 | CN202510060075.7 | 2025-01-15 | CN119869102A | 2025-04-25 | 刘峰岳; 师洋; 单海涛; 王磊; 王刚 |
| 本发明属于单晶硅、多晶硅、重掺硅单晶等工业生产中工艺除尘领域，尤其是一种拉晶无氧输灰系统。针对现有简谐式除尘器滤袋阻力会逐渐增加，严重影响了晶棒质量和后端设备功耗，如：成晶率下降、原品晶率下降、原晶单产降低、含氧量增加问题，现提出如下方案，其包括位于工艺前端的拉晶炉L和用于过滤、收集拉晶过程中产生杂质的简谐式除尘器A、输灰管路B，通过自动化控制对简谐式除尘器滤袋进行振打和反吹双重清理，对简谐式除尘器的灰仓采用真空管路排灰作业，以及粉尘的钝化处理。保障了生产的安全和可持续性，提高了产品质量，降低了企业能耗，提高了生产效率，实现连续拉晶提供条件，为企业实现智能化工厂又迈进了一步。 | ||||||
| 91 | 一种双手性杂化钙钛矿及其制备方法与应用 | CN202510072677.4 | 2025-01-17 | CN119528750B | 2025-04-25 | 龙官奎; 乔天娇; 吴雨辰; 白俊力; 王贺彬 |
| 本发明公开了一种双手性杂化钙钛矿及其制备方法与应用，属于钙钛矿手性材料技术领域，解决了现有技术中二维手性钙钛矿材料的光响应度不对称因子不够理想的问题。该双手性杂化钙钛矿具有式A'xA''xMyXz的钙钛矿晶格；其中，A'A''表示两种阳离子，其均选自R/S‑3‑氨基丁醇阳离子、R/S‑甲基苄胺阳离子、R/S‑4‑碘丁基‑2‑胺阳离子；M表示一种或几种金属，其均选自ⅡA~ⅤA族的金属元素；X表示一种阴离子，其选自卤素离子、拟卤素离子、硫族离子。本发明提供的双手性钙钛矿材料具有固有的手性，并且有效解决了现有二维手性钙钛矿材料光响应度不对称因子不够理想的技术问题，展现出优异的自旋载流子选择性。 | ||||||
| 92 | 一种多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用 | CN202411240211.2 | 2024-09-05 | CN119100829B | 2025-04-25 | 袁振洲; 刘欣宇 |
| 本发明属于材料制备技术领域。本发明提供了一种多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用，所述的制备方法包括将钽粉和/或碳化钽粉与钽盐及有机配体源在液相体系混合后通过快速降温形成固体，将所得固体进行抽真空烧结后再进行碳化，得到多孔碳化钽陶瓷。所述制备方法中有机配体源提供配体，使配体与钽形成金属有机框架结构，调节孔隙和分布，并进一步在高温下的分解或挥发而实现造孔，最终制备得到的多孔碳化硅陶瓷中具有无序的微米级孔，应用于物理气相沉积法制备单晶碳化硅时，相比于传统的石墨材料，既能允许碳化硅产生的气态物质通过，又能耐高温，且强度高、不参与反应，不产生杂质进入晶体或形成碳包裹等缺陷，有效实现过滤作用。 | ||||||
| 93 | 一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法 | CN202410927375.6 | 2024-07-11 | CN118888636B | 2025-04-25 | 胡伟达; 郭家祥; 王鹏; 张坤; 张涛; 邓科; 肖云龙; 李宁; 陆卫 |
| 本发明公开了一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10‑10Torr，将衬底加热至940‑960℃后，保持28‑32min，然后将衬底温度降低至550‑570℃，设置Ga源温度为680‑700℃，调节硅源的电子束流为#imgabs0#打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；在吸收层外延结束后，衬底温度升高80‑100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900‑1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10‑10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。本发明通过控制生长束流、生长温度、阻挡层的生长方式，实现阻挡杂质带的结构。 | ||||||
| 94 | 一种清洁方法 | CN202311764326.7 | 2023-12-20 | CN117737695B | 2025-04-25 | 廖家豪; 窦坤鹏; 柴攀; 万强 |
| 本发明涉及碳化硅清洁领域，提供了一种清洁方法，该方法包括使用清洁气体清洁位于基材表面的含碳化硅的堆积物；所述基材包括位于基底表面的热解碳涂层；所述热解碳涂层由聚酰亚胺和纳米微晶纤维素热解得到；所述清洁气体为三氟化氯。通过该方法能够使得碳化硅薄膜或颗粒从热解碳表面脱落，实现CVD反应器的清洁，同时，能够减少三氟化氯对反应器和基底的腐蚀，提高反应器的使用寿命。 | ||||||
