| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途 | CN202110982033.0 | 2021-08-25 | CN115717271B | 2025-02-18 | 叶宁; 陈开创; 彭广; 陈昱 |
| 本发明涉及一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途，所述碲酸铌锂化合物的化学式为LiNbTeO5。具体的，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末，或者为非线性光学晶体，该碲酸铌锂非线性光学晶体具有宽的透过范围，强的倍频效应，高的激光损伤阈值，物化性能稳定，不易潮解，易于切割、抛光加工和保存。 | ||||||
| 2 | 泡生法生长氧化镓单晶的方法 | CN202411775776.0 | 2024-12-05 | CN119221102A | 2024-12-31 | 王英民; 霍晓青; 周金杰; 张胜男; 董增印; 李贺; 张嵩; 程红娟; 赖占平 |
| 本发明提供了一种泡生法生长氧化镓单晶的方法，所述泡生法生长氧化镓单晶的方法包括S01，装炉：向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料，纯度5N，把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中；在坩埚上方间隔放置若干个保温屏；顶端装[010]晶向的籽晶，关闭单晶生长炉门；S02，升温化料：升温并保温至氧化镓原料完全熔化；S03，引晶生长；S04，降温取晶：生长完成后，将晶体温度降至室温，取出晶体。本发明提供的泡生法生长氧化镓单晶的方法，设置保温屏后，可以阻挡原料挥发气体流动速度，降低并稳定热场轴向温度梯度，更有利于优化泡生法氧化镓晶体生长质量。 | ||||||
| 3 | 晶体生长方法及晶体生长装置 | CN202411285989.5 | 2024-09-13 | CN119121382A | 2024-12-13 | 郑燕青; 齐凡; 孔舒燕; 陈志平; 赵衡煜 |
| 本发明属于多组分晶体制备技术领域，公开了晶体生长方法及晶体生长装置，使用纯熔体泡生法生长多组分晶体，多组分晶体为二元及以上氧化物。晶体生长装置包括炉膛、承载座、坩埚、籽晶杆、出气管、进气管以及三组环形的加热组件，炉膛包括炉体和炉盖，炉盖密封炉体的顶部开口，炉体的内部设有由保温材料围成的加热区；承载座和坩埚均设置于加热区；籽晶杆延伸至坩埚内；三组环形的加热组件设置于加热区的内壁，三组加热组件分别为自上而下间隔设置的上加热组件、中加热组件和下加热组件，坩埚位于中加热组件所围绕的中温区。本发明能够避免多晶现象和内部缺陷，生长出更大尺寸高质量的多组分晶体，降低生产制造成本。 | ||||||
| 4 | 一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体及其制备方法和应用 | CN202410861279.6 | 2024-06-28 | CN118727147A | 2024-10-01 | 张沛雄; 李琳; 吴闻杰; 尹浩; 陈振强 |
| 本发明涉及激光晶体增益材料技术领域，特别是涉及一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体及其制备方法和应用。所述激光晶体的化学式为NdxY2‑xMg3(SiO4)3，x为0.001～0.03。本发明提供的激光晶体以具有多重无序性的Y2Mg3(SiO4)3作为基质，三价钕离子为激活离子，替代Y的格位，形成～1μm宽带近红外发射，在医学治疗、传输通信、军事防御等领域具有重要应用前景。 | ||||||
| 5 | 一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚 | CN202411092274.8 | 2024-08-09 | CN118621429A | 2024-09-10 | 康森; 徐伟同; 石天虎; 李璐; 郝文娟 |
| 本发明属于蓝宝石晶体生长技术领域，具体涉及蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚。一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法，包括以下步骤：坩埚除杂，将氧化铝溶液喷涂在钼坩埚内壁，将该坩埚放入长晶炉内，炉体进行密封后开始升温烧结和降温冷却；长晶，将氧化铝原料粉末填入处理后的坩埚内，炉体密封后开始升温熔融原料，原料融化后进行引晶和晶体生长，晶体生长完成后，冷却降温取出晶体。本发明主要利用氧化铝在不同温度下的反应设计和控制，通过坩埚除杂操作获得一种晶体生长用坩埚，避免新坩埚内杂质元素引入蓝宝石晶体生长过程中，从而控制蓝宝石晶体生长的杂质，提高了晶体生长的品质和一致性。 | ||||||
| 6 | 利用主加热器和副加热器的掺杂蓝宝石生长方法 | CN202410456829.6 | 2024-04-16 | CN118186573A | 2024-06-14 | 王晓军; 李清萍; 陈忠岳 |
| 本发明提供一种利用主加热器和副加热器的掺杂蓝宝石生长方法，属于晶体生长技术领域。所述生长方法包括以下步骤：(1)将坩埚放置在掺杂蓝宝石生长装置中保温装置的保温腔内；(2)通过控制主加热器，控制坩埚内的掺杂氧化铝原料融化成熔体程度以及间接控制坩埚底部的籽晶融化程度；(3)通过控制加热导热板的副加热器的功率，精确控制籽晶融化程度；(4)控制主加热器开始降温，在降温完成后移动冷却杆使得开始下降坩埚，同时缓慢打开坩埚底部的保温装置的底部保温部和侧保温筒之间的间隙，直至晶体生长完成；(5)进入退火程序。 | ||||||
| 7 | 化合物铷硼磷氧和铷硼磷氧非线性光学晶体及制备方法和用途 | CN202111551967.5 | 2021-12-17 | CN114074944B | 2024-05-03 | 潘世烈; 张文彬; 韩树娟 |
| 本发明提供一种化合物铷硼磷氧和铷硼磷氧非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Rb3B8PO16，分子量为629.86，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化合物的化学式为Rb3B8PO16，分子量为629.86，属于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=11.3490(9)Å，b=6.5524(6)Å，c=20.3870(18)Å，α=90°,β=111.410(3)°,γ=90°，单胞体积为1411.4(2)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的0.5‑1倍，紫外截止边大约175 nm，采用熔体法，高温熔液法，或真空封装法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为短波长紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。 | ||||||
| 8 | 一种紫外双折射Ba3InB9O18制备方法、产品及应用 | CN202311815953.9 | 2023-12-26 | CN117867635A | 2024-04-12 | 吕宪顺; 刘冰; 魏磊; 杨玉国; 禹化健; 石强 |
| 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种紫外双折射Ba3InB9O18制备方法、产品及应用；本发明的制备方法包括助熔剂缓冷法生长法和/或助熔剂顶部籽晶法生长法，利用本发明的制备方法制备得到的紫外双折射Ba3InB9O18晶体具有良好的紫外透明度，截止波长位于195nm，在253nm处的双折射率可达Δn＝0.183，可用于制作紫外格兰棱镜；本发明的紫外双折射Ba3InB9O18晶体制备方法有效减少了晶体散射颗粒，成功消除了光路中的散射，提高了晶体光学质量，使紫外双折射晶体有了实际应用价值。 | ||||||
| 9 | 蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202075.3 | 2023-09-18 | CN116949559B | 2024-03-12 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，具有炉盖和炉室；蓝宝石提拉轴，包括上分轴和下分轴，上分轴穿设于炉盖，下分轴至少部分位于炉室内且与上分轴可活动地连接；波纹管，套设于上分轴；及动力单元，设于炉体，具有推动下分轴相对上分轴向下移动的触发状态。当需要引晶时，保持上分轴静止，同时动力单元进入触发状态而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤，启动蓝宝石晶体的生长过程，实现引晶。由于波纹管套设于上分轴，在引晶过程中，下分轴的移动不会牵动波纹管，不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内较冷的气体进入炉室内而影响炉室内的热场分布，进而避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。 | ||||||
| 10 | 蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202103.1 | 2023-09-18 | CN116949560B | 2024-03-01 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，具有炉盖和炉室，炉盖上设有横移通道；蓝宝石提拉轴，可活动地穿设于横移通道；及保温结构，位于炉室内，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁设有供蓝宝石提拉轴进入保温腔的升降通道；横移通道具有第一端和第二端，升降通道与第一端错位设置且与第二端正对设置，蓝宝石提拉轴能够处于第一端和第二端。本发明的优点在于：在煮料阶段，蓝宝石提拉轴移动至第一端，从而与升降通道错开，进而远离从升降通道飘出的气态杂质，这样可以降低蓝宝石提拉轴所携带的籽晶被气态杂质污染的程度，有利于生长高质量的蓝宝石晶体。 | ||||||