| 95 | 一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法 | CN202310531779.9 | 2023-05-11 | CN116598881B | 2025-04-25 | 黄瑞; 阚万誉; 唐明志; 李晖; 王青; 郭业才 |
| 本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。 | ||||||
| 96 | 一种适用于大腔体压机的高温高压形变组装体及其应用 | CN202310091404.5 | 2023-02-07 | CN116084004B | 2025-04-25 | 刘兆东; 王赛赛; 胡阔; 赵鑫宇; 丰丙涛; 姚明光; 刘冰冰 |
| 本发明属于大腔体压机高温高压技术领域，具体涉及一种基于金刚石堵头适用于高温高压大腔体压机的形变组装体及其应用。本发明提供的形变组装体以第一斜角聚晶金刚石柱堵头的倾斜椭圆面和所述第二斜角聚晶金刚石柱堵头的倾斜椭圆面之间形成样品室；同时本发明采用第一氧化锆柱、第一氧化铝柱、第二氧化铝柱和第二氧化锆柱向第一斜角聚晶金刚石柱堵头和所述第二斜角聚晶金刚石柱堵头传导压力，采用铼金属管对样品室进行加热，采用氧化锆管加固并保温；最后采用氧化镁八面体封装，使形变组装体能够结构稳固的对样品室中的样品进行稳定的加压加温操作，高温高压下实现对样品的剪切力加载；此形变组装体可以有效降低富勒烯向金刚石转变的温压条件。 | ||||||
| 97 | 锭生长装置 | CN202011404804.X | 2020-12-03 | CN114277437B | 2025-04-25 | 李泳敏; 李京锡; 朴镇成; 裵东佑 |
| 本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的外侧面的方式形成，通过接收电源来产生磁场，借助因上述磁场而产生的电磁感应来对上述基座进行加热；以及绝热部件，配置于上述线圈与上述基座之间。 | ||||||
| 98 | 一种CsPbBr3/CsPb0.6Sn0.4IxBr3-x异质结型的钙钛矿太阳能电池及制备方法 | CN202510004348.6 | 2025-01-02 | CN119866127A | 2025-04-22 | 陈大正; 王子昊; 张亚男; 张春福; 朱卫东; 柴文明; 周龙; 张进成; 郝跃 |
| 本发明公开了一种CsPbBr3/CsPb0.6Sn0.4IxBr3‑x异质结型的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，主要解决现有太阳能电池吸光能力差、光电转换效率低的问题。其自下而上包括透明导电衬底、电子传输层、CsPbBr3吸光层、空穴传输层、保护层和电极层，该透明导电衬底采用导电玻璃，该电子传输层采用n型半导体中的高透光材料，该空穴传输层采用p型半导体中的高透光材料。其特征在于，所述CsPbBr3吸光层与空穴传输层之间设有CsPbBr3/CsPb0.6Sn0.4IxBr3‑x异质结构层，用于调节钙钛矿吸光层的禁带宽度，增强其光吸收能力，本发明提高了光电转换效率，可用于智能光伏玻璃、光伏汽车和光伏建筑一体化。 | ||||||
| 99 | 一种高性能面外取向多晶碲化铋及其快速制备方法 | CN202411887057.8 | 2024-12-20 | CN119859852A | 2025-04-22 | 邓元; 王博诣; 赵世杰; 徐惠彬 |
| 本发明公开了一种高性能面外取向多晶碲化铋的快速制备方法，包括根据n型碲化铋的化学式为Bi2Te3‑xSex，其中0≤x<0.6，或者p型碲化铋的化学式为Bi0.4Sb1.6Te3进行配料，将原料置于石英管后真空封管；对步骤(1)中的原料进行电磁熔炼、冷却得到铸锭；将步骤(2)中的铸锭粉末化后进行热挤压成型得到n型或p型多晶碲化铋。通过该制备方法能够高效的制备出较高zT值的多晶碲化铋。 | ||||||
| 100 | 拉晶系统及其控制方法 | CN202510123399.0 | 2025-01-26 | CN119859850A | 2025-04-22 | 刘磊; 武鹏; 贾晨晨; 何金凯; 王成龙; 张大海 |
| 本发明揭示了一种拉晶系统及其控制方法。所述拉晶系统包括：坩埚组件，其包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚围绕在所述内坩埚的外部，所述内坩埚的内部形成长晶区；加料管，其位于所述坩埚组件的上方，并且下端延伸至所述外坩埚和内坩埚之间；风幕装置，其在径向上位于所述加料管和所述内坩埚之间，所述风幕装置用于向所述加料管和所述内坩埚之间供气以形成环绕所述内坩埚的屏蔽气流。这样，减小粉尘接触到正在生长的单晶硅棒的几率，避免由于粉尘所造成的缺陷和位错，进而相较于现有技术大大提高所生产的单晶硅的品质。 | ||||||
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