| 11 | 化合物锗酸锌铷非线性光学晶体及其制备方法和用途 | CN202111036792.4 | 2021-09-06 | CN113737282B | 2024-01-26 | 胡章贵; 韩涛; 李从刚 |
| 本发明公开了一种化合物锗酸锌铷非线性光学晶体及其制备方法和用途，该化合物的化学式为Rb2ZnGe2O6，其制备方法是，将含铷化合物、含锌化合物、含锗化合物原料均匀混合并充分研磨，置于马弗炉中，先低温下预烧除去原料中的水分和气体，再升温锻烧，期间多次取出研磨并继续锻烧，制得化合物锗酸锌铷。进一步的将化合物与助熔剂混合升温得到混合溶液，在晶体生长炉中，制备出锗酸锌铷非线性光学晶体。本发明的技术效果是：所获晶体具有优良的热稳定性，较宽的透光范围，硬度适中，物化性能稳定等优点，采用本发明所述方法获得的化合物锗酸锌铷可用于制备倍频器件。 | ||||||
| 12 | 化合物低温相九硼酸锂锶和低温相九硼酸锂锶非线性光学晶体及制备方法和用途 | CN202210347232.9 | 2022-04-01 | CN114635178B | 2023-12-29 | 潘世烈; 刘开通; 韩健; 蔡昕桐 |
| 本发明提供一种化合物低温相九硼酸锂锶和九硼酸锂锶非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为LiSrB9O15，分子量为431.85，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为LiSrB9O15，分子量为431.85，属于正交晶系，空间群为P212121，晶胞参数为a=8.5432(5)Å，b=8.6390(4)Å，c=14.8622(8)Å，α=β=γ=90°，单胞体积为1096.90(10)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的0.5倍，紫外截止边短于240 nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法或水热法，该晶体的化学稳定性好，可作为紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。 | ||||||
| 13 | 蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法 | CN202311209613.1 | 2023-09-19 | CN116949561A | 2023-10-27 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，包括炉盖和炉壁，炉盖和炉壁围设形成炉室，炉盖开设有第一横移通道；保温结构，位于炉室内，具有顶壁和保温腔，顶壁开设有第二横移通道，第二横移通道和第一横移通道沿着同一水平方向延伸；坩埚，位于保温腔内，具有用于生长蓝宝石晶体的长晶区；投料通道，依次贯穿炉盖和顶壁，投料通道所在的轴线位于长晶区外；及蓝宝石提拉轴，依次穿设第一横移通道和第二横移通道。在蓝宝石晶体生长过程中，可以通过投料通道向坩埚内补充氧化铝原料，从而生长出更大尺寸的蓝宝石晶体；蓝宝石提拉轴能够沿着水平方向移动以实现偏心引晶，从而提高晶体的生长质量。 | ||||||
| 14 | 蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202103.1 | 2023-09-18 | CN116949560A | 2023-10-27 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，具有炉盖和炉室，炉盖上设有横移通道；蓝宝石提拉轴，可活动地穿设于横移通道；及保温结构，位于炉室内，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁设有供蓝宝石提拉轴进入保温腔的升降通道；横移通道具有第一端和第二端，升降通道与第一端错位设置且与第二端正对设置，蓝宝石提拉轴能够处于第一端和第二端。本发明的优点在于：在煮料阶段，蓝宝石提拉轴移动至第一端，从而与升降通道错开，进而远离从升降通道飘出的气态杂质，这样可以降低蓝宝石提拉轴所携带的籽晶被气态杂质污染的程度，有利于生长高质量的蓝宝石晶体。 | ||||||
| 15 | 蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202056.0 | 2023-09-18 | CN116949558A | 2023-10-27 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：上分轴；下分轴，与上分轴可活动连接；及形变动力件，设于上分轴与下分轴之间，具有伸展推动下分轴相对上分轴移动的触发状态。本发明的优点在于：当需要引晶时，保持上分轴静止，同时形变动力件进入触发状态，形变动力件发生伸展从而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤。在该过程中，形变动力件的伸展和下分轴的移动均不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内温度较低的气体进入蓝宝石晶体生长炉的炉室内而影响炉室内的热场分布，避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。 | ||||||
| 16 | 蓝宝石长晶炉置换坩埚装置及方法 | CN201710148520.0 | 2017-03-14 | CN107059126B | 2023-10-27 | 徐永亮; 于海群 |
| 本申请实施例公开一种蓝宝石长晶炉置换坩埚装置及方法，该装置包括晶体生长室和坩埚置换室，晶体生长室设置于坩埚置换室的顶部，晶体生长室的底部与坩埚置换室连通，晶体生长室与坩埚置换室相连通的区域设置有开合部件；坩埚置换室内部设置有冷却平台、换料平台、上下料平台以及坩埚运送组件；通过本申请实施例提供的蓝宝石长晶炉置换坩埚装置及方法，可在坩埚置换室内，对装有退火后的高温晶体的坩埚与装有原料的坩埚进行置换，将装有原料的坩埚置换入长晶炉后直接升温、长晶；置换出的装有退火后的高温晶体的坩埚，可在坩埚置换室内自然冷却，缩短现有技术中，晶体自然冷却以及取坩埚所需要的时间，提升蓝宝石长晶炉的稼动率。 | ||||||
| 17 | 蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202064.5 | 2023-09-18 | CN116926660A | 2023-10-24 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：坩埚；蓝宝石提拉轴；保温结构，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设的升降通道，升降通道与保温腔连通；及密封件，由氧化铝制成，具有第一状态和第二状态，在第一状态下，密封件连接于顶壁且密封升降通道；在第二状态下，蓝宝石提拉轴移动并抵压密封件以使密封件脱离顶壁。本发明的优点在于：在煮料阶段，可以通过处于第一状态的密封件密封升降通道，从而防止煮料阶段出现的气态杂质通过升降通道上飘而污染籽晶，进而保证蓝宝石晶体的生长质量。同时也能够提高保温结构的保温性能，提高蓝宝石晶体生长炉的煮料效率。 | ||||||
| 18 | 一种用于泡生法蓝宝石生长的钨合金保护罩 | CN202111340248.9 | 2021-11-12 | CN114108075B | 2023-08-04 | 张敬利; 钟德荣; 童赤松 |
| 本发明的目的在于提出一种用于泡生法蓝宝石生长的钨合金保护罩，包括固定装置，固定装置包括固定环、第一密封圈、安装块、第二密封圈、楔形块、弹簧、底座、铰链、卡板和把手，既能快速密封，减少热量损失，又能保证蓝宝石生长时的气压条件；保温装置，包括罩体和反射板，可以把以热辐射形式散发出的热量反射回去，减少热量的损失；缓冲装置，包括支撑板、缓冲块、连接块、活塞杆、垫片和活塞管，起到缓冲减震的效果，避免底座打开产生的震动影响蓝宝石；稳定装置，包括第一安装套、第二安装套、加强筋、拉线和把手，可以提高籽晶杆的稳定性，保证蓝宝石生长时的晶体质地均匀，及更高的品质。 | ||||||
| 19 | 一种生产蓝宝石单晶的煮料工艺 | CN202310684672.8 | 2023-06-12 | CN116411338A | 2023-07-11 | 曹建伟; 宋建军; 欧阳鹏根; 石刚 |
| 本发明提供了一种生产蓝宝石单晶的煮料工艺，属于蓝宝石单晶煮料技术领域，首先向设备中充入惰性气体，加热器工作，加热器功率升高至P1以融化原料，坩埚轴的水流量V1，在坩埚内原料出现融化塌料后，加热器的功率升高到P2，坩埚轴的水流量升高到V2，在坩埚内原料完全融化后进行排杂处理，加热器功率维持在P3，坩埚轴的水流量维持在V3，在排杂处理之后，降低加热器功率并维持在P4以稳定设备内温度，且坩埚轴的水流量提高至V4，并且一段时间后，坩埚轴的水流量降低至V5，其中，P1≤P2＜P3，且P3＞P4；V1≤V2≤V3＜V4，且V4＞V5，V5≤V2。通过充气和加大水流量操作，以此加强加快排杂作业。 | ||||||
| 20 | 一种泡生法中晶体脱锅的方法及应用 | CN202310337489.0 | 2023-03-30 | CN116288670A | 2023-06-23 | 徐峰; 宋亚滨; 翟虎; 林宏达; 孙金梅; 秦俊 |
| 本公开涉及一种泡生法中晶体脱锅的方法及应用，本公开的方法通过快速改变晶体生长炉内加热装置的功率，使晶体的侧壁、底部和肩部发生先熔化再凝固，从而实现晶体肩部、侧壁与底部完全脱离坩埚，实现晶体悬空降温退火，进一步节约工艺时间，提高批量生产中晶体的品质和良率，降低开裂率。 | ||||||
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